【課題】レジストパターンの剥離残りの発生の把握が容易な配線基板の製造方法及び液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】レジストパターン１６０を介してリード電極９０及び島状のカウントマーク１２０をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程の後、レジストパターン１６０を酸素プラズマによって剥離するアッシング工程と、を有する流路形成基板１０の製造方法であって、パターニング工程では、アッシング工程におけるレジストパターン１６０の剥離特性に基づいて、リード電極９０におけるレジストパターン１６０の剥離時間よりも、カウントマーク１２０におけるレジストパターン１６０の剥離時間を長くするように、カウントマーク１２０の平面形状を設定するという手法を採用する。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム系基板に回路を形成するに際して、高密着性の絶縁膜を効率よく形成することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化アルミニウム系基板表面に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜表面に導電性の下地膜を形成する工程と、形成しようとする導体回路の回路パターンの輪郭に沿って前記下地膜を電磁波照射により除去することにより、導体回路となる部分を導体回路が形成されない部分から絶縁する工程と、導体回路となる部分の下地膜に電解メッキ処理を施すことにより、厚膜化して導体回路を形成する工程と、を備え、絶縁膜を形成する際に、導体回路を形成する領域とその周辺領域以外の部分をマスキングした後、溶射法により導体回路を形成する領域とその周辺領域のみに絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】
ＴＦＴ基板の発生した欠陥の修正に適用することを目的に、局所的に安定なプラズマ流を生成する。
【解決手段】
誘電体管を用いた高周波誘導結合方式によって発生したプラズマを利用した局所プラズマ処理装置であって、誘電体管（約１ｍｍ径）の先端部から大気中に射出されたプラズマ流の径寸法を制御するため、誘電体管の先端部と試料表面との間に電界制御部を配置し、更にプラズマ流の先端部と試料表面とが交差する領域に反応性ガスを供給するためのガス供給口を配置した。これにより、極めて細い（約数１００μｍ径）のプラズマ流を安定に形成することが出来、そして高品質の薄膜形成や良好なエッチング処理を実現可能にした。 （もっと読む）

【課題】マスクフィルムの使用を無くし、またレジスト材料を回収可能で感光しない材料にしてリサイクル可能にし、さらにレジストが感光しない照明を備えた作業エリアを不要にして、工程及びコストの削減と品質の向上を実現したプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき又は銅箔の張り合わせにより配線パターン５となる基板１表面に形成された銅層２上に、レーザ４により分離除去可能な金属レジスト層３をめっき又は金属箔の張り合わせにより設けて、所定の配線パターン５と位置が合致しない金属レジスト層３の不要部６をレーザ４により除去した後、露出した銅層２をエッチング液で除去し、その後配線パターン５上の金属レジストパターン７を剥離液で除去して基板１上に所定の配線パターンを形成する工程を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の金属パターンは、基板の表面に形成され、エッチングされた金属パターン（１３’）であって、金属パターン（１３’）の金属膜表面にはフッ化アルキル鎖（ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｎ−：ｎは自然数）を含む吸着された単分子膜が形成され、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子が浸入してマスキング膜（１８）が形成されている。こ金属パターンは、フッ化アルキル鎖（ＣＦ_３（ＣＦ_２）_ｎ−：ｎは自然数）を含む単分子膜を金属膜表面に形成し、前記単分子膜の表面に、メルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子が溶解した溶液を塗布して、前記単分子膜を構成する分子間にメルカプト基（−ＳＨ）又はジスルフィド基（−ＳＳ−）を有する分子を浸入させてマスキング膜を形成し、エッチング液を前記金属膜表面に曝して前記マスキング膜の無い金属領域をエッチングして得る。 （もっと読む）