【課題】大型のガラス基板を反らすことなく安価に高速に加熱することが課題である。特に、当該基板表面に薄膜を付着させて、それを高速で高温でアニールしても当該基板を反らせないことが課題である。
【解決手段】高温に加熱したガスのビームを大型ガラス基板に吹き付けながら、当該基板を移動させる方式で、基板表面に付着させた薄膜を高速アニールできる。このとき、当該ビームを当該基板の表面と裏面から吹き付け、当該ビームの温度とガス流量を調整することにより、当該基板の反りを減少させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】ロールから引き出す連続した基板に半導体の結晶膜を成長させるには、高気密の大気遮断機構が必要である。結晶を成長させるために、それを７００℃以上の高温で可能にさせる第１の課題がある。また半導体ｐｎ接合を切断すると切断面にそれが現れてリークパスとなる。切断してもｐｎ接合端面が切断面に現れない製造方法が第２の課題である。第１、第２の課題を同時に解決する必要がある
【解決手段】シリコン基板を使わないで金属基板の上に半導体膜を積層して、安価で堅牢な太陽電池を製作する。そのために、鉄板をリング状の突起で押さえて機密なＣＶＤ反応室を作り半導体シリコン膜を成長させる第１の発明をした。鉄板を切断するとき接合の端が外部に露出しないように接合を絶縁膜で分離して膜を積層する第２の発明をした。高温で塗布材料を印刷する本発明によれば、鉄板の上の結晶半導体の太陽電池の連続製造が可能である。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】
結晶膜のＣＶＤ装置において、成長させる基板数を多くしたい。特に有機金属原料から成長させるＧａＮなどのバンドギャップの大きい化合物半導体の結晶成長ＣＶＤ装置において、その要求が強い。
【解決手段】
中心に排気シリンダーを備えたサセプタを積層させ、当該サセプタに基板を載せて、加熱したサセプタの間にＣＶＤの原料ガスを通す。ガスの消費効率を向上させるとともに積層させたサセプタに枚数に比例して一度に成長させる基板の枚数が増える。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートの溝から基板に向けてライン状に吹き付ける。当該ガスは基板を支持しながら加熱する。吹き出し溝に挟まれて配置した排気溝から当該ガスは排気される。この構造は大気の進入を遮蔽し、またプレート内部からのガスが大気に放出されるのを遮蔽する。この遮蔽構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体で断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮蔽して熱処理または成膜処理を常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】大型の重たい基板を大気から遮断して加熱処理またはその上に膜を形成したい製造工程がある。そのためには、大型の真空装置を必要とし、基板の搬送移動は大掛かりになり、デバイス製造のコストを押し上げていた。
【解決手段】加熱した高温の加圧ガスを加熱したプレートから基板に向けて吹き付けて基板を支持しながら加熱する。基板とプレートの隙間を流れる当該ガスは大気進入を阻止する。この構造は１ｍを超える重たい基板であっても、それを１）浮上させて支持し、２）気体断熱し、３）ガスで加熱し、４）大気から遮断して熱処理または成膜処理を真空ではなく常圧で行うことを可能にし、製造コストを押し下げる。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を変形させないで短時間に均一に加熱したい製造工程がある。基板の大きさが特に１ｍ近くまたはそれ以上になると、基板全体を加熱することが困難になる。支持台に密着させた、または置いた基板に高温のガスのビームをライン状に吹き付け、支持台を相対的に移動させる加熱方法では基板表裏の温度差により、基板が反るまたは割れる課題があった。
【解決手段】基板を固定した支持台とガス吹き付け機構からのガスビームの間を通過させる。ビームを通過する領域で、裏面の温度を表面より低い温度に制御する。限られた当該領域で基板表裏の温度差を小さく抑えることにより、大型基板表面の短時間均一アニール処理が可能になった。 （もっと読む）

【課題】大型の基板を変形させないで短時間に均一に加熱したい製造工程がある。基板の大きさが特に１ｍ近くまたはそれ以上になると、基板全体を加熱することが困難になる。高温のガスのビームをライン状に基板に吹き付け、基板を相対的に移動させる加熱方法では基板表裏の温度差により、基板が反るまたは割れる課題があった。
【解決手段】基板の表面と裏面に高温のガスをライン状に吹き付けて表裏の温度差を小さく抑える。これにより、大型基板の短時間均一アニール処理が可能になった。 （もっと読む）

【課題】ガラスや樹脂の基板の上の半導体材料、特に光導電特性をもつポリシリコンやアモルファスシリコンの品質を人の目で管理している。製品の流れを止めずに、基板に針で接触することなく品質管理行うことが課題であった。
【解決手段】光が照射されると、光がキャリアーを生成して半導体薄膜には光導電層ができる。金属の筒を半導体薄膜の付いた基板に接触または近づけて空洞を作り、空洞に光を照射しながら高周波を放射すると光導電膜の特性に応じて高周波の電力透過率が変る。この変化を測定すると半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】動く基板を一定温度に維持したまま、基板上の膜を高温アニール等の熱処理をする、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに必要な高温のガスを短時間に短い流路で、作り出す流体加熱装置が必要であった。
【解決手段】ガスを多数の小さな流れに分割し、分割した流路を狭めて、流速を早めてビーム状にする。それを加熱された器壁に垂直に当たるように正面に器壁を配置する。再び一つに合流させたガス流をまた多数の小さな流れに分割し、再び器壁と熱交換させる。これを複数回繰り返す構造を加熱された板の二つ表面に作り、その両面に板を押し付けることにより、板の両面に流路を作ることで簡便に作製可能である。 （もっと読む）