【課題】反射型表示装置の製造工程を大幅に簡略化する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの上方に配置された絶縁層及び画素電極を有し、画素電極は、薄膜トランジスタに電気的に接続され、表面に凹凸を有し、かつ、反射機能を有し、絶縁層は、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素及び有機性樹脂から選ばれた材料を積層した構造を有し、絶縁層の少なくとも一層はカーボン系材料及び顔料の少なくともいずれか一を含む遮光膜である表示装置とする。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
（もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、以下に記載の構成をとることにより従来と比較して優良な特性を有する薄膜トランジスターを作成するための方法を提供することにある。
【解決手段】 薄膜トランジスターは、アモルファスシリコンを堆積させ、ゲート構造を形成し、次いで、高圧酸化を用いて、層化構造を有する高性能ゲート酸化物を形成することにより作成される。 （もっと読む）