【課題】第１リードフレームと第２リードフレームとの間に搭載部品が３個のみ挟み込まれてなる半導体装置において、第１〜第３搭載部品と第２リードフレームとが未接合となることを抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部品３０〜５０におけるはんだ３１〜５１、３５〜５５が配置される部位の中心を搭載部品３０〜５０の中心点３０ａ〜５０ａとしたとき、３個の搭載部品３０〜５０のそれぞれの中心点３０ａ〜５０ａを結ぶ線分にて三角形１００が構成される状態で３個の搭載部品３０〜５０を挟み込む。 （もっと読む）

【課題】組立性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、ダイパッドと、前記ダイパッドに接合された半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止部と、前記半導体チップの電極と電気的に接続された第１の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と平行な第２の面と、前記封止部から露出し前記第１の面と交差する第３の面と、を有するリードと、を備えている。そして、前記リードは、前記第３の面の平面視において、凹部を有している。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 オン抵抗の極めて低い半導体装置を量産でき、さらに装置の小型化が実現する実装構造を提供する。
【解決手段】第１のフレーム材料により形成されたアイランド２とアイランド２から延在する第１リード３ａと、アイランド２に固着され上面に第１電極５および第２電極２０が設けられた半導体チップ１と、第２のフレーム材料により形成され第１電極５に固着される電極当接部６と電極当接部６から延在する第２リード３ｂと、第２のフレーム材料により形成され第２電極１０と電気的に接続されるポスト８とポスト８から延在する第３リード３ｃと、アイランド２、電極当接部６、ポスト８および半導体チップ１と、第１?第３リード３ａ?３ｃのそれぞれの一部とを一体に被覆する絶縁樹脂層とを具備し、ポスト８とアイランド２とを第１および第２のフレーム材料の打ち抜き加工に必要な離間距離より近接して対向配置する。 （もっと読む）

【課題】インナーリードのサイズを大きくすることなく、チップ部品を内蔵させることができる、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、リードフレームと、前記リードフレーム上に配置された半導体チップと、前記リードフレーム上に配置されたチップ部品とを具備する。前記リードフレームは、前記半導体チップを搭載するアイランド部と、インナーリード群とを備える。前記インナーリード群は、金属ワイヤを介して前記半導体チップと結線される、第１インナーリードと、前記チップ部品が電気的に接続されるように載せられる、第２インナーリードとを備える。前記第１インナーリードと前記第２インナーリードとは、前記実装基板に設けられた接続用配線を介して、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のワイヤ長の低減化を図る。
【解決手段】複数のリード２ａのうちのリード２ｆは、第１の厚さを有する基端部２ｇと、基端部２ｇの長さよりも長く、かつ平面視において基端部２ｇからダイパッドに向かって屈曲するインナー部２ｅと、基端部２ｇからリード幅方向Ｈに迫り出した突出部２ｈとを有しており、インナー部２ｅは、平面視において前記ダイパッド側に位置する先端部２ｅａと、基端部２ｇ及び突出部２ｈと連結する連結部２ｅｂとを有するとともに、平面視において連結部２ｅｂの幅Ｍ３は基端部２ｇの幅Ｍ１よりも大きく、複数のリード２ｆのそれぞれのインナー部２ｅにステージを接触させた状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの接続の信頼性を高めるとともに、タブとレジンとの剥離を抑止した半導体装置を提供する。
【解決手段】封止体２の一面に露出するタブ４，タブ吊りリード及び複数のリード７と、封止体２内に位置しタブ４の表面に接着剤５で固定される半導体素子３と、半導体素子３の電極とリード７を電気的に接続する導電性のワイヤ２５と、半導体素子３の電極と半導体素子３から外れたタブ４の表面部分を電気的に接続する導電性のワイヤ２５とを有するノンリード型の半導体装置１であって、タブ４はその外周縁が半導体素子３の外周縁よりも外側に位置するように半導体素子３よりも大きくなり、半導体素子３が固定される半導体素子固定領域と、ワイヤ２５が接続されるワイヤ接続領域との間の前記タブ４表面には、半導体素子固定領域を囲むように溝２０が設けられている。タブ４はその断面が逆台形となり、周縁はパッケージ２内に食い込んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図るとともに半導体素子の多ピン化に対応することが可能な半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置２０は、ダイパッド１５とリード部１６とを有するリードフレーム１０と、半導体素子２１と、導電部２２と、封止樹脂部２３とを備えている。リード部１６は、複数の放射状部分４１、４２と、複数の中継部分４３、４４とを含み、半導体素子２１の各端子部２１ａは、導電部２２により放射状部分４２または中継部分４３、４４に接続されている。放射状部分４１、４２および中継部分４４の裏面にハーフエッチング部１７を形成し、中継部分４３およびダイパッド１５の裏面に、基板側端子５１と接続可能な接続端子部２９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ２を封止する封止体５は平面視において、四辺形を成し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ複数のリード１０が配置される。また、タブ（チップ搭載部）３は、タブ３と一体に形成される複数の吊りリード６に支持される。複数の吊りリード６のそれぞれは、四辺形を成す封止体５の第１対角線（仮想線）ＤＬ１に沿って延び、第１対角線ＤＬ１とは異なる第２対角線（仮想線）ＤＬ２側には、複数の吊りリード６は配置されない。ここで、複数のリード１０のタブ３側の先端部に位置するボンディング領域は、それぞれ第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置する。 （もっと読む）

【課題】生産性の向上と信頼性の向上とを図ることを可能とするとともにコストの削減をも可能とする樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】第１面に１個の電極が形成され、第２面に２個以上の電極が形成された半導体素子１１１と、半導体素子１１１を搭載する第１ダイパッド１２２及び第１リード１２４を有する第１リードフレーム１２０と、第１リードフレーム１２０とは隔離して配置される第２ダイパッド１３２及び第２リードを有する第２リードフレーム１３０と、接続部１４２及び第３リード１２４４有する第３リードフレーム１４０とを備える樹脂封止型半導体装置１０１であって、第２面に形成された電極のうちの１個の電極は、第１ダイパッド１２２に直接接続され、第２面に形成された他の電極は、第２ダイパッド１３２に直接接続され、第１面に形成された電極は、電気接続子１５０を介して第３リードフレーム１４０の接続部１４２に接続されている。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の熱膨張や熱収縮によるワイヤの断線や固着部分の外れの発生を低減することで、信頼性を向上させることができるリードフレームおよびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】リードフレーム２は第１リード端子２１と第２リード端子２２とを備えている。第１リード端子２１は、第２リード端子２２の一側に位置し、発光素子３を搭載するダイパッド２１２と、第２リード端子２２を挟んで反対となる他側に位置する先端部２１４とを備えている。第２リード端子２２にはワイヤパッド２２２が設けられている。封止樹脂が熱収縮・熱膨張しても、ダイパッド２１２とワイヤパッド２２２との間の封止樹脂による力と、先端部２１４とワイヤパッド２２２との間の封止樹脂による力とを相殺させることができるので、ワイヤパッド２２２とダイパッド２１２との位置関係が変動することを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】ハンダ付けする際にリードと接続板との位置ずれを抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１０と、一端２１が半導体チップに接続された導電性の接続板２０と、半導体チップに対して間隔を開けて配置され、接続板の他端２２とハンダ部３０により接合された導電性を有する板状のリード４０と、を備える半導体装置１であって、接続板とリードとがハンダ部により接合される接合部６３において、接続板またはリードの一方には、外周面から板厚方向Ｙに突出した凸４３部が形成され、接続板またはリードの他方には、凸部に係合する凹部２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの導体端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】独立した導体端子のワイヤボンディング部を形成する際、下地めっきを２回行ない、第１のエッチングにより下層となる下地めっきをワイヤボンディング部の先端周囲より突出させ、この突出部位を導体端子の側面側へ折り曲げた後、第２のエッチングを行なうことで導体端子の側面に凹部を形成し、この凹部に樹脂が入り込むように樹脂封止を行なう。 （もっと読む）

【課題】 多ピン化への対応が可能で信頼性が高い樹脂封止型半導体装置と、このような樹脂封止型半導体装置を安定して製造するための半導体装置用回路部材とを提供する。
【解決手段】 樹脂封止型半導体装置を、外部端子面が一平面をなすように配置された複数の端子部と、各端子部の内部端子面とワイヤにて電気的に接続された半導体素子と、少なくとも各端子部の外部端子面の一部を外部に露出させるように端子部と半導体素子を封止した樹脂部材とを備え、端子部はＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕのいずれか２種以上の金属からなる多層構造とし、この多層構造の構成層のうち、内部端子面をなす構成層の周囲に突起部を有し、この突起部が樹脂部材に係合するものとした。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチなリードを有するパッケージを高い歩留まりで製造するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップを搭載するためのパッケージの製造方法が提供される。この方法は、支持部、支持部から延びた第１リード、支持部から第１リードに隣接する位置へ延びた第２リード、及び第１リードの先端部と第２リードの先端部とを連結する連結部を含むリードフレームを準備する準備工程と、連結部及び支持部を露出するとともに、第１リードの一部及び第２リードの一部を覆うように、半導体チップを搭載するための樹脂部を形成する形成工程と、形成工程の後に、連結部を除去して第１リードの先端部を第２リードの先端部から分離する分離工程と、形成工程の後に、第１リード及び第２リードから支持部を切り離す切断工程とを有する。第１リードの先端部と第２リードの先端部とはリードフレームの厚さ方向にオフセットを有して配置されている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備え、発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は、前記底面に対する垂直軸を基準として１５°から３０°の範囲の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣカード用のリードフレーム及びその製造方法に関し、新たな固定治具を要することなく、剛性の高いリードフレームを提供する。
【解決手段】 鉄ニッケル合金または銅を含むリードフレーム素材からなり、内部に開口部を有する複数の所定のパターンに耐熱テープを貼付し、前記耐熱テープの他方の面に接触端子パターンを貼付する。 （もっと読む）

【課題】端子板の一端部に半導体チップを電気接続した上でモールド樹脂により封止し、端子板の他端部をモールド樹脂から突出してなる半導体装置において、半導体チップへの水分の到達を防いで電気的な信頼性の向上を図れるようにする。
【解決手段】半導体チップを搭載する板状のダイパッド２と、ダイパッド２の周囲に間隔をあけて配される枠体部５と、枠体部５からダイパッド２に向けて延びて、ダイパッド２と枠体部５とを連結する連結リード６と、枠体部５からダイパッド２に向けて延びて、枠体部５に連結されると共にダイパッド２に対して間隔をあけて配される端子板３，４とを備え、連結リード６の幅寸法を前記端子板３，４の幅寸法よりも小さく設定した半導体装置製造用のリードフレーム１を提供する。 （もっと読む）

【課題】樹脂からの端子の抜け落ちを防止して製品の品質低下を抑制できるリードフレーム及びこれを用いた半導体装置並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレーム１６は、一方側に表面に第１のめっき部１２が形成されたワイヤボンディング部１３を備え、他方側にワイヤボンディング部１３に対応し、表面に第２のめっき部１４が形成された外部接続端子部１５を備え、第１のめっき部１２をワイヤボンディング部１３の先端周囲より突出させ、かつ貴金属めっき層を除く第１のめっき部１２の厚みＴ１を５〜５０μｍとして、ワイヤボンディング部１３の先側周囲に第１の抜止め２３を形成した。製造方法は、第１のめっき部１２を、形成されるワイヤボンディング部１３の先端面に厚めっき２６を施し、更にリードフレーム材２０をエッチング処理することにより形成する。また、半導体装置１０は、このリードフレーム１６を用いた。 （もっと読む）