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Fターム[5F047BA45]の内容

ダイボンディング (10,903) | 接合材 (3,801) | 低融点ガラス (3)

Fターム[5F047BA45]に分類される特許

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【課題】回路上に半導体素子等の電子部品をはんだ接合する際において、回路上に塗布して焼成することで、表面が平滑なはんだ下地層を形成することが可能なはんだ下地層形成用ペーストを提供する。
【解決手段】回路上に電子部品をはんだ接合する際に用いられるはんだ下地層形成用ペーストであって、少なくとも、金属粉末と、樹脂と、を含み、ずり速度10s−1でせん断を1分間加えた後に、応力を印加しない状態で歪量を測定した場合に、せん断を解放した時点での歪量を0として、せん断を解放してから2分経過後の歪量が−40%以下となることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】接合部分の導電性に優れ、かつ、高温耐性にも優れた電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス転移温度と結晶化温度を有し、かつアモルファス組織を有する合金31を半導体チップ11と配線層14との間に配置して、これらを加圧しつつ、合金31をガラス転移温度から結晶化温度までの間の温度に加熱して半導体チップ11と配線層14接合する。その後これらを接合したものをさらに結晶化温度以上に加熱することで合金31を結晶化させる。 (もっと読む)


【課題】製造プロセス時にはウエハの補強効果を発揮し、ハンドリング性に優れ、実装プロセスでは安定な実装特性を示し、なおかつ実使用時には高信頼性を示すチップからなる半導体装置を提供する。
【解決手段】片面に機能素子が形成された半導体ウエハの片面に、p−フェニレンジアミン成分が70モル%以上のジアミン類と、ピロメリット酸が70モル%以上のテトラカルボン酸類とを反応させて得られるポリイミドからなる、引張弾性率が7GPa以上、線膨張係数が8ppm以下であるポリイミドフィルムが接着剤層を介してラミネートされている半導体装置。 (もっと読む)


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