基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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励起された、および／またはイオン化された粒子をプラズマ内でプロセスガスから発
生するための装置が提供され、この装置は円筒状に形成され、内部でプラズマ帯域が発
生可能な内部空間（３）、同軸内側導体（１０）、同軸外側導体（１１）、プロセスガ
スが内部空間（３）へ供給可能な入口（１４）、プロセスガスが内部空間（３）から排
気可能な出口（１５）を有し、同軸内側導体（１０）が少なくとも部分的に曲がった形
状を有することを特徴とする。
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【課題】被処理基板上に形成された膜の特性に関して面間均一性を向上させる。
【解決手段】縦型ＣＶＤ装置は、処理室８内に処理ガスを供給する供給系４２、４４と、装置の動作を制御する制御部５とを含む。供給系４２、４４は、第１反応ガスを供給する第１反応ガスライン６０に接続された複数の第１供給孔５３と、第２反応ガスを供給する第２反応ガスライン６２に接続された複数の第２供給孔５３とを含む。第１供給孔５３のセット及び第２供給孔５３のセットの夫々は、積重ねられた被処理基板の全体に亘るように被処理基板Ｗのエッジの横で垂直方向に配列される。制御部５は、第１及び第２反応ガスを交互に供給するように供給系４２、４４を制御することにより、第１及び第２反応ガスに由来する薄膜を被処理基板Ｗ上に形成する。 （もっと読む）

本発明は、半導体処理チャンバのためのプロセスキットを提供する。処理チャンバは、内部処理領域を画成するチャンバ本体を含む真空処理チャンバである。処理領域は処理のための基板を受容し、また、プロセスキットの装置部分を支持する。プロセスキットは、処理チャンバの処理領域内に配置されるように構成されたポンピングライナ（４１０）と、ポンピングライナの外径に沿って配置されるように構成されたＣチャネルライナ（４２０）とを含んでいる。ポンピングライナとＣチャネルライナは、処理領域からの処理ガス又は洗浄ガスのパラシティックポンピングを阻止するように設計された新規なインターロッキング特徴部（４１４、４２４）を有する。本発明は、更に、記載されたキットのような改善されたプロセスキットを有する半導体処理チャンバを提供する。一配置においては、チャンバはタンデム処理チャンバである。 （もっと読む）

本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱処理する熱処理装置に関する。熱処理装置(230)は、各ウェーハ(242)の表面を横切る気体流の均一性を改善するための本発明による交差流れライナ(232)を含む。交差流れライナ(232)は、交差流れ注入システム(250)を収容するための長手方向出っ張り部分(232)を含む。交差流れライナ(232)は、それがウェーハキャリア(240)に対して共形であるようなパターン及び大きさにされ、その結果、交差流れライナ(232)とウェーハキャリア(240)との間の隙間を減少させ、ウェーハキャリア(240)とライナ内壁との間の隙間領域の渦及び淀みを減少又は消失させる。
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本発明は、キャリアに保持された基板又はウェーハを熱的に処理するための装置に関する。熱処理装置(230)は、気体を処理チャンバ(236)に選択可能に注入するための注入システム(250)を有する。注入システム(250)は、反応物及び他の気体の流れを各ウェーハ(242)の表面を横切るように差し向けるための複数の注入ポート又はオリフィス(252)が分配された１又は２以上の細長い注入管を含む。細長い注入管は、軸線の周りに３６０度回転可能である。
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【課題】 プロセスガスのシール用ガス放出板の目詰まりが生じ難く、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる常圧ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】 本装置は、ウエハに向けプロセスガスを吹き出すガスインジェクタと、ガスインジェクタから吹き出されたプロセスガスをシールするガスシール機構とを有するプロセスチャンバを備え、常圧下でウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する常圧ＣＶＤ装置である。本装置のガスシール機構６０のガス放出板６１に設けた多孔板の板厚Ｔを０．４mmにすることにより、多孔板に設けられたガス放出孔の開口径を大きくし、かつ開口ピッチを小さくして、目詰まりを防止している。これにより、プロセスガスの流れが安定し、面内均一性の良好なＣＶＤ膜をウエハ上に成膜できる。第１Ｎ₂ ガス供給管２６と第２Ｎ₂ ガス供給管４０とを止め金具７６により相互に連結、固定している。これにより、従来のようなＮ₂ ガスの漏れが生じない。 （もっと読む）