Fターム［5F048BB12］の内容
ＭＯＳＩＣ、バイポーラ・ＭＯＳＩＣ (97,815) | ゲート (19,021) | 多層（２層）ゲート (2,461)
Fターム［5F048BB12］の下位に属するFターム
３層以上 (480)
Fターム［5F048BB12］に分類される特許
1,981 - 1,981 / 1,981
半導体装置とその製造方法
【課題】 高耐圧ＭＯＳトランジスタの微細化を図る。
【解決手段】 Ｐ型ウエル３上にゲート酸化膜９を介して形成されたゲート電極２７Ｆと、前記ゲート電極２７Ｆから離間されて形成される高濃度のＮ型ソース・ドレイン層１５と、前記ソース・ドレイン層１５を取り囲むように形成され、前記ゲート電極２７Ｆ下方に形成されたＰ型ボディ層１８で分断された低濃度のＮ型のソース・ドレイン層１０とを具備したことを特徴とする。
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1,981 - 1,981 / 1,981
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