基板に接着させたＩＩＩ−Ｖ族アモルファス材料を形成する反応性蒸着方法であり、この方法は、基板に０．０１Ｐａと同程度の周囲圧力を印加する手順、及び基板の表面上にアモルファスＩＩＩ−Ｖ族材料層が形成されるまで、０．０５Ｐａと２．５Ｐａとの間の動作圧力で基板の表面に活性Ｖ族物質を導入し、且つ、ＩＩＩ族金属蒸気を導入する手順を備える。 （もっと読む）

【課題】大気中でも製造可能であり、製造が容易であり、かつ、高い結晶配向性を有する単結晶薄膜を形成することが可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体１上の薄膜材料を含む液状体２に側部界面３を形成し、かつ、側部界面３の位置を移動しつつ、液状体２から薄膜材料の結晶を基体１上に成長させる。側部界面３の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。 （もっと読む）

【課題】析出用基板を案内する移送用ガイド体と、析出用基板を保持する搬送手段との位置関係の調整を容易に、短時間で行うことができる基板保持装置およびこの基板保持装置を備える析出板製造装置を提供する。
【解決手段】中継用ガイド体５４は、鉛直方向Ｚおよび交差方向にそれぞれ位置調整可能である。この中継用ガイド体５４は、移送用ガイド体に接続可能に構成され、析出用基板を移送方向Ｘに案内する。搬送手段５５は、析出用基板を保持可能に構成され、移送される析出用基板を保持する保持位置、および析出用基板を融液２４に浸漬する浸漬位置の間を移動する。これら中継用ガイド体５４および搬送手段５５は、チャンバの収容空間２７を出入り自在に構成される移動体５６に搭載される。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜３で表面が覆われたｐ型シリコン微粒子１４が積層されてなるｐ型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたｎ型シリコン微粒子１５が積層されてなるｎ型シリコン微粒子層とが、透明電極１１と裏面電極１７との間に積層形成されており、ｐ型シリコン微粒子層とｎ型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１６の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法でドメイン境界のほとんどない大きなドメインの薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法、有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板の上の所望の領域に薄膜結晶を形成する薄膜結晶の製造方法において、所望の領域に接する第１の隔壁層を基板の上に形成する工程と、所望の領域に有機半導体材料を含む溶液を滴下する工程と、溶液を乾燥させる工程と、をこの順で行うことを特徴とする薄膜結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】フラックス法に基づいた結晶成長処理によって、バルク状の高品質な半導体結晶を容易に低コストで生産すること。
【解決手段】フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ₂ ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。この時、テンプレート１０の裏面は、サファイア基板１１のＲ面であるので、テンプレート１０は混合フラックスの中で裏面から溶解または腐食し易い。このため、テンプレート１０は、裏面側から徐々に溶解または腐食しつつ、徐々に分離又は消失されていく。ＧａＮ単結晶２０が例えば約５００μｍ以上の十分な膜厚にまで成長したら、引き続き坩堝の温度を８５０℃以上８８０℃以下に維持して、サファイア基板１１を混合フラックス中にて全て溶解させる。 （もっと読む）

【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶６の製造方法は、坩堝１の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝１のノズル１ａに３次元運動を行わせる工程と、ノズル１ａから融液を液滴４として排出する工程と、液滴４を落下させる工程と、液滴４を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】簡便な製法が可能で、かつ低コスト化が可能な有機TFTからなるアクディブ基板の製造方法と該方法で製造されたアクティブ基板および電気泳動型ディスプレイを提供すること。
【解決手段】アクティブ基板上に表示素子を積層するに当たり、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース・ドレイン電極、活性層から構成される有機薄膜トランジスタを作成し、その上に、層間絶縁膜６を介し画素電極（個別電極８）を配置した構造を形成する。本発明では、層間絶縁膜６をポリビニルブチラール樹脂などの樹脂を少なくともブトキシエタノールを含む溶剤を用いて溶解したインク（ペースト）を用い、スクリーン印刷法によって形成したことを特徴とする。これにより、コンタクトホール開孔処理なしに、層間絶縁膜６を形成することが可能になった。 （もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止できる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２７によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン４８を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体２５が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられるバケット２７が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容する。バケットに受容された落下物は、落下物移動手段２８によって、バケット内で収容容積が大きい方へ移動され、また必要に応じて落下物再投入手段２９によって溶解炉内へ投入される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノワイヤを用いて、薄膜トランジスタ基板の収率を向上することのできる薄膜トランジスタ基板の製造方法及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板と、液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法及び液晶表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタ基板を製造方法は、基板上にゲート電極を形成する段階と、薄膜トランジスタの活性領域が形成される領域に対応する領域に溝を有するゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に形成する段階と、ナノワイヤを用いて前記ゲート絶縁膜の溝に薄膜トランジスタの活性層を形成する段階と、前記活性層上にソース電極とドレイン電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 量産性や低コスト性に優れた高品質な粒状結晶を製造することができる粒状結晶の製造装置を提供するとともに、それによって製造された粒状シリコン結晶を用いて作製された、変換効率特性に優れた光電変換装置を提供する。
【解決手段】 坩堝２のノズル部５から結晶材料の融液４を粒状に排出して落下させる粒状結晶の製造装置において、ノズル部５から結晶材料の融液４を粒状に排出する融液保持部１と、その上部に位置し、結晶材料12を溶融して融液保持部１に融液４を供給する融液供給部10とを有する粒状結晶の製造装置である。粒状結晶の生産効率を高め、低コストな光電変換装置用の粒状シリコン結晶を提供することができる。また、その粒状結晶の製造装置を用いて製造された粒状シリコン結晶を用いて、光電変換装置を作製することにより、高効率で低コストの光電変換装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタ特性、保存性に優れ、溶液製造プロセス適性のある有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子を提供することである。
【解決手段】 下記一般式（１）または一般式（２）で表される化合物を含有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】


（式中、Ａ¹及びＡ²はベンゼン環を３個以上含む縮合多環芳香族化合物を表し、Ｂ¹及びＢ²は溶解性ユニットを表し、Ｘ¹及びＸ²は二価の連結基を表し、Ｒ₁及びＲ₂は水素または置換可能な基を表す。ｍ１及びｍ４は１〜２０の整数、ｍ２及びｍ５は０〜２０の整数、ｍ３及びｍ６は０〜１０の整数を表す。ｎ１はポリマー中の繰り返しモノマーセグメントの数または重合度を表し、ｎ２は正の整数を表す。） （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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