【課題】半導体チップの発熱部における熱を、簡易な方法で効率的に放散させる。
【解決手段】半導体チップ２と、該半導体チップ２の外部に配置されるリードフレーム３ｂ，３ｃと、該リードフレーム３ｂと半導体チップ２の表面に形成された電極パッド１０とを電気的に接続する信号用ボンディングワイヤ４とを備えるとともに、半導体チップ２を構成するシリコン基板の表面に形成された回路パターンを被覆する絶縁膜９の表面のうち、回路パターンにおける発熱部１１近傍に配される領域とリードフレーム３ｃとを接続する放熱用ボンディングワイヤ５を備える半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】発熱素子のパッケージから突出するリード端子に伝わる熱についての有効な放熱が図れるようにした発熱素子の放熱構造を提供することである。
【解決手段】パッケージ１０２からリード端子１０４が突出した発熱素子１００の放熱構造であって、放熱体１１０と、前記リード端子１０４と前記放熱体１１０との間に介在してそれぞれに接合する絶縁性導熱材１１２とを有する構成となり、発熱素子１００内で発生してリード端子１０４を伝わる熱が絶縁性導熱材１１２を通して放熱体１１０に導かれるようにした。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップボンディングを用いた半導体装置において新規な放熱構造を提供し、この半導体装置の製造方法を提供することを目的する。
【解決手段】 半導体装置は、金属バンプ５に接合された電解メッキ層からなるフラットな配線６から構成された接続端子と、半導体素子２の第２の主面に接合された放熱構造を有するベッド部１と、半導体素子及び金属バンプを封止する樹脂封止体４とを備え、電解メッキ層及びベッド部の各一面は樹脂封止体から露出している。電解メッキ層は、電鋳基板の導電パターンである。半導体装置は、小型であり、半導体素子から発生する熱を効率良く放出でき、電解メッキ層として電鋳基板の導電パターンを用いて簡単に半導体装置が製造できる。 （もっと読む）

【課題】モジュール形半導体装置を構成する部材間の半田接合部について、母材金属表面に成膜したＮｉの半田への溶出，および接合界面に生成した金属間化合物の成長を低く抑えて半田接合部の疲労寿命改善，信頼性向上を図る。
【解決手段】銅ベース板１に搭載した絶縁基板２の導体パターン２ａにパワー半導体チップ３をマウントし、該半導体チップの上面電極にリードフレーム４を接続したモジュール形の半導体装置で、前記各部材の間を半田付けして面接合したものにおいて、半導体チップ３を含めた各接合部材の半田接合面に表面処理としてＮｉを成膜してＮｉ膜９を形成し、さらに該Ｎｉ膜の表面に半田接合工程で完全に溶解し得る厚さ（膜厚１μｍ以下）のＣｕ膜１０を成膜した上で、各部材の間をＳｎリッチな半田材で半田接合する。これにより、半田の接合界面にはＣｕ−Ｎｉ−Ｓｎの３元系金属間化合物１１が生成し、この金属間化合物がバリアとなって実使用時の通電加熱に伴うＮｉの溶出，金属間化合物の成長を抑制して半田接合部の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】光学機能素子の発熱による悪影響及び温度ムラによる悪影響を防止できる半導体装置を得る。
【解決手段】ライン型ＣＣＤチップ１が導電性放熱板に固定され、ライン型ＣＣＤチップ１と配電手段３とが電気的に接続された半導体装置に関する。ライン型ＣＣＤチップ１が固定される導電性放熱板２の固定面２ａに対して反対側に位置する反対面２ｂの全面が外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】回路装置１０に内蔵される回路素子１２から発生する熱を効率的に外部に放出する。
【解決手段】トランジスタやダイオード等の回路素子１２が実装される第１の導電パターン１１Ａの裏面に第１の外部電極１５Ａを形成する。回路素子１２が実装されない第２の導電パターンの裏面には、第２の外部電極１５Ｅを設ける。回路装置が実装される固着基板２０が金属層２２と絶縁層２３からなり、絶縁層上に形成される導電路２１と金属層２２とはサーマルビアホール２４を介して熱的に結合されている。従って、回路素子１２から発生する熱は、第２の導電パターン１１Ｅ、サーマルビアホール２４を介して外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続構造において、半導体素子から配線基板に放熱する際に、半導体素子裏面から配線基板に放熱板などで放熱する構造では、熱の経路が長いため熱抵抗が高くなっていた。
【解決手段】フリップチップ接続に用いられる突起電極より低く作成した突起電極を半導体素子の能動領域近傍に配置し、熱伝導経路を短く、断面積が広くなったため、熱抵抗は小さくすることが出来た。 （もっと読む）