本発明は、ケイ素半導体デバイスおよび光起電力電池用導電性ペーストに有用なガラス組成物に関する。厚膜導体組成物は、１以上の電気機能性粉末と、有機媒体に分散された１以上のガラスフリットとを含む。厚膜組成物はまた１以上の添加剤を有していてもよい。例示の添加剤としては、金属、金属酸化物または焼成中、これらの金属酸化物を生成することのできる任意の化合物を挙げることができる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサにおいて、より高い感度を得る。
【解決手段】ＺｎＯがＮｉＯに固溶してなる酸化物半導体からなる、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２と、その一方主面の一部を覆うように形成されるものであって、ＺｎＯを含む酸化物半導体からなる、ＺｎＯ層４とを含む積層体５を備え、さらに、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２に電気的に接続される、第１の端子電極７と、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２およびＺｎＯ層４の双方に電気的に接続される、第２の端子電極８と、第１の端子電極７に電気的に接続されながら、（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層２内に形成される、内部電極９とを備える。積層体５には段差１１が形成され、上記接合部６は、段差１１を生じさせる立ち上がり面１２上に露出している。立ち上がり面１２は傾斜していることが好ましい。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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本発明の実施形態は、太陽電池装置で使用されるシリコン半導体装置と伝導性厚膜組成物とに関する。
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【課題】光電変換素子を配線基板等に実装するときに、その固着強度を向上させ、接触不良や剥離等の問題を解決することを課題とする。
【解決手段】第１の基板上に、光電変換層と、光電変換層の出力電流を増幅する、少なくとも２つの薄膜トランジスタからなる増幅回路と、前記光電変換層及び前記増幅回路に電気的に接続され、高電位電源を与える第１の電極及び低電位電源を与える第２の電極と、前記第１の基板の最上層に、導電材料と合金を形成する固着層とを有し、第２の基板上に、第３の電極と第４の電極と、前記第１の電極と前記第３の電極、並びに、前記第２の電極と前記第４の電極を固着する前記導電材料とを有する半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】基板のカールを抑制し、信頼性の高い光電変換装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板を送り出すローラを有する第１の搬送室と、放電電極を有する成膜室と、前記搬送室と前記成膜室との間、もしくは前記成膜室どうしの間に設置されたバッファ室と、前記バッファ室の前記基板が出入りする部分に設けられたスリットと、前記基板を巻き取るローラを有する第２の搬送室と有し、前記スリットには少なくとも１つのタッチロールが設置されており、前記タッチローラは前記基板の成膜面に接触する成膜装置、及びこのような成膜装置を用いて行う成膜方法並びに光電変換装置の作製方法に関する。このような成膜方法を用いると、素子の受光領域に傷を付けるのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制した光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板上に、第１の電極と、前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体層とを有する光電変換層と、前記第１の半導体層は、前記第１の電極の端部を覆っており、前記第３の半導体層上に、絶縁膜と、前記絶縁膜上に、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体層に電気的に接続する第２の電極とを有し、前記光電変換層の、前記絶縁膜に覆われていない領域は、前記第２の半導体層の一部及び第３の半導体層の一部が除去されている光電変換装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】静電破壊を抑制できる構造を有する光センサを作製することを課題とする。
【解決手段】従来、受光領域全体に透明電極を形成してきたが、本発明においては、これを形成せず、光電変換層のｐ型半導体層及びｎ型半導体層を電極として用いる。これにより本発明の光センサは、抵抗が高くなり静電破壊が抑制できる。また電極となるｐ型半導体層とｎ型半導体層の位置を離すことによっても、抵抗が高くなるので耐圧を向上させることができる。 （もっと読む）