【課題】窒素（Ｎ）の量を少なくしても比抵抗の小さいｎ型ＳｉＣ単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる比抵抗が小さいＳｉＣ単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶を結晶成長する際に、ｎ型半導体とするためのドナー元素である窒素（Ｎ）とともにガリウム（Ｇａ）を、両元素のａｔｍ単位で表示して量であるＮ（量）およびＧａ（量）がＮ（量）＞Ｇａ（量）となるようにする。特にＳｉＣに対する窒素（Ｎ）およびガリウム（Ｇａ）のａｔｍ％単位で表示した各々の添加割合であるＮＡＤおよびＧａＡＤが、０＜ＮＡＤ≦１．０ａｔｍ％、０＜ＧａＡＤ≦０．０６ａｔｍ％である割合で添加して結晶成長させることにより、比低抗率が小さく、例えば比低抗率が０．０１Ωｃｍ以下、その中でも０．００８Ωｃｍ以下のｎ型ＳｉＣ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

不純物の密度を低減し、熱応力なく基板の電気特性の均一性を改善するための、複数のウェハを処理する装置および方法。ウェハは、化学処理され、封止された反応チューブにおいてヒ素過圧下で調整された温度プロフィールによりウェハを加熱するように加熱処理される。温度プロフィールは、封止された反応チューブを含む炉内のそれぞれのゾーンの温度を調整する。ウェハの不純物は、溶解され、ウェハの内部から外部へ外方拡散される。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ及び転位欠陥の少ない良質の大口径｛０００１｝面ウェハを再現性良く低コストで製造し得るＳｉＣ単結晶インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】｛０００１｝面から２０°以上９０°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を用いて炭化珪素単結晶インゴットを成長し、その成長した炭化珪素単結晶インゴットから再び｛０００１｝面から２０°以上９０°未満傾斜した傾斜面を成長面上に有する炭化珪素単結晶育成用種結晶を切り出し、炭化珪素単結晶成長を複数回繰返す炭化珪素単結晶インゴットの製造方法において、第（ｎ−１）成長工程で使用した種結晶の傾斜面の傾斜方向と第ｎ成長工程で使用する種結晶の傾斜面の傾斜方向との｛０００１｝面内における角度差が４５°以上１３５°以下である。 （もっと読む）

【課題】 安定して製造することができる高抵抗率のＳｉＣ単結晶とこのＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】 タングステン、ニオブおよびモリブデンの群から選択された少なくとも１種類の金属を含有するＳｉＣ単結晶である。ここで、ＳｉＣ単結晶中におけるこれらの金属の含有量が１×１０¹⁴個／ｃｍ³以上１×１０¹⁷個／ｃｍ³以下であることが好ましい。さらに、このＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板である。 （もっと読む）