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Fターム[5F053PP05]の内容

半導体装置を構成する物質の液相成長 (5,002) | 前処理・後処理 (287) | 還元処理を行うもの (4)

Fターム[5F053PP05]に分類される特許

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【課題】オン/オフ比が高く、しかも構造も簡単な、半導体酸化グラフェンを用いた電界効果トランジスタを低コストかつ高い歩留まりで製造することができる電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に形成された絶縁膜12上にアミノ基を有する分子からなる分子層13を形成した後、この分子層13上に酸化グラフェン14を形成する。酸化グラフェン14を熱的または化学的に還元することにより半導体酸化グラフェン15を形成する。半導体酸化グラフェン15をチャネル層に用いて電界効果トランジスタを製造する。酸化グラフェン14を熱的に還元する際の雰囲気としては例えば大気を用いる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、薄膜材料となる微粒子を分散した液体を、被処理部材の表面に塗布して薄膜を製造する方法であって、均一な薄膜を製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】金属または半導体を含む薄膜の製造方法であって、溝(または凹部)4を有する被処理部材10の表面に、金属の微粒子、半導体の微粒子、金属の酸化物を含む微粒子、および半導体の酸化物を含む微粒子、のうちの少なくともいずれかを溶媒中に分散した液体8を塗布する塗布工程と、被処理部材10の表面に塗布した液体8の溶媒を揮発させる第1の熱処理工程と、マイクロ波を照射することにより、溶媒を揮発させた液体8に分散された微粒子を加熱し、液体8に含まれる微粒子または液体8に含まれる微粒子の成分で溝(または凹部)4を埋める第2の熱処理工程と、を備えたことを特徴とする薄膜の製造方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体特性に優れるGeナノ粒子を用いて、実用上十分な移動度を有する薄膜半導体を高い生産性で製造する方法を提供すること
【解決手段】基材上に、Geナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、該印刷層を焼成してパターン状の半導体層を形成する半導体基材の製造方法であって、該焼成が、還元性雰囲気下で600℃以上の加熱を施すことによるもの、あるいは該焼成に、水素ラジカルを発生するプロセスを用いる、ことを特徴とする半導体基材の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】半導体膜を形成するのに際して、光重合性を有する組成物の蒸発を抑制して、均一な膜厚の半導体膜を安定して形成することができ、また、蒸発した前記組成物によるフォトマスクやチャンバー内の汚染を防止し得る半導体膜の形成方法、半導体素子基板の製造方法、かかる方法により得られた半導体素子基板を備える電気光学装置、電子デバイスおよび半導体膜形成装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体膜の形成方法は、光透過性を有する基板10の一方の面側に半導体膜を形成する方法であり、基板10の一方の面側に、光重合性を有する組成物を含有する液状材料を供給して液状被膜20aを形成する工程と、液状被膜20aが形成された一方の面側を密閉容器43で蓋った状態で基板10の他方の面側から液状被膜20aに光40を照射し、前記組成物を重合させて重合体膜を得る工程と、重合体膜を加熱することにより半導体膜を得る工程とを有する。 (もっと読む)


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