【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】重畳する第１のトランジスタおよび第２のトランジスタからなる第１のインバータと、重畳する第３のトランジスタおよび第４のトランジスタからなる第２のインバータと、第１の選択トランジスタと、第２の選択トランジスタと、を有し、第１のインバータの出力端子、第２のインバータの入力端子および第１の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続され、第２のインバータの出力端子、第１のインバータの入力端子および第２の選択トランジスタのソースおよびドレインの一方が接続されることによって、微細化したＳＲＡＭ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】記憶保持期間において、電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体以外の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域を有する第１のトランジスタ１６０と、第１のトランジスタ１６０の上方の、酸化物半導体材料が用いられた第２のチャネル形成領域を有する第２のトランジスタ１６２と、容量素子１６４と、を有し、第２のトランジスタ１６２の第２のソース電極または第２のドレイン電極の一方と、容量素子１６４の電極の一方とは、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】オフ電流が小さい薄膜トランジスタによって問題なく動作することが可能な記憶素子を含む記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられた記憶素子を、マトリクス状に配置した記憶装置を提供する。酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。また、消費電力を低くすることもできる。このような記憶装置は、例えば酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。 （もっと読む）