【課題】メルト析出物によるエピタキシャル層の表面欠陥の低減を図った発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】一方の面側に基板２を保持した基板ホルダー３上に、前記一方の面側に対向して原料溶液Ｌａ，Ｌｂを収納した原料ホルダー５を設け、基板ホルダー３をスライドして原料溶液Ｌａ，Ｌｂに基板２を接触させ、基板２上にエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウエハの製造方法において、基板ホルダー３の前記一方の面側であり基板ホルダー３に保持した基板２のスライド方向に、原料溶液Ｌａ，Ｌｂが降温中に基板ホルダー３との界面に析出した析出物を除去する析出物除去溝７ａ，７ｂを形成し、降温を開始した後、基板ホルダー３をスライドし、析出物除去溝７ａ，７ｂに析出物を落として除去した後、基板２上にエピタキシャル層を成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）