Fターム[5F038AC15]の内容
Fターム[5F038AC15]に分類される特許
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絶縁層及び接続孔の形成方法、配線構造及びその形成方法
【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア(接続孔)の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座20を介してマスク基板21を配置し、この基板21とコア基板1との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料3Aを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール7を形成する。この現像により、微小なヴィアホール7を形成できると同時に、マスク基板21のコア基板対向面21aによって絶縁材料(従って、絶縁層3)を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。
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半導体装置の製造方法、強誘電体キャパシタ、およびその製造方法
【課題】 強誘電体キャパシタを有する半導体装置の製造において、強誘電体膜の自発分極を最大化する。
【解決手段】 下側電極を形成後、強誘電体膜を堆積する前に、前記下側電極を不活性雰囲気中において急速熱処理する。
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