説明

Fターム[5F053BB60]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 成長装置 (493) | その他の成長装置 (61)

Fターム[5F053BB60]に分類される特許

61 - 61 / 61


本発明は、半導体構成用の構造に関する。半導体を含む溶液の堆積を補助するレジスト構造は、直接、あるいは介在層を介して基板に結合される。このレジスト構造は、半導体を含む溶液(309)を堆積するくぼみ(301)と、くぼみ(309)の縁部の少なくとも一部に整列し、突出部(307)によってくぼみ(309)から分離した溝(305)とを備える。好ましくは、溝(305)は、くぼみ(309)を取り囲む。この溝により、半導体を含む溶液を固定する作用が得られ、それによって濡れ性が改善し、それにしたがって、より大きな体積の半導体を所与の区域に付着させることができる。
(もっと読む)


61 - 61 / 61