【課題】ビアホールの数を少なくしてもループ発振などの特性劣化が生じにくい半導体電力増幅器を提供する。
【解決手段】半導体電力増幅器は、ゲート電極Ｇと、ドレイン電極Ｄと、前記ゲートフィンガー電極に対向して配置されるソースフィンガー電極横手方向の両サイドに引き出される２つのソース電極Ｓと、を有するユニットＦＥＴと、前記ユニットＦＥＴが、前記ソース電極間を結ぶ略直線方向に複数個並列配置され、隣り合うユニットＦＥＴ間に存在する２つのソース電極の両方を共通して高周波グランド面と接続する第１の接地インダクタンス値を有する第１のビアホール１８Ｋと、隣り合うユニットＦＥＴが存在しない側のソース電極上に配置され、接地インダクタンスを等しくするために前記高周波グランド面に接続する第２の接地インダクタンス値を有する第２のビアホール１８Ｄと、を有する。 （もっと読む）

【課題】効率的な動作試験ができる無線集積回路装置の製造方法、無線集積回路装置及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】無線集積回路装置の製造方法は、ウェハー上に複数の無線集積回路装置１００を形成し、複数の無線集積回路装置１００のうちの少なくとも１つの無線集積回路装置を送信モード無線集積回路装置１００ａに設定し、複数の無線集積回路装置１００のうちの送信モード無線集積回路装置１００ａを除く少なくとも１つの無線集積回路装置を受信モード無線集積回路装置１００ｂに設定する。送信モード無線集積回路装置１００ａの送信回路により動作試験用の送信データを送信し、受信モード無線集積回路装置１００ｂの受信回路により動作試験用の送信データを受信して動作試験を実行する。動作試験の完了後に複数の無線集積回路装置１００をダイシングする。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、半導体LSIチップ上およびプリント回路基板上で、半導体LSIチップ上のインバータのスイッチング速度に匹敵する電気による超高速での情報処理や信号伝送を可能とするとともに、不要電磁波の発生と漏洩を抑止する。
【解決手段】 回路システムを構成するスイッチング回路の機能を孤立電磁波の励起作用とし、前記スイッチング回路に接続される電源分配回路に、特性インピーダンスが信号伝送用線路に比べて充分低く、線路を構成する絶縁材料の誘電体損失が比較的大きい低インピーダンス損失線路を使用する。前記低インピーダンス損失線路と前記スイッチング回路の間に低インピーダンス損失線路はない線路が接続される場合は、該線路の長さが前記孤立電磁波の波長の20倍以下であって、前記孤立電磁波が該線路中を往復する時間内は前記スイッチング回路の状態を変化させないように回路が形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、抵抗変化型メモリ素子をセルに用いたマルチチップパッケージにおいて、高抵抗素子を利用することにより、工程数の増加を必要とすることなく、積層された複数のメモリチップを識別できるようにする。
【解決手段】たとえば、同一パッケージ内に積層された複数のメモリチップは、それぞれ、チップアドレス識別回路１５０を備える。各チップは、相互に接続される第１のメモリ位置検知用パッドのテストパッドＴＴ，ＴＢ間に、それぞれ、メモリセルと共通のプロセスにより同時に形成される可変抵抗素子ＣＣを有する。チップアドレス識別回路１５０は、各チップの可変抵抗素子ＣＣを高抵抗化することにより、チップの積層順に応じて、テストパッドＴＴにそれぞれ現れる電圧を、比較器１５４にて、メモリ位置検知回路１５６からの既知の比較信号と比較することで、各層のメモリチップの位置を検知する。 （もっと読む）