【課題】 単結晶ベースを有するヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ及びこれに関連する方法を提供すること。
【解決手段】 ヘテロ構造バイポーラ・トランジスタ（ＨＢＴ）及び関連する方法が開示される。一実施形態において、ＨＢＴは、基板と、基板の上のポリシリコン・エミッタと、基板内のコレクタと、コレクタに隣接した少なくとも１つの分離領域と、各分離領域の上に延びる単結晶シリコン・ゲルマニウムを含む真性ベースと、単結晶外部ベースとを含む。１つの方法は、分離領域の形成を、後で誘電体に変換される注入された多孔質シリコンの形成と置き換えるステップを含む。結果的に、分離領域の上に横方向の寸法が拡張された単結晶シリコン・ゲルマニウム・ベース・プロファイル層を形成することができる。 （もっと読む）