【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【課題】開放電圧を増加させることで発電効率を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００であって、前記ｎ層４３が結晶質シリコンを主とし、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、前記ｎ層４３の結晶化率が０より大きく３未満である窒素含有層とされる。及び、基板１上に、ｐ層４１と、ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記ｎ層４３として、窒素原子を１％以上２０％以下の原子濃度で含有し、かつ、結晶化率が０以上３未満である窒素含有層を、原料ガスに窒素ガスを用い、３０ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の高周波周波数で、高周波プラズマＣＶＤ法によって形成する。 （もっと読む）

【課題】低コスト化と光電変換効率向上とを両立可能な太陽電池とその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＨＩＴ型太陽電池層と色素増感型太陽電池層とを積層して構成された太陽電池の製造方法であって、シリコン基板(1)の一面上に、第１の液体材料を塗布し、焼成することによって真性アモルファスシリコン層(3)を形成し、真性アモルファスシリコン層の上側に、第２の液体材料を塗布し、焼成することによって不純物アモルファスシリコン層(4)を形成し、不純物アモルファスシリコン層の上側に、第３の液体材料を塗布し、焼成することによって触媒層(6)を形成し、一面に半導体電極(12)及び色素層(13)を有する透明基板(10)を、当該一面側をシリコン基板の一面側と対向させて配置し、透明基板とシリコン基板との隙間に電解質層(15)を形成する、太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の製造プロセスを簡素化し、製造コストを削減すること。
【解決手段】基板(10)上に、ｐ型アモルファスシリコン層(13)、ｉ型アモルファスシリコン層(14)及びｎ型アモルファスシリコン層(15)を有する第１の太陽電池層を形成し、次いでその上面に、ｐ型微結晶シリコン層(16)、ｉ型微結晶シリコン層(17)及びｎ型微結晶シリコン層(18)を有する第２の太陽電池層と形成することを含み、前記ｐ型アモルファスシリコン層、前記ｉ型アモルファスシリコン層、前記ｎ型アモルファスシリコン層、前記ｐ型微結晶シリコン層、前記ｉ型微結晶シリコン層及び前記ｎ型微結晶シリコン層のうち少なくとも１つの層は、シリコン原子を含有する液体を塗布するとともに当該塗布された液体を焼成することによって形成される、太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、非晶質シリコン及びナノ結晶質シリコンの複合薄膜を利用した太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、液体シリコン前駆体に結晶質シリコンナノ粒子を分散し、基板１０３上に塗布又は印刷した後、熱処理して液体シリコン前駆体を非晶質シリコン１０４に変形させて形成する。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置における積層構造のうちの任意の半導体層の厚さを、従来の製法と比べて厚くできる光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】光電変換装置の製造方法が、光透過性を有する基板上に導電層を形成する工程Ａと、前記導電層の一部を露出する開口部と、前記開口部の周囲を囲むバンク部と、を有するバンクパターンを前記導電層上に設ける工程Ｂと、前記開口部内で前記基板が部分的に露出されるように、前記一部を取り除く工程Ｃと、光透過性を有する電極と前記バンクパターン下で残った前記導電層とが互いに接するように、露出された前記基板上に前記電極を設ける工程Ｄと、前記工程Ｄの後で、複数の半導体層を前記開口部内で前記バンクパターンの厚さの方向に沿って積層する工程Ｅと、を包含している。ここで、工程Ｅでは、前記複数の半導体層の少なくとも一つが、液状体プロセスを利用して形成される。 （もっと読む）

【課題】 高精細な文字や絵を施した光電変換装置を得る。
【解決手段】 基板（１０）上に形成された第１の電極（１２）と、第１の電極（１２）に形成されたＰ型半導体層（１４）と、Ｐ型半導体層（１４）上に形成されたＩ型半導体層（１６）と、Ｉ型半導体層（１６）上に形成されたＮ型半導体層（１８）と、Ｎ型半導体層（１８）上に形成された第２の電極（２０）と、第２の電極（２０）上に、図形を形成するように配置された色素からなる色素層（２２）を含み、Ｉ型半導体層（１６）は、Ｐ型半導体層（１４）上に、離散的に配置された島状のシリコン膜から形成され、色素は、第２の電極（２０）上でＩ型半導体層（１６）と重複しない領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＰＩＮ構造の太陽電池で必要とされるミクロンオーダーのＩ型半導体層を、液体シリコン材料を用いて安価に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板（１０）上に、第１の電極（１２）と、Ｐ型またはＮ型の第１の半導体層（１４）と、Ｉ型の第２の半導体層（１６）と、Ｎ型またはＰ型の第３の半導体層（１８）と、第２の電極（２０）と、を形成する工程を含み、前記Ｉ型の第２の半導体層を形成する工程が、第１の半導体層上に、ケイ素化合物を含有する液滴を島状に配置してシリコン膜の前駆体膜（１６’）を形成する工程と、前駆体膜に加熱処理または光照射処理を行って、前駆体膜をシリコン膜（１６）に変換する工程と、を含む光電変換素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）