【課題】
高い誘電率のチタン酸化膜を低温で形成する。
【解決手段】
ウエハ１４上に下電極１５５を形成するステップ（Ｓ１００）と、下電極１５５界面にＡｌＯｘ膜１６０を形成するステップ（Ｓ２００）と、ＡｌＯｘ膜１６０上にＨｆＡｌＯｘ膜１６５を形成するステップ（Ｓ３００）と、ＨｆＡｌＯｘ膜１６５が形成されたウエハ１４をアニーリング（熱処理）するステップ（Ｓ４００）と、アニーリングされたＨｆＡｌＯｘ膜１６５上にＴｉＯ_２膜１７０を形成するステップ（Ｓ５００）と、ＴｉＯ_２膜１７０が形成されたウエハ１４をアニーリングするステップ（Ｓ６００）と、を行いキャパシタ絶縁膜を形成し、このキャパシタ絶縁膜の上に上電極１７５を形成する（Ｓ７００）。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥をより抑制することが可能なＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法によりエピタキシャル膜２を成長させると、成長させるエピタキシャル膜２の不純物濃度に応じて貫通転位３の成長方向を一定方向に規定できる。例えば、ＳｉＣ基板１内に含まれていた貫通転位３は、エピタキシャル膜２内においてｃ軸に対する角度θが（１１−２２）面もしくは（１１−２２）面に対して±３°の範囲内、例えば［１１−２３］方向に平行もしくは［１１−２３］方向に対して±３°の範囲内の方向に向く。このため、この現象を利用し、エピタキシャル膜２の側面から貫通転位３を排出させることにより、エピタキシャル膜２の成長表面から貫通転位３をほぼ無くすことが可能となる。そして、このようなエピタキシャル膜２を種結晶として昇華法によりＳｉＣ単結晶４をバルク成長させれば、結晶欠陥をより抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シワが発生していない状態の可撓性基板の表面に薄膜を良好な品質で成膜することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置１００は、可撓性基板２０に圧接される第二電極部材１２０の前面１２１は、長手方向と直交する断面形状が、中央ほど突出した円弧状の凸曲面に形成されている。このため、所定の張力が作用した状態で第二電極部材１２０に圧接される可撓性基板２０に長手方向と直交する方向にも張力が作用することになり、この方向にシワが発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】大口径にすることも可能な単結晶を基板として使用する、ＧａＮ層を含む積層基板及びその製造方法並びに基板を用いたデバイスを提供する。
【解決手段】（１１１）シリコン基板３上に化学気相堆積法によりゲルマニウム層７をヘテロエピタキシャル成長させるゲルマニウム成長工程、得られたシリコン基板３上のゲルマニウム層７を７００〜９００℃の温度範囲内で熱処理を行う熱処理工程、及び、引き続いてゲルマニウム層７上にＧａＮ層９をヘテロエピタキシャル成長させるＧａＮ成長工程、を含むＧａＮ層含有積層基板１の製造方法、及びこの製造方法により得られるＧａＮ層含有積層基板１、並びに基板１を用いて製造されたデバイス。 （もっと読む）

【課題】連結強度が高く、対象となる物体同士を短時間で連結することが可能であり、連結部分の省スペース化を図ることが可能な連結機構及び基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１ブラケット４と第２ブラケット５との間を連結する連結部材が、第１ブラケット４に設けられた凸部４ａと、第２ブラケット５に設けられた凸部５とに係合するように設けられているので、各凸部４ａ及び５ａを介して第１ブラケット４と第２ブラケット５とを高い連結強度で連結することができる。また、凸部４ａ及び５ａに連結部材を係合させることで第１ブラケット４と第２ブラケット５とを連結させることができるので、短時間で連結することが可能となる。さらに、連結部材が各凸部４ａ及び５ａに係合するだけのスペースがあれば済むため、連結部分の省スペース化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化しても、成膜チャンバと移動用チャンバの密着性を容易に確保することができる半導体製造装置及び半導体製造方法を提供することである。
【解決手段】密閉及び開放することができる第一開口部１６を有する少なくとも一つの第一チャンバ１５と、前記第一開口部１６と対向する第二開口部３５を有する移動可能な少なくとも一つの第二チャンバ３５とを備えており、前記第一開口部１６と第二開口部３５とが気密を保ち連結されて第二チャンバ５側から第一チャンバ１５側へ半導体素材を移動させ、第一チャンバ１５内で半導体が製造される半導体製造装置において、第一開口部１６と第二開口部３５の間に自己膨張型シール部材４１を設けた。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｃ面サファイア単結晶基板の主面上に金属Ａｌ膜を蒸着させたＡｌ膜付きサファイア基板を、Ａｌに対する窒化能（窒化作用）を有する窒素元素含有ガス雰囲気の下で、少なくとも１４００℃以上に、好ましくは１５００℃以上に加熱する。これにより、サファイア基板の主面上に、表面平坦性の良好なＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。さらに、上記の窒化処理を酸化物結晶の存在下で行うと、より表面平坦性の優れたＣ面ＡｌＮ単結晶膜を反応生成させることができる。 （もっと読む）

反応性および不活性ガスの連続および交互の流れが、処理槽の周囲に位置する複数の複合ノズルから同軸状に取り付けられた回転する円筒形のサセプターへ向く、広範囲で高速の原子層化学蒸着処理のための装置および方法に関する。フレキシブル基板が同軸状のサセプター上に取り付けられる。一実施例において、処理反応装置は、円筒形のサセプターの回転軸に対し実質的に垂直に設けられた４つの複合インジェクターを有する。他の実施例において、サセプターの断面は、小表面上に取り付けられた複数の基板を有する多角形である。処理反応装置は、高速化学蒸着処理モードと同様の単一の原子層の精度で、多層のフレキシブルなまたは平面の基板を処理する働きをすることができる。本発明の原子層化学気相処理は、また、注入された反応性の化学的前駆体の未使用部分を下流で捕捉することを規定する。 （もっと読む）

【課題】 一つの半導体素子製造装置で様々な工程を連続的に進行することができ、少量のウェーハに対して効率的に工程を進行することのできる半導体素子製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも二つの工程チャンバーを備えたチャンバーゾーンと、前記チャンバーゾーンと隣接して配置され、チャンバー内で加熱されたウェーハを冷却させ、前記チャンバーゾーンで工程が完了した基板をバッファリングするための冷却ゾーンと、ウェーハボートにウェーハを搭載したり、取り出すためのローディングゾーンと、前記ウェーハボートを前記チャンバーゾーン、冷却ゾーン、及びローディングゾーンに運搬するための移送手段と、前記チャンバーゾーン、冷却ゾーン及び移送手段の動作を制御するための制御部とを含んで構成されることを特徴とする。 （もっと読む）