【課題】半導体素子の汚染と反りを抑制可能な圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板４と、半導体基板４の表面側に積層された第１エミッタ電極層５１及び第２エミッタ電極層５２と、半導体基板４の裏面側に積層された第１コレクタ電極層６１及び第２コレクタ電極層６２と、を有する半導体素子２を、一対の電極板３，３で加圧保持してなる圧接型半導体装置１であって、第１エミッタ電極層５１及び第２エミッタ電極層５２は、所定のパターン形状にそれぞれ形成され、第１コレクタ電極層６１は、半導体基板４の裏面全体を被覆し、第２コレクタ電極層６２の外周端部６２ａは、一対の電極板３，３による加圧方向Ｔに投影視して第２エミッタ電極層５２の外周端部５２ａと略一致している。 （もっと読む）

【課題】圧接による電極板の塑性変形を防止することが可能な圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】圧接型半導体装置１は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された複数列のゲート配線１５と、ゲート配線１５の側面及び上面を覆うように形成された複数の絶縁部１７と、絶縁部１７によって覆われたゲート配線１５同士の間を埋めるとともに絶縁部１７の上面を覆うように形成されており、平坦な表面を呈するエミッタ電極１６と、エミッタ電極１７に圧接された上部電極板２１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の傾きや位置を、簡易かつ安価に制御することができるパワーモジュールを提供する。
【解決手段】本発明に係るパワーモジュールでは、半導体素子２０の表面電極２５と第２電極パッド５ａとの間に表面側半田層４５が形成され、半導体素子２０の裏面電極２３と第１電極パッド３ａとの間に裏面側半田層４３が形成されている。第１および第２電極パッド３ａ、５ａは、対応する裏面または表面電極２３、２５と実質的に同一の形状を有する部分と、該部分の四隅に相当する位置から半導体素子２０の対角線に沿って外向きに距離Ｄ_１だけ突出した４つの突出部分とからなっている。 （もっと読む）

【課題】絶縁破壊電界強度が高く、逆回復電流が回路に流れない半導体モジュールを提供する。
【解決手段】半導体モジュール２０は、スイッチング素子２３と、スイッチング素子２３と逆並列に接続された還流ダイオード１０とを備える。還流ダイオード１０は、炭化珪素を主材料として形成されたｎ型半導体層４，６と、ｎ型半導体層４の一方の面の表層部に形成されたｐ型半導体層５と、ｎ型半導体層４の一方の面およびｐ型半導体層５に接合されたアノード電極１，３と、ｎ型半導体層６の他方の面に接合されたカソード電極７とを有する。 （もっと読む）

【課題】優れた放熱性と電気的信頼性を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１ａは、表裏両面に金属板６，７，１０，１１を備え一方の金属板６，１０を主電極とし、主電極に接続されたリード電極８，１２を備える一対の絶縁基板３，４と、絶縁基板３，４の金属板６，１０の間に挟持されて、主電極に圧接されている半導体素子２と、絶縁基板３，４と半導体素子２とリード電極８，１２とを封止する樹脂層１３とを備える。絶縁基板３上の主電極は、半導体素子２のアノード（またはエミッタ）電極２ａに対する接続部として周囲の部分６ｂから隆起している隆起部６ａを備える。主電極は、隆起部６ａの周囲に溝部を備えるものでもよい。樹脂層１３は、ポリフェニレンサルファイド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂から選択される１種の樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】積層構造を採用するパッケージにおいてパッケージの上下面からの放熱を効率良く行うことを課題とする。
【解決手段】第１の導体基板と第２の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させて第１の並列接続回路を構成し、第２の導体基板と第３の導体基板との間にパワー半導体スイッチ素子の主電極ならびにダイオードの電極をそれぞれ接触させて第２の並列接続回路を構成し、第１の並列接続回路と第２の並列接続回路とを、前記第２の導体基板を介して直列接続して樹脂封止し、封止樹脂の収縮圧力により、パワー半導体スイッチ素子ならびにダイオードと各導体基板間を接続する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性が良好で、かつ、コンパクトな半導体パッケージを提供すること。
【解決手段】対向する２つの主面に、それぞれ、カソード電極２およびアノード電極３を有する半導体チップ１と、カソード電極２およびアノード電極３に、それぞれ、接続するカソード配線１２およびアノード配線１３と、カソード配線１２およびアノード配線１３に、それぞれ、絶縁膜４２および４３を介して、接続する外殻３２および３３と、カソード配線１２およびアノード配線１３のそれぞれに個別に外部接続用端子２２および２３とを有することを特徴とする半導体パッケージを構成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの表裏面における面圧分布が不均一になりにくい圧接型半導体装置を提供する。
【解決手段】 上熱緩衝板３が第１圧接電極７と当接する面３ａは、凹状の曲面であり、第１圧接電極７が上熱緩衝板３を押圧する突起７ａの先端７ｂは、面３ａと相補形状に形成された凸状の曲面であるので、両者はその凹凸曲面で嵌合した状態となる。面３ａの曲率半径と、先端７ｂの曲率半径とは略等しい。これにより、第１圧接電極７の加工精度などに起因して、第１圧接電極７が上熱緩衝板３に対して傾いて当接しても、面３ａと先端７ｂとの接触状態の変化が少ない。 （もっと読む）