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Fターム[5F033PP26]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 導電膜の成膜方法 (14,896) | 塗布又は液体からの成膜 (5,037)

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【課題】 絶縁膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板100上に形成されたFSG膜109に複数の配線用溝110を形成した後、各配線用溝110が完全に埋まるようにFSG膜109の上にバリアメタル膜(窒化タンタル膜111)及び配線用導電膜(銅膜112及び113)を順次堆積する。その後、各配線用溝110の外側の銅膜112及び113を研磨により除去した後、各配線用溝110の外側の窒化タンタル膜111を研磨により除去する。その後、研磨時に基板100に付着した異物を除去した後、FSG膜109の表面を研磨する。 (もっと読む)


【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜103が多層形成され、絶縁膜103に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜103のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜103の層間にはバリア絶縁膜104を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 (もっと読む)


【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子201の上にWプラグ203(下層配線)が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜204(絶縁膜)を形成する工程と、第二層間絶縁膜204に電子線を照射して、第二層間絶縁膜204を露光する工程と、第二層間絶縁膜204を現像して未露光部を除去し、配線溝および/またはビアホールおよび/またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 (もっと読む)


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