【課題】太陽電池基板の自然酸化膜除去処理を、太陽電池の製造工程の中で高いスループットで行うことができる方法を提供する。
【解決手段】平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて太陽電池基板の表面に反射防止膜を成膜する方法であって、処理用ガス供給装置から第１処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第１周波数の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に窒素イオンを含むプラズマを発生させ、この窒素イオンによって太陽電池基板の酸化膜を除去する除去工程と、処理用ガス供給装置から第２処理用ガスを供給するとともに高周波電力源から高周波電極に第２周波数（＞第１周波数）の高周波電力を印加し、高周波電極と基板電極との間に太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜するプラズマを発生させ、このプラズマによって太陽電池基板表面に反射防止膜を成膜する成膜工程とを連続して行う。 （もっと読む）

複数のウェハ上に薄膜を同時に堆積できるようにするエピタキシャルリアクタを開示する。堆積中、狭い間隔で配置された複数のウェハキャリアプレートを含むウェハスリーブ内に複数のウェハを収容してプロセス容積を最小限に抑える。プロセスガスをウェハスリーブの内部容積に優先的に流入させ、これを１又はそれ以上のランプモジュールによって加熱する。パージガスをリアクタチャンバ内のウェハスリーブの外側に流してチャンバの壁への堆積を最小限に抑える。また、ランプモジュール内の個々のランプの照射のシーケンシングにより、ウェハスリーブ内の堆積速度の変化の直線性をさらに改善することができる。均一性を改善するために、プロセスガス流の方向をクロスフロー構成に変更することができる。複数のリアクタシステム内でランプシーケンシングをクロスフロー処理と組み合わせることにより、膜が良好に均一化した高スループットの堆積及びプロセスガスの効率的使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させつつ、反応ガスの消費を抑制する装置を提供すること。
【解決手段】真空容器１０内に、多数の基板載置部５が搬送方向に一列に配列された基板載置部５の列を備えると共に、直線搬送路を有する周回搬送路に沿って前記基板載置部５の列を搬送する基板搬送機構４を設ける。また前記直線搬送路に沿って交互に配置され、基板載置部５の搬送路に対して夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２を設けると共に、前記第１の反応ガスが供給される領域と第２の反応ガスが供給される領域とを分離するために、第１の反応ガスノズル６１及び第２の反応ガスノズル６２の間に、基板載置部５の搬送路に対して分離ガスを供給する分離ガスノズル６３を設ける。 （もっと読む）

【課題】ｐ安定化降下電圧（ΔＶｆ）が良好な発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＩｎＰからなる４元発光層を有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程と、４元発光層の基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰからなる第一の電流拡散層を気相成長させる工程と、ＧａＡｓ基板を除去する工程と、ＧａＡｓ基板が除去された側の発光層の主表面（第二主面）にｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程とを有する発光素子の製造方法において、少なくとも、ＧａＡｓ基板を除去する工程の後、ｎ型ＧａＰからなる第二の電流拡散層をハイドライド気相成長法によりエピタキシャル成長させる工程の前に、ＨＶＰＥ炉内に水素を線速１２（ｍ／ｍｉｎ）以上で流しながら熱処理する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相成長法を用いて電流拡散層を形成する場合に、裏面穴を抑制することのできる化合物半導体エピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成されるエピタキシャル層２４，７ａを気相成長する有機金属気相成長工程と、ＧａＡｓ単結晶基板１の裏面に付着したＩｎＰ含有粒子Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３を除去するＩｎＰ含有粒子除去工程と、塩化ガリウムを原料ガスとして使用し水素雰囲気中でＧａＰ層を前記エピタキシャル層２４，７ａ上に気相成長するハイドライド気相成長工程とをこの順に行なう。 （もっと読む）

【課題】１つのチャンバー内にカソード・アノード電極体が複数組、同一方向に向けて設置されており、簡便な構造であって安定したプラズマ放電を確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板１を収容する密封可能なチャンバー（図示略）と、チャンバー内に反応性原料ガスを供給するガス導入管１０と、チャンバー内に配設され、外部の電源に接続されて反応性ガスを介してプラズマ放電させる三組のカソード・アノード電極体７とを備えてなる。これらのカソード・アノード電極体７は、同一方向に向けて略垂直にかつ直列状に配設されているとともに、隣接する左右二組のカソード・アノード電極体７における一方のカソード電極２と他方のアノード電極４との間隔Ｂが、それぞれのカソード・アノード電極体７におけるカソード電極２とアノード電極４との間隔Ａの２倍以上になるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】均一なプラズマ処理が行えると共に、パーティクルの発生を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】減圧下の処理室１内に載置した被処理基板５をプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、被処理基板５を挟むように且つ被処理基板５と接触しないように複数の交流電力印加用電極板３、４を設けた。 （もっと読む）

【課題】ＳｉまたはＳｉＧｅ等の半導体材料が露出している領域直上のみにＳｉやＳｉＧｅ等のシリコン含有膜を選択成長させるのではなく、ＳｉＯ_２やＳｉＮ等が露出している領域上にもＳｉを横方向にせり出させて成長させる成膜工程を備える半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】処理室１０８にウエハ１３０を搬入し、ウエハ１３０を加熱し、処理室１０８にシリコン含有ガス、エッチング性ガス、キャリアガスである水素を同時に供給し、ウエハ１３０上にシリコン膜を選択成長させる際に、水素を、エッチング性ガスの２０倍〜５０００倍の流量で供給する。 （もっと読む）