【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に、仮固定剤を用いて優れた密着性をもって薄膜を形成して、これにより、この薄膜を均一な膜厚を有するものとし、その結果、精度に優れた基材の加工を行い得る基材の加工方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基材の加工方法は、仮固定剤を支持基材１の一方の面にスピンコート法を用いて供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）２を形成する第１の工程と、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層２を加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる第４の工程とを有し、支持基材１は、その仮固定剤に対する親和性が、機能面３１の仮固定剤に対する親和性とほぼ等しくなるように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。
【解決手段】 被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー８内のスピンチャック９上に載せ、光熱変換層２のうち、被処理基板から露出する部分２ａを、アルカリ性水溶液１１で除去した後、高圧洗浄用ノズル１２で洗浄する。その後、被処理基板３の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。 （もっと読む）