【課題】 モールドパターンに樹脂を充填できると共に、余剰の樹脂によって除去困難な厚さのバリが形成されることを防止できる回折格子作製方法を提供する。
【解決手段】 プライマ層６０上に樹脂Ｕを配置した後に、モールド１押し付ける。プライマ層６０は、モールド１よりも濡れ性が低い。モールドパターンＭＰの溝部Ｍａに樹脂Ｕが充填される。プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。また、プライマ層６０は、第２の部分Ｐ２には形成されない。第２の部分Ｐ２上では絶縁膜３０が露出している。絶縁膜３０はプライマ層６０よりも濡れ性が高い。樹脂Ｕにモールド１を押し付けたときに、モールド１とプライマ層６０との間からはみだした余剰樹脂Ｕａが絶縁膜３０に広がる。余剰樹脂Ｕａが、突出部３の側面３ｂに沿って盛り上がらない。余剰樹脂Ｕａによって除去困難な厚さのバリが形成されない。 （もっと読む）

【課題】エッチング深さが異なる形状を簡単に、且つ精度よく加工できる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】開口部幅の異なる領域毎に、半導体のエッチングの進行、またはポリマーの生成のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部を有するマスク１９００を半導体表面に形成すると共に、マスクの周辺に周辺窓１７０１を有する周辺マスク１７００を形成する第１の工程と、メタンプラズマおよび水素プラズマをマスクが形成された半導体表面に照射する第２の工程を有し、マスク１９００が、第１のパターンを有す第１のマスク部１９１０と、第１のマスク部上に形成され、第１のマスク部のマスク厚よりも厚く、第１のパターンの開口部幅を画定する第２のパターンを有す第２のマスク部１９２０とからなり、周辺マスクの窓領域が第１のパターンの回折格子方向周辺に配されるようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体の構成原子の脱離による欠陥（Ｖ族原子空格子）の誘起または表面モフォロジーの劣化を生じさせずに、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を容易に加工することができる半導体素子の作製方法を提供する。
【解決手段】酸素プラズマを所定の拡散距離に対して、開口部幅の異なる領域毎に、半導体表面のエッチングが進行する第１の状態か、半導体表面にポリマーが生成される第２の状態のどちらか一方のみが発現するように前記開口部幅が設定された開口部１９０１を有するマスク１９００を半導体表面に形成する第１の工程と、メダンプラズマをマスク１９００が形成された半導体表面に照射しつつ、酸素プラズマを開口部１９０１の幅方向にてマスク１９００の端部から開口部へ所定の拡散距離にて拡散させる第２の工程を有するようにした。 （もっと読む）

【課題】凹凸構造の角部分の形状変形を防いで固体表面の加工を行う。
【解決手段】上部にクラスター保護層が被覆形成された凸部とクラスター保護層が被覆形成されない凹部とでなる凹凸構造を固体表面に形成するクラスター保護層形成工程と、クラスター保護層形成工程において凹凸構造が形成された固体表面に対してガスクラスターイオンビームを照射する照射工程と、クラスター保護層を除去する除去工程とを有するガスクラスターイオンビームによる固体表面の加工方法とする。ガスクラスターイオンビームのドーズ量をｎ、クラスター保護層のエッチング効率を１クラスターあたりのエッチング体積Ｙとした場合に（但しａ及びｂは定数）、クラスター保護層の厚さＴは、


を満たす。 （もっと読む）

【課題】反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。
【解決手段】この方法は、基板生産物３０上に形成された絶縁膜２５上に樹脂層２７を形成したのち、所定パターンを有するモールドを樹脂層２７に押し付ける工程と、Ｓｉを含む樹脂層２８によって樹脂層２７を覆ったのち、ＣＦ_４ガス及び酸素ガスを用いたＲＩＥによって樹脂層２８をエッチングして樹脂層２７を露出させるエッチバック工程と、樹脂層２７を選択的にエッチングして絶縁膜２５を露出させる工程と、樹脂層２８をマスクとして絶縁膜２５をエッチングすることにより、所定パターンを絶縁膜２５に形成する工程とを含む。ＲＩＥは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、エッチングにより生じるＳｉ生成物を除去しながら行われる。 （もっと読む）

【課題】サイドモード抑制の効果が大きく、均一性、再現性に優れる深さの異なる回折格子を含む半導体素子およびその作製方法を提供すること。
【解決手段】開口部幅の異なる複数の開口部を有するマスクを複数の組成の異なる層かなる半導体表面上に形成する。開口部幅が同じ開口部毎に、マスク端での水素プラズマ濃度が所定の濃度となる条件でエッチング（メタン／水素プラズマ照射）を行う。表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。複数の組成の異なる層の内、エッチングされる層が開口部幅によって異なるようにエッチングする。 （もっと読む）

【課題】回折格子の凹部の深さを高精度に制御することが可能な回折格子の形成方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る回折格子の形成方法は、回折格子が形成されるべき上部ＳＣＨ層１１上に、エッチングストップ層１３と、上部ＳＣＨ層１１と同じ組成の材料からなる半導体層１５とをこの順に形成する工程と、第１マスク層１７をマスクとして半導体層１５をエッチングすることにより、半導体層１５に凹部１５ｃを形成するエッチング工程と、半導体層１５の凹部１５ｃの深さＤ１５を測定する測定工程と、測定工程において測定された深さＤ１５に基づき上部ＳＣＨ層１１のエッチング条件を選択する工程と、第２マスク層をマスクとして上記エッチング条件で上部ＳＣＨ層１１をエッチングすることにより、上部ＳＣＨ層１１に回折格子の凹部を形成する回折格子形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】水素流量の増加を最低限に抑え、効率的に水素プラズマを開口部に供給して開口部内のエッチング領域を変化させることができる半導体素子の作製方法を提供すること。
【解決手段】エッチングの進行が発現する水素の相対濃度を０．４程度とすると、マスク端での相対濃度が０．５、１．０、２．０それぞれに対して、開口部幅が１μｍのときは水素の相対濃度が０．４以上になるのでエッチングが生じる。開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと、所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが場所によって変化する前記所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種の供給に前記深さの変化に対応した分布を設ける。
【解決手段】第１のパターン１４１０を有する第１のマスク１４０２の上層に、第２のパターンを有する第２のマスク１４１１を積層する積層マスクを基板１４０１上に形成し、前記第２のマスク１４１１は、側壁に傾斜を有する開口部１４１１Ｂと、平坦部１４１１Ａと、からなり、かつ、上面視で幅広部１４１５Ａおよび１４１５Ｂを有するパターンとする。 （もっと読む）

【課題】複数の段差を備えた微細な３次元構造パターンの形成に好適なパターン形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によれば、ハードマスク層は基板に対してエッチング選択比が高い材料であるため、形成する３次元構造パターンに対応するハードマスク層の段差は、所望する３次元構造パターンよりも、深さを小さくすることが出来る。また、ハードマスク層に段差を形成するにあたり、ハードマスク層を基板表面を覆うように残存させることにより、複数段のパターン形成において、基板の帯電（チャージアップ）を抑制することが出来る。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンを有する第１のマスクと所望のパターンの開口部に拡散されるエッチング種の量を制御するための第２のマスクとを用いて、深さが変化する所望のパターンを半導体表面に作製するための方法において、エッチングに寄与するエッチング種を増大させること。
【解決手段】エッチングガスに塩素を用いてＲＩＢＥを行うと、図１７（ｂ）の構造が得られる。このエッチングにおいて、マスク厚の厚いＳｉＮ_xマスク１４１１からの塩素プラズマの寄与が大きく、マスク厚の薄いＳｉＯ₂マスク１４１０からの塩素プラズマの寄与は小さい。したがって、マスク幅の広い回折格子中央部ではマスク上で反応しない塩素プラズマが多量に開口部に拡散することにより開口部での塩素プラズマは高濃度になりエッチング速度が増加する。ここで用いるマスクは２段構造を有しており、１段構造に比べてより多くのエッチング種をエッチングに関与させる。 （もっと読む）

【課題】表面にダメージを与えることなく、III族窒化物半導体を高精度にかつ高速に加工できるIII族窒化物半導体の加工方法を提供する。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下の塩素含有ガス雰囲気中で、被処理物である単結晶ＧaＮ基板６から離れた位置でラジカル供給部２によりプラズマを発生させてラジカルを生成する。上記基板６を、その基板６に含まれるIII族元素(Ｇa)の塩化物の沸点以上の温度に加熱し、同時に、プラズマ生成部(電極部８１)のプラズマ中で生成されたラジカルを基板６の表面に接触させることにより、基板６の表面を加工する。 （もっと読む）

【課題】 マスクを用いたエッチング加工を改良した半導体素子の作製方法及び半導体素子を提供すること。
【解決手段】 ＳｉＯ_２膜６３上にレジストを塗布した後に回折格子作製マスク用のレジストパターン６４を作製する（ｃ）。レジストパターンをマスクとしてＳｉＯ_２膜を加工することにより、レジストパターンをＳｉＯ_２膜６３に転写する（ｄ）。レジストパターン６４を除去することにより、ＩｎＰ上に傾斜面ａを有する導波層構造を作製するためのＳｉＯ_２マスクが形成される（ｅ）。マスクから半導体表面への塩素プラズマの拡散によりマスク端から離れるにつれてエッチング深さが浅くなり、傾斜面ａを有する形状が形成される（ｆ）。最後にＳｉＯ_２膜６３を、炭化フッ素系ガスを用いたＲＩＥにより除去する（ｇ）。 （もっと読む）