【課題】カーボンによるバンドギャップ・エンジニアリングを可能とし、カーボン原子に基づく多彩なエレクトロニクスを達成して、信頼性の高い電子装置を実現する。
【解決手段】電子装置は、単層のグラフェン膜１と、グラフェン膜１上の両端に設けられた一対の電極２，３とを有しており、グラフェン膜１では、電極２，３間の領域において、中央部位のＢＣ間が複数のアンチドット１０が形成されてなる第１の領域１ａとされており、第１の領域１ａの両側におけるＡＢ間及びＣＤ間がアンチドットの形成されていない第２の領域１ｂとされている。 （もっと読む）

【課題】セルフアライメントにより容易に電極を形成することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】エッチングストッパ層２の上方に、Ｓｂを含み、所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＳｂ含有層３ｂを形成し、Ｓｂ含有化合物半導体層３ｂ上に、Ａｓを含み、前記所定の溶液に対するエッチング耐性がエッチングストッパ層２よりも低いＡｓ含有層３ｃを形成する。そして、前記所定の溶液を用いて、導電膜４をエッチングマスクとし、Ｓｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃをメサ状にウェットエッチングし、平面視でＳｂ含有層３ｂ及びＡｓ含有層３ｃから離間した位置において化合物半導体層１の上方に導電膜５ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓを含む半導体膜１０と、半導体膜１０上に設けられた酸化ガリウム膜２０と、酸化ガリウム膜２０上に設けられた導電性膜３０と、を具備し、酸化ガリウム膜２０は、半導体膜１０および導電性膜３０の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】
ナノテクノロジー、特にナノスケールでのエレクトロニクス用途に適したナノスケールワイヤ及び関連デバイスをを提供することを目的とする。
【解決手段】
少なくとも10¹²バイト/cm²の密度をもつメモリ素子のアレイを含み、
少なくともひとつのメモリ素子は、自立型バルクドープ半導体を含む物品を含み、該自立型バルクドープ半導体は、500ナノメートル未満の最小幅をもつ少なくとも一つの部分
を含む、
デバイスを使用する。 （もっと読む）

【課題】 縦型の薄膜電流注入型トランジスタにおいて、通常の空気雰囲気で高い電流増倍率と高い電流密度を安定して制御できるトランジスタ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、第１電極と第２電極の間に第１半導体層、第３電極、第２半導体層を配し、前記第３電極から注入される電流によって前記第１電極から前記第２電極に流れる電流を制御するトランジスタ素子であって、前記第３電極が金属微粒子を構成要素として含む。また、前記第１半導体層が酸化亜鉛、前記第２半導体層が、酸化インジウム、酸化錫、酸化カドミミウムの少なくともいずれか１つを主成分とし、前記第１電極から前記第２電極に流れる電流が主として電子によるものである。 （もっと読む）

【目的】ペロブスカイト構造の酸化物層をキャリア走行領域とするペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法に関し、酸化物層の表層の導電率を調整する工程を含むペロブスカイト構造の酸化物層を有する酸化物素子の製造方法及び誘電体ベーストランジスタの製造方法を提供すること。
【構成】電子用ドープ元素がドープされたペロブスカイト構造の第一の酸化物層１７と正孔ドープ用元素がドープされたペロブスカイト構造の第二の酸化物層１８を重ねて形成する工程と、熱処理によって前記電子ドープ用元素と前記正孔ドープ用元素を相互拡散させて第一の酸化物層１７と前記第二の酸化物層１８の少なくとも界面近傍の層のキャリアを変化させる工程とを含む。 （もっと読む）

本発明に係る半導体素子は、基板（１０１）と、基板（１０１）上に形成され、ＩＩＩ−Ｖ族ｎ型化合物半導体からなるエミッタ層（１０２）、ベース層（１０５）、及びコレクタ層（１０７）がこの順で積層されている半導体積層構造と、エミッタ層（１０２）とベース層（１０５）との間に配置される量子ドット障壁層（１０３）とを備え、量子ドット障壁層（１０３）は、複数の量子ドット（１０３ｃ）と、量子ドット（１０３ｃ）をエミッタ層側及びベース層側からそれぞれ挟む第１及び第２の障壁層（１０３ａ，１０３ｄ）とを備え、各量子ドット（１０３ｃ）は、ベース層（１０５）側に向けて凸である凸部を有しており、第２の障壁層（１０３ｄ）におけるベース層（１０５）側の界面（ｄ_１）と、ベース層（１０５）におけるコレクタ層側及びエミッタ層側の界面（ｄ_２，ｄ_３）とは、量子ドット（１０３ｃ）の凸部に対応してコレクタ層（１０７）側に凸となるように湾曲する湾曲部（ｄ_１２，ｄ_２２，ｄ_２３）を有している。
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ホットエレクトロン・トランジスタはエミッタ電極、ベース電極及びコレクタ電極と、エミッタ電極とベース電極との間に配置され、そこでの電子の輸送層として機能する第１のトンネル構造とを有する。第１のトンネル構造は、電子の輸送がトンネリングによる輸送を含むように、少なくとも第１のアモルファス絶縁体層、及び別の第２の絶縁体層を含む。トランジスタはさらに、ベース電極とコレクタ電極との間に配置された第２のトンネル構造を含む。第２のトンネル構造は電子の少なくとも一部の、ベース電極とコレクタ電極との間の、弾道輸送による輸送層として機能し、その結果、電子の一部はコレクタ電極で収集される。薄膜トランジスタ内の界面での電子反射を低減する関連方法もまた開示される。
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