連続的堆積処理でＳｉ膜を成膜する方法が供される。当該方法は、処理チャンバ内に基板を供する工程、前記基板を塩素化されたシランガスに曝露することによって塩素化されたＳｉ膜を成膜する工程、及び前記塩素化されたＳｉ膜をドライエッチングすることによって前記Ｓｉ膜の塩素含有量を減少させる工程、を有する。Ｓｉ膜は基板上に、選択的又は非選択的に堆積されて良い。堆積は自己制限的であっても良いし、非自己制限的であっても良い。他の実施例は、連続的堆積処理でＳｉＧｅ膜を成膜する方法を供する。
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