【課題】基板上にエピタキシャル層を成長させる際、新たな保護膜の形成や除去の工程を必要とすることなく、清浄で鏡面のオリエンテーションフラットを維持することを可能とする。
【解決手段】半導体エピタキシャルウェハは、劈開により形成されたオリエンテーションフラット２を有する基板１と、該基板１上に形成された半導体のエピタキシャル層とからなり、前記基板１のオリエンテーションフラット２の両端２ａが、前記基板内側へ所定距離入った領域まで被覆部材１５で覆い隠された状態で前記基板１上にエピタキシャル層が形成され、前記被覆部材１５を前記基板１から取り除いた状態で前記エピタキシャル層が形成されていない未成長部が前記オリエンテーションフラット２の両端２ａに存在する。 （もっと読む）

【課題】基板保持具交換装置による基板保持具搬送途中、或は基板保持具を受渡している途中に、基板保持具に地震等による外的衝撃が作用した場合等、基板保持具の転倒、破損を防止できる様にする。
【解決手段】基板処理室内で基板保持具１３を載置し、また、移動する載置部と、該載置された前記基板保持具１３の転倒を防止する第１の基板保持具転倒防止機構と、前記載置部より前記基板保持具１３を移動する基板保持具移動機構１４と、該基板保持具移動機構１４の前記基板保持具１３の転倒を防止する第２の基板保持具転倒防止機構と、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の係合離脱を制御する転倒防止制御部とを具備し、該転倒防止制御部は、前記基板保持具が前記載置部と前記基板保持具移動機構との間で授受が為される間中、前記第１、第２の基板保持具転倒防止機構の内少なくとも一方が前記基板保持具と係合し、該基板保持具の転倒を防止する様制御する。 （もっと読む）