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Fターム[5F045AA17]の内容

気相成長(金属層を除く) (114,827) | 成長法 (11,750) | HOMOCVD (3)

Fターム[5F045AA17]に分類される特許

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【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスCにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Sを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスCが供給される供給部1と、供給されたキャリアガスCを分散させる分散部2と、固体試料Sが設置される試料設置部3と、該試料設置部3において作製された固体材料ガスGが供出される供出部4と、を有すること。 (もっと読む)


【課題】熱フィラメントCVD装置において、反応室の内部のヒータの設置の手間を軽減する。
【解決手段】熱フィラメントCVD装置のヒータ20において、一対の電極22a、22bと、電極22a、22bを平行状態に相対向させ保持する枠体23と、電極間22a、22bに張架された熱フィラメント21により形成された加熱部と、電極22aの略下側に設けられた複数の係止部60を備えた固定部24と、電極22bの略後方側に配置された複数の係止部71を備えた可動部25とを有する。加熱部は、1本のワイヤ状の熱フィラメント21を、固定部24の係止部60と、可動部25の係止部71とに交互に架け渡し係止して電極間22a、22bにチドリ状に張架することにより形成される。 (もっと読む)


【課題】 構造が簡単で、成長膜厚の制御性に優れた気相成長装置を提供する。
【解決手段】 ウェハを保持するためのサセプタ4及び原料ガスを導入するためのガス導入部を有する反応室1と、この反応室からガスを排気する排気部6と、上記反応室及び上記排気部の間に配設され、これら反応室及び排気部を連通する排気口が形成された仕切り部材を備えた気相成長装置において、仕切り部材7に形成する排気口8を、上記反応室の側から上記排気部の側に向けて流路断面積が小さくなるように形成し、余剰生成物の付着を上流側に集中させ、処理を重ねていっても一定のガス流速が得られるように構成したものである。 (もっと読む)


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