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Fターム[5F003BM06]の内容

バイポーラトランジスタ (11,930) | 構成材料 (828) | 非単結晶、マイクロクリスタル (7)

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【課題】複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置。
【解決手段】ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、p型ドーピングナノワイヤおよびn型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。 (もっと読む)


この発明は、仮基板(2)を有する半導体基体(1)内において、少なくとも一つの半導体素子(3)が形成され、半導体素子(3)が、半導体基体(1)の基板(2)とは反対側に少なくとも一つの接続領域(4)を備え、そして、前記側に誘電体(5)が形成され、そして、接続領域(4)を露出させるようにパターンニングされ、その後、接続領域(4)と接続するように誘電体(5)上部に金属層(6)が堆積され、金属層(6)が接続領域(4)の電気的接続導電体として機能し、その後、仮基板(2)が除去され、そして、金属層(6)が半導体装置(10)の基板として機能する半導体装置(10)の製造方法に関する。この発明によれば、金属層(6)が堆積される前に、誘電体(5)のパターンニングされた部分の周囲と半導体素子(3)の周囲とに誘電体(5)よりも厚い樹脂のリング状領域(7)が形成され、そして、長方形のリング状領域(7)内部に金属層(6)が堆積される。このようにして、金属層(6)が堆積された後に、好ましくは、装置(10)を領域(7)外部に押圧することにより各装置(10)が容易に形成できる。好ましくは、誘電体(5)と領域(7)とのために(異なる)フォトレジストが選ばれる。この発明は、さらに、このようにして得られる半導体装置(10)を備える。
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