窒化物半導体単結晶ウエハを研磨すると加工変質層ができる。加工変質層を除去するためのエッチングが必要である。しかし窒化物半導体は化学的に不活性であって適当なエッチャントがない。水酸化カリウムとか燐酸がＧａＮのエッチャントとして提案されているがＧａ面を腐食する力は弱い。 加工変質層を除去するためにハロンゲンプラズマを用いたドライエッチを行う。ハロゲンプラズマでＧａ面をも削り取る事ができる。しかしドライエッチによって新たに金属粒子による表面汚染の問題が生ずる。そこで選択性がなく腐食性があって酸化還元電位が１．２Ｖ以上であるＨＦ＋Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２ＳＯ_４＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＣｌ＋Ｈ_２Ｏ_２、ＨＮＯ_３等をエッチャントとしてウエットエッチングする。
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単結晶スピネルウェハが開示され、前面および裏面；ならびに第１および第２平面を持つ外周部を含む。ある態様において、単結晶スピネルウェハは特定の結晶学的配向を有し、そして平面は所望の面配置に沿って延びるように与えられる。平面はへき開面およびへき開面のへき開方向を確認するのに有利でありうる。 （もっと読む）

本発明は、最終基板と称する基板（１０７）上に半導体材料の薄層（１０４）を製造する方法であって、最初の支持体（１０１）と称する支持体上に当該半導体材料の層を形成すること；当該薄層（１０４）と、当該最終基板（１０７）とをメタルボンディングにより組み立てること；薄層（１０７）と最初の支持体（１０１）を機械的に分割すること、を含む方法に関する。
得られる中間基板は、例えば、発光ダイオード、レーザーダイオード等の各種部品の製造に使用できる。当該方法では、破壊のない機械的剥離により、リサイクル可能な出発基板から、最終基板上に薄層を製造することができる。 （もっと読む）