【課題】基板ズレの解析を容易にする荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の荷電粒子ビーム描画装置の基板ズレ評価方法は、３軸加速度計を備える評価用基板を準備し、評価用基板を互いに直交する水平なＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置し、ステージを移動させる。そして、評価用基板に印加される加速度を３軸加速度計を用いて測定し、ステージのＸ方向の位置およびＹ方向の位置をレーザ干渉計を用いて測定し、位置の測定結果からステージに印加される加速度を算出する。さらに、評価用基板に印加される加速度とステージに印加される加速度を解析して、ステージと基板との相対位置のズレである基板ズレを評価する。 （もっと読む）

【課題】描画中の荷電粒子ビームの異常を監視して早期に発見するとともに、定量的な判断に基づいて描画を停止させることができる荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する
【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置の一つである電子ビーム描画装置１は、荷電粒子ビームである電子ビーム６を照射する電子銃３と、成形アパーチャとを有し、電子銃３と成形アパーチャとの間には、電子ビーム６の照射を受けて流入する電流を検出するとともに、開口部分から電子ビーム６の一部を通過させるよう構成された検出器７を有する。電子ビーム描画装置１では、成形アパーチャで成形された電子ビーム６を照射して試料上に電子ビーム描画をするとともに、検出器で検出される電流量の変化に基づいて、電子ビーム６の異常を感知し、異常発生を判断して試料への電子ビーム描画を停止するようにする。 （もっと読む）

【課題】電子銃の異常放電を高い作業効率で効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】アノードとウェネルトの間に電圧を印加するとともに印加電圧を徐々に増加させ、これらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法であって、電子銃内の圧力を測定し、圧力の測定値の中の最小値を定めるとともに、測定値と最小値とを比較し、印加電圧を制御する。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電子銃内の圧力が所定値より低くなったところで行うことが好ましい。さらに、電子銃内の圧力の測定値と最小値とを比較し、印加電圧を所定時間維持するか、または、降圧したうえで所定時間維持することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】パルスの開始電圧を任意に設定することのできるパルス発生器およびパルス発生方法を提供する。
【解決手段】標準パルス発生器では、充電電源１１と、キャパシタ１２と、水銀リレー１３とが接続されている。キャパシタ１２は、それぞれ異なる周波数−インピーダンス特性を有する複数のキャパシタが並列接続されて構成される。水銀リレー１３は、オシロスコープ１４に接続される。パルスの出力部には抵抗Ｒ４を介して電源１５が接続している。電源１５は、出力電圧Ｖ２を任意に設定可能である。また、出力部には可変抵抗Ｒ５を有する。 （もっと読む）

【目的】主副２段の偏向器を用いて行なわれるパターン描画における副偏向領域での位置ずれ量を高精度に補正可能な描画装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、電子ビームを偏向して、試料上にパターンを描画する主副２段の主偏向器２０８と副偏向器２１０と、ステージ上のマーク上を電子ビームで走査して、主偏向領域内の各位置における複数の副偏向領域内の位置に生じる第１の位置誤差を測定するマークスキャン測定部５２と、電子ビームを用いて第１の位置誤差が補正された主偏向領域内の各位置における複数の副偏向領域内の位置に評価パターンを描画した評価基板から得られる副偏向領域内の位置に生じる第２の位置誤差を記憶する記憶装置１４４と、記憶装置１４４から第２の位置誤差を読み出し、第１の位置誤差に加算する加算部５５と、加算された第３の位置誤差で副偏向領域内の位置を補正する補正部６２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】ステージ上の基板位置を高精度かつ簡易に測定可能な荷電粒子ビーム描画装置の基板位置測定方法を提供する。
【構成】基板をＸ方向およびＹ方向に移動自在なステージに載置するステップと、ステージをＸ方向に移動すると同時に、ステージのＸ方向の位置を測定し、かつ、基板の上面に対し斜めにレーザ光を照射し基板からの反射光を光位置センサで受光するステップと、ステージのＸ方向の移動時の反射光の重心位置を算出するステップと、ステージをＹ方向に移動すると同時に、ステージのＹ方向の位置を測定し、かつ、基板の上面に対し斜めにレーザ光を照射し基板からの反射光を光位置センサで受光するステップと、ステージのＹ方向の移動時の反射光の重心位置を算出するステップと、ステージの位置測定結果と、算出された重心位置から、基板の位置を算出するステップと、を備える荷電粒子ビーム描画装置の基板位置検出方法。 （もっと読む）

【課題】試料に形成された段差を有する基準マークのエッジラフネスの影響を受けることなく、基準マークの位置を再現性良く検出することが可能な荷電粒子ビーム描画方法、荷電粒子ビーム描画用の基準マークの位置検出方法及び荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】ステージをＸＹ方向に動かして該ステージに載置された試料Ｍに形成された段差を有する基準マークＦＭ’に対して光てこ式の高さ測定器の投光光を走査し、その反射光の強度の変化を検出し、その反射光の強度が変化したときのステージのＸＹ位置を検出し、検出したＸＹ位置を基準マークＦＭ’の位置Ｃとして検出し、検出した基準マークＦＭ’の位置Ｃから試料Ｍに存在する位相欠陥Ｄの位置を特定し、特定した位相欠陥Ｄの位置との関係で描画位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定点数が多数存在し、ステージの累積移動距離が大きくなるような場合であっても、ステージ機構から生じる摩擦熱に依らず、測定のための視野合わせを高精度に行う荷電粒子ビーム装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、アライメントパターンの位置座標を検出することによって、アライメントを実行する制御装置を備えた荷電粒子ビーム装置において、温度センサを備え、前記制御装置は、試料上に形成されたアドレッシングパターンへの偏向器による偏向量、或いは試料上の複数の測定位置に対する測定回数が、所定値を越えた場合に、当該温度センサによる温度測定を実行し、当該温度測定に基づいて、前記アライメントを実行する制御温度を求める荷電粒子ビーム装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】
基板面が傾斜し、かつ高さ変位を有する場合であってもフォーカス制御を高精度に行いつつ描画を行うことが可能なビーム描画装置を提供する
【解決手段】
基板面の高さを測定する高さ測定器と、電子ビームの照射半径位置及び角度位置に基づいて基板面の傾斜角度を算出する基板角度算出器と、上記傾斜角度に基づいて基板面の高さ誤差を算出する高さ誤差算出器と、上記高さ測定器による高さ測定値から上記高さ誤差を減算して高さ調整値を算出する調整値算出器と、上記高さ調整値に応じて上記電子ビームのフォーカス調整をなすフォーカスコントローラと、を有する。
（もっと読む）

【課題】基板に照射される電子線の照射位置を補正することにより、精度よく基板にパターンを描画する。
【解決手段】回転テーブルの回転誤差を、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とに基づいて測定する。そして、第１の検出器からの検出信号と、第２の検出器からの検出信号とを用いた演算を行うことで、電子線の入射位置誤差を算出し、この算出結果に基づいて電子線の入射位置の補正を行う。これにより、電子線を所望の位置に精度よく入射させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子ビーム描画装置の描画方法及び電子ビーム描画装置に関し、描画面の高さ変化とそれに伴うフォーカス補正によるフィールド幅と回転のずれを補正する時、縮小率の設定に対して最適なフィールド幅の高さ補正係数を算出してフィールド幅に対する描画精度の低下を防止することを目的としている。
【解決手段】ファインピッチコントロール描画機能及び最小インクリメント可変描画機能を用いて試料にパターンを描画する場合において、描画面の高さ変化とそれに伴うフォーカス補正によるフィールド幅と回転のずれを補正する時に、縮小率の設定に対して最適なフィールド幅の高さ補正係数を算出する演算制御手段と、算出した高さ補正係数に基づいて試料に描画を行なう描画手段、とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】反射率の低いフォトマスクの高さ測定に関し、光位置検出器が有する暗電流による測定値のゆらぎを回避し、高精度の高さ測定が可能な電子線描画装置を提供することを課題とする。
【解決手段】光測定によるフォトマスク表面の高さ測定手段が、光位置検出器に入射する反射光量の読出し手段と、読み出された光量が、所定の光量になるように、高さ測定をするフォトマスクの種類に応じて、光源から照射される入射光量を自動制御する制御手段とを備え、前記読出し手段は、前記反射光量を所定の待機時間経過後に読出し、前記制御手段は、読み出した光量が前記所定の光量に到達していない場合は、前記読出し手段が、読み出し可能な光量値の範囲内でフィードバック制御する電子線描画装置を提供する。
（もっと読む）

【目的】ミラー曲がりの変形量を装置内で取得する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、Ｘ方向の反射ミラー３０との反射ミラー３２とが配置された、試料１０１を載置するＸＹステージ１０５と、同一方向からレーザを照射して、Ｘ方向についてＸＹステージ１０５の位置を測定するレーザ干渉計１０，１２と、同一方向からレーザを照射して、Ｙ方向についてＸＹステージ１０５の位置を測定するレーザ干渉計１４，１６と、レーザ干渉計１０，１２によって測定された測定値の差分値と、レーザ干渉計１４，１６によって測定された測定値の差分値とを用いて、反射ミラー３０，３２の曲がり変形量を演算する変形量演算部１４０と、曲がり変形量に基づいて補正された位置にパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、装置内でミラーの曲がり変形量を取得することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハに対して、マスクとの平行を調整した状態でビームを照射することができるビームの照射方法とビーム照射装置を提供する。
【解決方法】 ステンシルマスク８の半導体ウェーハ４４と対向して配置される面８ｂに、絶縁層６を介してキャパシタ電極２４を少なくとも３個形成し、各キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４との静電容量を、測定手段２８を用いて測定する。静電容量はキャパシタ電極２４の面積と、キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４の距離に依存し、キャパシタ電極２４の面積比が既知である場合、測定手段２８で測定した結果から、キャパシタ電極２４と半導体ウェーハ４４の少なくとも３箇所における距離の比を求めることができる。この距離の比を「１」にするように調整手段４０を用いて試料ステージ４２の傾きを調整することで、ステンシルマスク８と半導体ウェーハ４４を平行にすることができる。 （もっと読む）

【目的】描画装置の機能がダミーモードか実モードかを自動的に確認する手法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、コマンド「ｃｈｅｃｋ．ｓｈ」を入力する入力部１２４と、かかるコマンド「ｃｈｅｃｋ．ｓｈ」に基づいて、「ｃｈｅｃｋ．ｓｈ」プログラムを実行し、電子ビーム２００を用いた描画に使用する所定の機能の状態をチェックするチェック部１２６と、チェックされた所定の機能の状態をモニタ１９４に出力する出力部１２８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】高精度なビーム分解能を測定する方法、および方法を具現化する描画装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のビーム分解能測定方法は、マーク上を荷電粒子ビームで照射しながら走査する走査工程（Ｓ１０２）と、マークからの反射信号を計測する計測工程（Ｓ１０４）と、所定のマーク形状関数と誤差関数とを用いて定義された近似式を用いて反射信号に基づく波形をフィッティングして、ビーム分解能を測定するビーム分解能測定工程（Ｓ１０８）と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、高精度なビーム分解能を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】メモリが有限の小さな容量を有していても、効率的に欠陥の原因となる描画装置内のエラーを検出することのできる描画装置、及び描画装置のエラー検出方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置１は、描画データに基づいて電子ビーム光学系２００を制御するための制御データを発生させるデータ発生回路４３と、制御データを処理して出力するデータ処理回路４５とを備えている。データ処理回路４５は、入力された制御データを格納するためのメモリと、欠陥検査機で得られた欠陥データに基づき、欠陥の位置を含む周囲領域に関する制御データを選択的にメモリに格納させる制御部とを備えている。 （もっと読む）

【目的】ファラデーカップまでビームを到達させる手間を省き、より短時間にアライメントコイルによるビームの光軸調整を行なう方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のアライメントコイルによるビーム軸調整方法は、アライメントコイルを用いて荷電粒子ビームを走査して、アライメントコイルから見て荷電粒子ビーム進行方向の後段に位置するアパーチャの画像を取得する画像取得工程と、取得された画像の輝度に基づいて、輝度の重心位置を演算する重心位置演算工程と、かかる重心位置に荷電粒子ビームが照射されるように上述したアライメントコイルへ流す励磁電流を調整するアライメント工程と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、より短時間でビーム軸を調整することができる。 （もっと読む）

【課題】 荷電ビーム描画装置の正常性を維持することを可能にする荷電ビーム描画装置の描画回路自己診断方法および荷電ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】 試料上に荷電ビームを照射して所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置の描画回路自己診断方法であって、あらかじめ準備されたレイアウト情報と描画条件を描画回路に入力し、その結果、出力される描画回路の処理結果データを回収するステップと、回収した描画回路の処理結果データを正解データと比較し、描画回路の診断を行うステップを有することを特徴とする荷電ビーム描画装置の描画回路自己診断方法およびこの機能を有する荷電ビーム描画装置。 （もっと読む）

【目的】ＤＡ変換部の異常を検出可能な装置或いは方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の描画装置１００は、電子ビーム２００を静電偏向させる対物偏向器２０８と、電子ビーム２００を静電偏向させるためのデジタル信号を入力して第１のアナログ値に変換し、対物偏向器２０８に第１のアナログ値を増幅して第１の電圧値として出力するＤＡＣアンプユニット１６５と、上述したデジタル信号と同期してデジタル信号の正負を反転させた逆相信号を入力して第２のアナログ値に変換し、第２のアナログ値を増幅して第２の電圧値として出力するＤＡＣアンプユニット１６６と、第１の電圧値と第２の電圧値とを用いてＤＡＣアンプユニット１６５とＤＡＣアンプユニット１６６の少なくとも一方が異常であると判定する比較回路２７６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、異常発生時にＤＡＣアンプユニットの異常を検出することができる。 （もっと読む）