【課題】より良質な膜を形成する。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、下地の上に設けられた酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む膜の表面に、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含むイオン化されたガスクラスタを照射して、前記ガスクラスタを照射した後の前記膜の密度を前記ガスクラスタを照射する前の前記膜の密度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程時の温度ムラによる特性のバラつきを抑制し、かつ、高抵抗率に制御可能とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含有し、Ｉｎ及びＧａの合計に対するＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす非晶質酸化物薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０.５０＜Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＜０．７５の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上１５０℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理し、非晶質酸化物薄膜のＧａのモル比率が０．７５≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の関係を満たす場合には、成膜工程後に１００℃以上２００℃以下又は３５０℃以上６００℃以下の温度で非晶質酸化物薄膜を熱処理する熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電離電圧の高い放電ガスを用いながら、アーク放電を効率よく短時間に発生させ、薄膜素子を効率よく製造する。
【解決手段】圧力勾配型アーク放電プラズマガン10を用いてプラズマを発生させる。プラズマガン10は、陰極1と、第１、第２および第３中間電極2,3,7と、陽極4とを備える。陰極1と第１中間電極間2に電圧を印加してグロー放電を発生させた後、順次、第２中間電極3、第３中間電極7、陽極4に所定のタイミングで電圧を印加していき、陰極1との間にグロー放電を生じさせ、その後放電電流を上昇させることによりグロー放電をアーク放電に移行させる。これにより、３つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】圧電効果の大きな組成範囲の強誘電体膜を備えた素子を効率よく製造する。
【解決手段】第３中間電極７を備えた圧力勾配型プラズマガンを用いてＨｅガスと酸素ガスの混合プラズマを発生させ、この混合プラズマ中の酸素ラジカルにより成膜材料を酸化させる強誘電体膜を形成する。放電ガスとしてＨｅを用いることにより高濃度の酸素ラジカルを発生させることができるため、圧電効果の大きな組成範囲、例えばＰｂ（Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘ）Ｏ_３（ｘ＞０．４）の膜を効率よく製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 環境感受性デバイスの水蒸気による劣化を防止することを目的とする。
【解決手段】基板上に、環境感受性素子と、バリア性積層体とを、該順に有し、かつ、該バリア性積層体は、少なくとも１層の水素化窒化珪素層と、少なくとも１層の他の無機層とを有する、環境感受性デバイス。 （もっと読む）

【課題】特にＣＶＤ用原料として好適な揮発特性、熱安定性等の性質を有するストロンチウムプレカーサを含有する薄膜形成用原料を提供すること。
【解決手段】ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ストロンチウムに、下記一般式（１）で表される二座配位化合物を付加させて得られるストロンチウム化合物を含有してなる薄膜形成用原料。
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【課題】絶縁膜の絶縁耐圧の向上を図ることのできる絶縁膜の製造方法、反応装置、発電装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】反応物の反応を起こすマイクロリアクタ１は、金属基板である上板２及び底板３等から構成されてなり、底板３とその表面に設けられる薄膜ヒータ３２との間に絶縁膜３１として、希土類元素Ｒの結晶構造を有するＲ₂Ｏ₃膜（Ｙ₂Ｏ₃膜）が形成されている。Ｒ₂Ｏ₃膜は、底板３の表面にＲ膜を成膜した後、水素化してＲＨ₂膜を形成し、さらに酸化することによって形成される。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）とフローティング電位Ｖｆ（Ｖ）との差であるＶｓ−Ｖｆ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
Ｔ（℃）≧４００・・・（１）、
−０．２Ｔｓ＋１００＜Ｖｓ−Ｖｆ（Ｖ）＜−０．２Ｔｓ＋１３０・・・（２） （もっと読む）

【課題】
半導体装置の微細化に伴って配線同士の距離が近くなるために，近接する配線間の配線間容量が大きくなり、それに比例して信号遅延及び消費電力の増大が顕著な問題となっている。この解決策として，配線を支える層間絶縁膜材料の誘電率を低くし，配線間容量を下げることである。そこで、耐熱性、湿度に対する誘電率の安定性、後工程における機械強度及びCu配線のバリアメタルとの密着性等に優れた低誘電率層間絶縁膜材料が必要となっている。
【解決手段】
成膜時に成膜材料粒子をイオン化し、該イオン化された材料粒子の電荷と同じ電位の電圧を被成膜基板上に印加して、層間絶縁膜を柱状構造或いは網目状構造を有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 物理蒸着法において、プラズマ照射によるクリーニング条件の制約を緩和できる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜装置１ａは、真空容器１０と、真空容器１０の成膜室１０ｂ内へプラズマビームＰを照射するプラズマガン４と、成膜室１０ｂ内に設けられ、成膜室１０ｂ内の所定位置ＣへプラズマビームＰを吸引する主陽極機構２と、被処理物５を支持する搬送機構３とを備える。主陽極機構２は、被処理物５のクリーニングの際に使用されるクリーニング用主陽極部材２１と、成膜材料Ｍａを保持しており成膜の際に使用される成膜用主陽極部材２２と、これらの主陽極部材２１及び２２を順に所定位置Ｃへ移送する移送機構２ａとを有する。 （もっと読む）