【課題】ステンシルマスクにおいて、少なくとも貫通パターンの表面における析出物の発生を予防し、経時的に安定してパターン転写を行うことができるようにする。
【解決手段】パターン形成層２、中間層３、および支持層４からなる基材と、パターン形成層２の厚さ方向に貫通して形成され、荷電粒子線が透過可能な貫通パターン５と、少なくとも貫通パターン５を含む前記基材の表面に形成された有機汚染防止膜１と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光方式で形成される転写パターンの、パターン精度を向上させることができるステンシルマスクを提供する。
【解決手段】本発明のステンシルマスクは、荷電粒子線を透過させるための開口部を有するシリコン支持基板層と、転写パターンとなる貫通口が形成されたシリコン単結晶からなるメンブレン層と、前記シリコン支持基板層と前記メンブレン層との間に形成された中間絶縁層から成り、前記貫通口は前記転写パターンの同一部分を、少なくとも２つ以上重複して有することを特徴とする部分一括露光用ステンシルマスクとしたものである。転写パターンの同一部分を、少なくとも２つ以上の貫通口からの転写により形成する事により、露光装置ならびにマスクの精度誤差を平均化し、高精度の転写パターンを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】機械強度および耐熱性と、優れた加工精度とを両立し、従来と大きく変わらない工程で製造可能なステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のステンシルパターン１は、厚さ方向に貫通するステンシルパターン１２を有するメンブレン層１０と、メンブレン層を支持する支持基板層３０と、メンブレン層と支持基板層との間に配置されたエッチング停止層４０とを備え、支持基板層は、平面視においてステンシルパターンを囲む基板開口３１を有し、メンブレン層は、ステンシルパターンが形成されたパターン部１１と、平面視において、パターン部の周囲かつ基板開口内に位置し、パターン部よりも厚い補強部２１とを有し、パターン部および補強部が、単一の材料をエッチングすることにより形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】露光時の電子線照射によって、反り調整層に電荷が蓄積され、電子線が偏向し転写精度が低下することのないステンシルマスクを製造するステンシルマスクブランクを提供する。ステンシルマスク、その製造方法、ステンシルマスクを用いた荷電粒子線のパターン露光方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコンウェハからなる支持基板と、転写パターンを設けるための活性層と、前記支持基板と活性層の間に形成された中間絶縁層と、前記支持基板のもう一方側に設けたアモルファスシリコン層とを有し、前記転写パターンに対応する開口部を、前記アモルファスシリコン層と、前記支持基板と、前記中間絶縁層に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】電子線一括露光において、高スループットに露光することが可能で、かつ、つなぎによる歩留まりの低下を軽減することが可能なステンシルパターン領域を持つ、電子線一括露光用ステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、このメンブレン領域を取り囲むバルク領域とからなるステンシルマスクにおいて、ステンシルパターンが形成される領域であるパターン領域の形状が六角形であることを特徴とする電子線一括露光用ステンシルマスク。また、パターン領域は、露光用電子ビームの照射範囲に内接する形状であってもよい。また、パターン領域は複数設けられていてもよい。 （もっと読む）

【課題】所望のパターンの未開口や開口不良を抑止ないしは解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスクとその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の荷電粒子線露光用マスクは、第１層１６と第２層１８から成る２層構造とし、第１層１６には所望のパターンデータを用いてパターンを加工し、第２層１８には所望のパターンを左右反転させたデータを用いてパターンを加工して、これら２層を接合する。第１層１６、第２層１８の厚さa、ｂは、加工されるパターンの開口部の最小幅に対し、ドライエッチングで生じるマイクロローディングの影響が一定以下となる厚さとなるようにする。また、第１層１６、第２層１８の厚さの和Ｄが荷電粒子線の遮蔽効果が一定以上となる厚さとなるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＳＥＭによる裏面観察を容易に行なう事が出来るステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】本発明の多層型ステンシルマスクはメンブレン層３を有し、メンブレン層３は中間酸化膜層２と支持基板層１からなる支持層により保持されている。中間酸化膜層２と支持基板層１とを貫通する貫通孔９が設けられ、貫通孔９内に露出するメンブレン層３の箇所にメンブレン層３がパターン状に除去されたステンシルパターン領域１１が形成されている。支持基板層１に位置する貫通孔９の部分は、中間酸化膜層２から離れるにつれ断面積が大きく形成されている。 （もっと読む）

【課題】メンブレンの微小なホールの領域が梁によって阻害されない、また露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみや位置ずれ等の発生を抑止あるいは解消することのできる荷電粒子線露光用マスク及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 （もっと読む）

【課題】微細なマスクパターンの形成を阻害することなく、露光時の蓄熱に起因したメンブレンの熱たわみ及び位置ずれを解消することを可能とする荷電粒子線露光用マスク及び荷電粒子線露光用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の荷電粒子線露光用マスクは、第１のウエハ４と、第１のウエハ４に接合されている第２のウエハ１と、を具備している。第２のウエハ１は、表側に転写用マスクパターン１４が形成されている。第１のウエハ４は、表側にマスクパターン４４が形成され、当該マスクパターン４４の開口部４５が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５と対向され、かつ、当該マスクパターン４４の開口部４５の寸法が前記転写用マスクパターン１４の開口部１５の寸法より大きい。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクを低コストで製造することができる製造方法を提供する。
【解決手段】まず、第１シリコン層２と第１酸化シリコン層４と第２シリコン層６が順に積層されており、第１シリコン層２の厚みＴ１と第２シリコン層６の厚みＴ３が等しいＳＯＩ基板を用意する。次に、第２シリコン層６の表面に、第１酸化シリコン層の厚みＴ２より大きい厚みＴ４を有する第２酸化シリコン層１０を形成し、半導体基板１２を形成する。次に、製造するステンシルマスクの開口パターンに応じて、第２酸化シリコン層２と第２シリコン層４と第１酸化シリコン層６と第１シリコン層１０を順にエッチングして開口パターンに応じた貫通口を形成する。次に、残存している第１酸化シリコン層４と第２酸化シリコン層１０をウェットエッチングして除去し、２枚の同一のステンシルマスクを製造する。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法に代表される電子線リソグラフィにおいて、メンブレンのたわみを軽減し、位置精度やパターン寸法精度に優れたステンシルマスクおよび電子線露光方法を提供する。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、前記メンブレン領域を取り囲むバルク領域と、前記メンブレン領域とバルク領域との境界部であるメンブレンエッジ部と、を備え、前記メンブレンエッジ部は、９０°以上の屈折部位がない閉じた線形状であることを特徴とするステンシルマスク、およびそのステンシルマスクを用いて、電子線を照射させることを特徴とする電子線露光方法。 （もっと読む）

【課題】エッチングストッパー層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの致命的欠陥を大幅に低減することができ、優れた転写精度を有する転写マスクを得ること。
【解決手段】本発明の転写マスク２９は、単結晶シリコンからなり開口部２６が形成されている支持層２１と、支持層２１の表面に形成され開口部２６と連通している荷電粒子線透過孔２８が形成されている薄膜層２４と、を具備する。本発明の転写マスクの製造方法は、単結晶シリコンの支持層２１のメンブレン形成領域において熱酸化法により酸化シリコンのエッチングストッパー層２３を形成する工程と、支持層２１の表面に薄膜層２４を形成する工程と、メンブレン形成領域における支持層２１を裏面から除去して開口部２６を形成する工程と、支持層２１の開口部２６を介してエッチングストッパー層２３を除去する工程と、薄膜層２４に荷電粒子線透過孔２８を形成する工程と、を少なくとも具備する。 （もっと読む）

【課題】基体と、この基体により支持されたマスク母体とを備え、マスク母体に荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するステンシルマスクにおいて、薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつ歩留まりよく、パターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供する。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部にカーボン膜、アモルファスカーボン膜、ダイヤモンド膜、ダイヤモンドライクカーボン膜のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記マスク母体下地層が、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜の場合、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン、シリコンから少なくとも１種がドーピングされたステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】ステージ可変速描画におけるステージ速度の算出単位であるブロックのサイズを、スループットの観点から最適化することが可能な荷電粒子ビーム描画装置および荷電粒子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】暫定的なブロックサイズＬの各ブロックの描画速度を平均化した平均描画速度Ｍと、平均描画速度Ｍからの各ブロックの描画速度のバラツキσとを算出する（Ｓ１２）。ブロックサイズＬのブロックでステージを加減速させることによって到達する最大速度Ｖｍａｘを算出する（Ｓ１３）。“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立しないと判別された場合、暫定的なブロックサイズＬを増加させる（Ｓ１５）。“Ｖｍａｘ−Ｍ≧σ”の関係が成立すると判別された場合、ブロックサイズＬを最適値とする（Ｓ１６）。 （もっと読む）

【課題】薄膜化及び応力調整が容易であるとともに、機械的強度が高くかつ電子線照射耐性に優れた電子線露光用のステンシルマスクを得るために好適で、かつ製造プロセスが簡便かつパターン位置精度の高いステンシルマスク、その製造方法、およびそのパターン転写方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基体と、この基体により支持された透過孔パターンを有し、ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜からなるマスク母体と、該マスク母体の基体側の少なくとも一部に導電体、半導体、抵抗体のいずれかよりなるマスク母体下地層を備え、前記ダイヤモンド膜又はダイヤモンドライクカーボン膜には、不純物として、硼素、硫黄、窒素、リン若しくはシリコンからなる群から選ばれた少なくとも１種がドーピングされているステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において電子線を偏向領域内に待機させると同時に、ステンシルマスクの急激な温度上昇を起こすことなく、耐熱性に優れたステンシルマスク及び電子線露光方法を提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン部材と、メンブレン部材を取り囲むバルク部材とからなるステンシルマスクにおいて、バルク部材は、メンブレン部材を保持する保持バルク領域と、メンブレン部材に隣接し照射する電子線を待機するための待機用バルク領域とを有することを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】目視検査によらず自動的に高精度に検査して、検査性能の低下やバラツキをなくし、マスク製造の歩留りを向上することができる荷電粒子線露光用マスクの異物検査装置及びその検査方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線露光用マスクをステージ上に搭載し、ステージ上の荷電粒子線露光用マスクの所定の検査ポイントを順次移動して、検査画像を取得するように制御し、荷電粒子線露光用マスクの所定領域の検査画像を光学顕微鏡により取得し、取得した検査画像を２値化処理することを特徴とする荷電粒子線露光用マスクの異物検査方法。 （もっと読む）

【課題】最適なＣＰパターンを適用して、ＴＡＴを短縮すること。
【解決手段】設計ライブラリ構築段階において、マクロ・セルの回路動作上で特性に影響する重要箇所を、設計インテント情報として抽出し、対応するレイアウト部分をＣＰパターン（３３）として抽出する。ＣＰパターン（３３）に対し寸法を変更したＣＰパターン群（３２〜３４）を作成する。製品設計段階において、セル設計ライブラリ（４）のマクロ・セルのレイアウトを参照してＣＰパターン（３３）を適用した製品のチップレイアウトデータを作成する。チップレイアウトデータのリソグラフィシミュレーションにより出力される出来上がり予想レイアウトに対し、電気特性の予測シミュレーションを行う。予測シミュレーション結果が期待値を満足しない場合は、ＣＰパターン（３３）の代わりに、ＣＰパターン群（３２〜３４）から最適ＣＰパターンを選択し、電子線露光を行う。 （もっと読む）

【課題】取り回しに優れ、転写面側へ近接することが可能なマスクホルダを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明によるマスクホルダによれば、ステンシルマスクの側壁面とマスクホルダの保持部の側壁面とに傾斜形状を持たせることにより、両者が面接触で保持されることから、ステンシルマスクをマスクホルダに保持することが出来、取り外しも容易である。このとき、ステンシルマスクの転写面側表面は、マスクホルダの転写面側底面よりも転写面側へ突き出した状態で保持することができる。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクおよび光リソグラフィを用いて半導体装置を製造するための方法を開示する。
【解決手段】荷電粒子ビーム書込装置を用いて製造されたフォトマスク上の円形パターンを用いることにより、半導体ウェハ上の円形パターンが形成される。一実施例では、荷電粒子ビーム線量を変えることにより、さまざまなサイズの円形パターンが、単一の文字投影（ＣＰ）用文字を用いてフォトマスク上に形成されている。円形のＣＰ用文字をさまざまな放射線量で用いて、またはＶＳＢショットを用いて円形パターンを断片化するための方法および表面上に円形パターンを形成するための方法も開示され、複数のＶＳＢショットの結合は１セットの所望のパターンとは異なっている。グリフを作成するための方法も開示され、１つ以上の荷電粒子ビームショットから生じる放射線量マップが予め計算されている。 （もっと読む）