【課題】結晶シリコン系太陽電池において、光電変換層への光の取り込み量を多くすることで光電変換効率の向上をはかる。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板とｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、その上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極が、５００ｎｍの波長における屈折率が１．２〜１．６である炭素系薄膜と、その上に導電性酸化物層を含んで形成されており、且つ上記導電性酸化物層が炭素系薄膜に入り込んでいることを特徴とする結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】低温の原料ガスが原因となる膜質低下の問題を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、チャンバ内に設けられ、基板が載置されるとともに、載置された基板の温度を上昇させる基板ヒータ部を有するアノード電極と、アノード電極に対向する位置に配置され、チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給口が形成されたカソード電極を有するカソードユニットと、を備え、カソードユニットには、アノード電極側に流路制御板が設けられており、この流路制御板は、ガス供給口から吐出された原料ガスのアノード電極側への流れを抑える遮蔽部と、カソード電極側とアノード電極側とに連通して開口するガス流通孔とを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン太陽電池において、シリコン基板に対する透明電極層による応力の影響を低減し、生産性を高める。
【解決手段】一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、基板両面に１２００ｎｍ以上の透明電極層を備える結晶シリコン太陽電池の製造方法であって、前記の透明電極層が同時に製膜されることを特徴とする結晶シリコン太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め効果を得ることができる表面を備え、薄膜太陽電池の基材として用いたときに優れた光電変換効率を示す太陽電池を製造するのに有用な太陽電池用基材を提供する。
【解決手段】熱可塑性結晶性樹脂からなる基材フィルムおよびその少なくとも一方の面に設けられた不活性粒子を含有する塗布層からなる太陽電池用基材であって塗布層の中心面平均表面粗さＲａが１〜１５０ｎｍかつ該表面の局部山頂の平均間隔Ｓが１００〜２５００ｎｍであることを特徴とする太陽電池用基材。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】抵抗損失を低減することが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐ型炭素層及びｎ型炭素層、並びに、ｐ型炭素層とｎ型炭素層との間に配設されたｉ型炭素層を具備し、ｐ型炭素層とｉ型炭素層との間に配設された第１中間層、及び／又は、ｎ型炭素層とｉ型炭素層との間に配設された第２中間層を備え、第１中間層はｐ型不純物を含む炭素結晶層であり、第２中間層はｎ型不純物を含む炭素結晶層である、光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極において、集電極と半導体層に挟まれた実質的に光が当たらない箇所とそれ以外の箇所でキャリア濃度が異なり、さらに、実質的に光が当たらない箇所の方がそれ以外の箇所よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド電極に加えて、低コストでメンテナンスが容易な原料ガスの供給機構を用いることにより、基板への膜の均一性を向上させることが可能なプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤによる成膜方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、真空容器２内に原料ガスを供給して、プラズマＣＶＤ成膜法により基板１の表面に薄膜を形成するプラズマＣＶＤ装置において、真空容器２内には、原料ガスを供給するためのシャワーヘッド電極９が配設されているとともに、シャワーヘッド電極９に対して側面方向から原料ガスを供給するためのガス供給機構１４がさらに配設されている。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】セレン化水素の濃度が安定したセレン化水素混合ガスを連続的に供給することが可能な太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】不活性ガスの流量と１００％セレン化水素ガスの流量とを設定された流量にそれぞれ制御する第１ステップＳ１−１，Ｓ１−２と、不活性ガスと１００％セレン化水素ガスとを混合して、セレン化水素混合ガスを調製する第２ステップＳ２と、調整されたセレン化水素混合ガス中のセレン化水素濃度を測定する第３ステップＳ３と、セレン化水素濃度の設定値と測定値との誤差に基づいて、不活性ガスの設定された流量を修正する第４ステップＳ４と、を備え、第１乃至第４ステップを１以上繰り返すことを特徴とする太陽電池用セレン化水素混合ガスの供給方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】良好な耐プラズマ還元性を有するとともに、透明導電膜／光電変換層界面での反射損失を抑制することができる光電変換装置の製造方法、及び、電池特性が改善された光電変換装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、順に透明電極層２と、酸化チタンを主に含む酸化チタン層５１と、酸化亜鉛を主に含む酸化亜鉛層５２と、光電変換層３とを形成する光電変換装置１００の製造方法であって、入射光のスペクトルと光電変換層３の量子効率との積である重み関数を算出し、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光のスペクトルと、算出された重み関数とから、所定の膜厚の酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２を透過する光の平均透過率を算出し、算出された平均透過率と、酸化チタン層５１の還元防止効果を考慮した酸化亜鉛層５２の膜厚範囲に基づいて、形成する酸化チタン層５１及び酸化亜鉛層５２の膜厚を決定する。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を向上させる。
【解決手段】ｐ型層３０、ｉ型層３２、ｎ型層３４を積層した薄膜太陽電池の製造方法であって、ｉ型層３２はアモルファスシリコン層であり、ｎ型層３４は微結晶シリコン層であり、ｎ型層３４を形成する工程において、ｉ型層３２から離れるにしたがってｎ型ドーパントのドーピング濃度を高くする。 （もっと読む）

【課題】精密な位置決めができ、作成後の剥離がスムースで、かつ作成過程で剥離することのないデバイス作成用の積層体および積層体回路板を提供する。
【解決手段】ガラス板、セラミック板、シリコンウエハ、金属から選ばれた一種の無機層の一面と、透明なポリイミドフィルムの一面とが、接着剤層を介することなく貼り合わされた積層体であって、ポリイミドフィルムの貼り合わされた面が表面粗さ、P-V値で１５ｎｍ以下である積層体および積層体回路板。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。
【解決手段】
厚みが２００μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも１層に１〜２０ｎｍの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、ｐ型ドーパントが実質的に添加されていないシリコン層３０ｂと、シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に形成されたバッファ層３０ｃとを設ける。 （もっと読む）

【課題】発電効率を向上させた太陽電池を提供する。
【解決手段】ｐ型層３０と、ｉ型層３２と、ｎ型層３４とを備え、ｐ型層３０は高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａと、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａよりｐ型ドーパントのドーパント濃度が低い低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂと、低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂとｉ型層３２との間に形成されたバッファ層３０ｃとを設ける。ここで、バッファ層３０ｃの膜厚は、高濃度アモルファス炭化シリコン層３０ａ及び低濃度アモルファス炭化シリコン層３０ｂの膜厚よりも厚くする。 （もっと読む）

【課題】結晶性の良好な半導体膜を成膜する。
【解決手段】処理室１０と、処理室１０の内部に互いに対向するように配置された第１電極２１及び第２電極２５とを備え、第１電極２１の第２電極２５側にはガス導入口２３を内部に有する凹部２２が設けられ、凹部２２は、ガス導入口２３から導入された原料ガスのプラズマ状態における電子密度を高めるように構成されたホロー放電部２２ｈと、ホロー放電部２２ｈで解離させた原料ガスの反応を促進させて処理室１０の内部に供給するためのバッファ部２２ｂとを有している。 （もっと読む）

【課題】金属基板の上に金属不純物が拡散しない低温でシリコン結晶膜を作る方法がない。また、パッシベイション（保護）膜や透明電極膜の熱処理も基板を低温に維持したままで行う必要がある。
【解決手段】低温の支持台に保持した尖頭を有する錐を形成した金属基板の上に基板より相対的に高温のガスでシランを熱分解させることによりシリコン結晶層を成長させてｐｎ接合を作る。これにより、長い光路長を確保できる薄膜結晶の太陽電池を安価に製造する金属板が可能となる。シランとしてはモノシラン（ＳｉＨ_４）やジシラン（Ｓｉ_２Ｈ_６）、トリシラン（Ｓｉ_３Ｈ_８）を用いることができる。錐を形成する金属基板材料としてはアルミニュームやステンレスが可能である。金属基板の上に太陽電池を製造するための製造装置が提供できる。 （もっと読む）