半導体発光素子は、エミッタとコレクタ領域の間のベース領域を有するヘテロ結合バイポーラ発光トランジスタと、エミッタ、ベース、およびコレクタ領域それぞれで、結合電気信号ためのエミッタ、ベース、およびコレクタ電極と、前記ベース領域の中に量子サイズ領域とを備え、前記ベース領域は、前記量子サイズ領域のエミッタ側上に第１のベースサブ領域と、前記量子サイズ領域のコレクタ側上に第２のベースサブ領域を備え、前記第１と第２のベースサブ領域は非対称バンド構造を有する。２端子半導体構造から光放射を生み出すための方法は、第１の伝導型のエミッタ領域と、第１の伝導型の領域と反対に第２の伝導型のベース領域の間に第１の半導体接合、および前記ベース領域とドレイン領域との間に第２の半導体接合を含む半導体構造を提供するステップと、前記ベース領域の間に量子サイズ効果を示す領域を提供するステップと、前記エミッタ領域に結合されたエミッタ電極を提供するステップと、前記ベース領域と前記ドレイン領域に結合されたベース／ドレイン電極を提供するステップとを含み、前記半導体構造から光放射を得るため、前記エミッタおよび前記ベース／ドレイン電極に信号を印加する。 （もっと読む）

【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓを含む半導体膜１０と、半導体膜１０上に設けられた酸化ガリウム膜２０と、酸化ガリウム膜２０上に設けられた導電性膜３０と、を具備し、酸化ガリウム膜２０は、半導体膜１０および導電性膜３０の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

【課題】 スピン極性化電子の注入及び／又は検出が著しく改善されたスピン検出磁気メモリを提供する。
【解決手段】 本発明のメモリは、二つの隣接領域が形成する半導体接合部（１０３）上に配置され、該第１と第２の領域（１０１，１０２）がそれぞれ第１種と第２種の導電性を呈し、前記接合部（１０３）の各側に配置した第１と第２の接続セル（１１０，１２０）を備え、各セルが磁化モジュール（１１１と１１２，１２１と１２２）を備えるスピン検出磁気メモリであって、前記セルのうちの少なくとも一つが前記磁化モジュールに加えバイアス電極（１１３，１２３）を含む、ことを特徴とする。
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【課題】 スピントランジスタの構造を単純化し、且つ出力電流、電流変動率および電流増幅率に関して多様な要求のある用途に利用できるスピントランジスタを提供する。
【解決手段】 スピントランジスタは、電流変動率を増大するために単一のポテンシャル障壁構造を使用する。そのスピントランジスタは、エミッタ、コレクタ、ベース、ベース抵抗の内の少なくとも1つを有する。そのエミッタは、磁気抵抗デバイスであって、それは磁界に基づいた加減抵抗を形成している。そのコレクタは、単一のポテンシャル障壁を形成する受動デバイスである。またそのベースは、エミッタとコレクタの間に位置しており、エミッタとコレクタを結合している。そのベース抵抗は、バイアスを提供するためにベースに接続している。 （もっと読む）

【課題】 固定した電圧で異なるエミッタ電流入力を得ることができ、さらに、エミッタ電流入力を制御しながら変化させることによってベース電流を変化することができ、且つ複雑な半導体の製造工程を必要としない磁気抵抗トランジスタを提供する。
【解決手段】 エミッタとして機能する磁気抵抗素子と、コレクタとして機能する受動素子を有する磁気抵抗トランジスタ。そのベースは、その受動素子とその磁気抵抗素子の間に挿入されており、それによってその受動素子とその磁気抵抗素子とを結合している。与えられた強度の磁界がその磁気抵抗トランジスタの少なくとも１つの部分に印加され、その与えられた強度によって磁気抵抗トランジスタのその少なくとも１つの部分の抵抗が決定されている。そうして、与えられる磁界の強度を調整することによって抵抗が調節できる場合もある。 （もっと読む）