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Fターム[5F046MA02]の内容

半導体の露光(電子、イオン線露光を除く) (57,085) | レジスト膜の剥離 (1,727) | 湿式剥離 (1,360) | 剥離液、剥離剤 (422)

Fターム[5F046MA02]に分類される特許

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特定のアミン及び/又は四級アンモニウム化合物、ヒドロキシルアミン、腐食防止剤、有機希釈剤、及び、必要に応じて水を含んでいる組成物であって、フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及び残渣、並びに基板由来のエッチング残渣を除去することができる組成物である。 (もっと読む)


本発明は、有機溶剤としてベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなるレジスト組成物を提供するものである。本発明は、レジストを除去するための、ベンジルアルコールまたはその誘導体を含んでなる有機溶剤も提供する。本発明のレジスト組成物は、UV光で照射することにより、照射部分と非照射部分との間の溶解度の差を利用する、微小パターンを形成するためのリソグラフィー法に使用し、薄膜を塗布した時の被膜厚の均質性を大幅に改良する。さらに、本発明の有機溶剤は、微小回路形成工程の際に感光性材料と接触するデバイスを、デバイスから感光性材料を除去することにより、洗浄するのに使用することができる。本有機溶剤は、感光性材料が塗布されている基材の好ましくない部分上に残留する感光性材料を除去することもできる。 (もっと読む)


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