【課題】深いトレンチの側壁に形成された光検出器ダイオードを有し、収集器分離をもたらし、その結果、プロセス簡略化をもたらすＣＭＯＳイメージ・センサを提供する。
【解決手段】表面を有する半導体基板と、基板に形成された、基板表面を含んだ物理的境界から完全に分離された非横方向配置電荷収集領域を有する光電素子と、をピクセル・センサ・セルは有する。光電素子は、第１導電型材料の基板に形成された、側壁を有するトレンチと、その側壁の少なくとも１つに隣接して形成された、第２導電型材料の第１のドープ層と、第１のドープ層と前記少なくとも１つのトレンチ側壁との間に形成され、さらに基板の表面に形成された、第１導電型材料の第２のドープ層と、を備え、第２のドープ層は、第１のドープ層を前記少なくとも１つのトレンチ側壁および基板表面から分離している。 （もっと読む）

電子容量を増大させるダブルピンフォトダイオードであるピンフォトダイオードとその形成方法を示す。本発明は基板ベースを備えるピンフォトダイオード構造を提供するものであり、基板ベースの上には半導体材料の第１の層が存在する。第１の伝導型のベース層が存在し、この第１の伝導型のベース層は基板ベースであるか、あるいは基板ベース上のドープ層である。前記第１の層の表面の下には第２の伝導型のドープ領域が少なくとも１つあり、ベース層と第１の接合を形成するように延在する。第２の伝導型の少なくとも１つの領域上には第１の伝導型のドープ表面層が存在し、これが第２の伝導型の前記少なくとも１つの領域と第２の接合を形成する。
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