半導体装置
【課題】オフ電流が小さい薄膜トランジスタによって問題なく動作することが可能な記憶素子を含む記憶装置を提供することを課題とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられた記憶素子を、マトリクス状に配置した記憶装置を提供する。酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。また、消費電力を低くすることもできる。このような記憶装置は、例えば酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。
【解決手段】酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられた記憶素子を、マトリクス状に配置した記憶装置を提供する。酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタは、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作させることができる。また、消費電力を低くすることもできる。このような記憶装置は、例えば酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。特に、記憶回路を有する半導体装置（一例として、記憶装置）に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁表面を有する基板上の半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。トランジスタは、液晶テレビに代表されるような表示装置などに用いられている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜の材料としてシリコンが広く用いられているが、近年では酸化物半導体も注目されている。
【０００３】
酸化物半導体の材料としては、酸化亜鉛または酸化亜鉛を成分とするものが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。そして、電子キャリア濃度が１０１８ｃｍ−３未満の非晶質酸化物（酸化物半導体）で形成されたトランジスタが開示されている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００６−１６５５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、酸化物半導体では、薄膜形成工程において化学量論的組成からのずれが生じてしまう。そして、酸素の過不足によって酸化物半導体の電気伝導度が変化してしまう。また、酸化物半導体の薄膜形成中に混入する水素が酸素と結合（Ｏ−Ｈ結合）を形成して電子供与体となり、電気伝導度を変化させる要因となる。さらにＯ−Ｈ結合は極性結合なので、酸化物半導体によって作製されるトランジスタなどの能動デバイスの特性を変動させる要因となる。
【０００６】
電子キャリア濃度が１０１８ｃｍ−３未満としても、酸化物半導体は実質的にはｎ型であり、特許文献１乃至特許文献３に開示されるトランジスタのオン／オフ比は１０３程度である。このようなトランジスタのオン／オフ比が低い理由はオフ電流が高いことに起因する。なお、オン／オフ比とは、オフ電流の値に対するオン電流の値の比をいう。
【０００７】
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、安定した電気的特性（例えば、オフ電流がきわめて低減されている）を有するトランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、酸化物半導体に含まれる水素が５×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１８ｃｍ−３以下、より好ましくは５×１０１７ｃｍ−３以下となるようにして、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１２ｃｍ−３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成されたトランジスタにより記憶回路が構成された半導体装置である。
【０００９】
ここで、酸化物半導体膜のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上として、ドナーを形成する水素などの不純物を極力低減させ、キャリア濃度を１×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１２ｃｍ−３以下となるようにする。
【００１０】
このように高純度化された酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域に用いると、チャネル幅が１０ｍｍと非常に長くとも、ドレイン電圧が１Ｖ及び１０Ｖ、ゲート電圧が−５Ｖから−２０Ｖまでである場合において、ドレイン電流は１×１０−１３Ａ以下とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタで回路を構成することで、回路の動作を安定させることができる。また、オフ電流が１×１０−１３Ａ以下まで低減されているため、表示装置に適用した場合には、画素に印加した信号電圧を保持する容量を付加的に設ける必要がなくなる。すなわち、表示装置に適用した場合には、各画素に保持容量が不要なため、開口率を向上させることができる。
【００１２】
本発明の一態様によれば、表示装置に適用した場合には、画素を一定の状態（例えば、映像信号が書き込まれた状態）に保持することが可能となるので、静止画を表示する場合にも安定した動作をさせることができる。
【００１３】
本発明の一態様によれば、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作し、消費電力が低い記憶回路を有する半導体装置を実現することができる。このような記憶回路を有する半導体装置は、例えば酸化物半導体層を有するトランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶回路を有する半導体装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法及び、本発明の一態様である容量素子を説明する図。
【図２】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図３】本発明の一態様であるトランジスタの初期特性を説明する図。
【図４】本発明の一態様であるトランジスタを作製した例を説明する図。
【図５】本発明の一態様であるトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性を説明する図。
【図６】本発明の一態様である記憶回路（ＤＲＡＭ）を説明する図。
【図７】本発明の一態様である記憶回路のリフレッシュ回路を説明する図。
【図８】本発明の一態様である記憶回路（ＳＲＡＭ）を説明する図。
【図９】本発明の一態様である記憶回路（ＳＲＡＭ）を説明する図。
【図１０】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１２】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１３】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１４】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１５】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１６】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１７】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１８】図１７のＡ−Ａ’におけるエネルギーバンド図（模式図）。
【図１９】図１７のＢ−Ｂ’におけるエネルギーバンド図（模式図）。
【図２０】真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す図。
【図２１】本発明の一態様であるＣＰＵを説明する図。
【図２２】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２３】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２４】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２５】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２６】本発明の一態様である無線通信半導体装置の適用例を説明する図。
【図２７】本発明の一態様である表示装置の一例を説明する図。
【図２８】本発明の一態様である電子機器の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態について、図面を参照して以下に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。したがって、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容のみに限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【００１６】
なお、各実施の形態の図面などにおいて示す各構成の、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて示されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００１７】
なお、本明細書にて用いる第１、第２、第３といった序数を用いた用語は、構成要素を識別するために便宜上付したものであり、その数を限定するものではない。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態は、本発明の一態様である半導体装置について説明する。
【００１９】
まず、本実施の形態の半導体装置に用いることのできるトランジスタについて図１を参照して説明する。
【００２０】
図１に示すトランジスタ１１０は、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【００２１】
また、トランジスタ１１０は、シングルゲート構造のトランジスタであるが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【００２２】
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層１１１を形成する。または、インクジェット法により形成したレジストマスクを用いて導電膜を加工してゲート電極層１１１を形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００２３】
絶縁表面を有する基板１００に使用することができる基板には大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要である。絶縁表面を有する基板１００としては、バリウムホウケイ酸ガラス基板またはアルミノホウケイ酸ガラス基板などのガラス基板を用いることができる。
【００２４】
また、ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いた基板を用いればよいが、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いることが好ましい。なお、Ｂ２Ｏ３と比較してＢａＯを多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。
【００２５】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いてもよい。または、これらの他にも、結晶化ガラスなどを用いることもできる。
【００２６】
なお、基板１００とゲート電極層１１１との間には、下地膜となる絶縁膜が設けられていてもよい。下地膜は、基板１００からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜から選ばれた一または複数の膜を積層して形成することができる。
【００２７】
ゲート電極層１１１の材料は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｓｃなどの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。ゲート電極層１１１が２層である場合には、例えば、Ａｌ層上にＭｏ層が積層された構造、Ｃｕ層上にＭｏ層が積層された構造、Ｃｕ層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層が積層された構造、窒化チタン層とＭｏ層が積層された構造、または窒化タングステン層とＷ層が積層された構造とすることが好ましい。または、ゲート電極層１１１が３層である場合には、Ｗ層または窒化タングステン層と、ＡｌとＳｉの合金層若しくはＡｌとＴｉの合金層と、窒化チタン層またはＴｉ層が積層された構造とすることが好ましい。
【００２８】
次いで、ゲート電極層１１１上にゲート絶縁層１０２を形成する。
【００２９】
ゲート絶縁層１０２は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。例えば、原料ガスとして、ＳｉＨ４ガス、酸素ガス及び窒素ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。ゲート絶縁層１０２の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするとよい。または、ゲート絶縁層１０２が複数の絶縁層の積層構造である場合には、例えば、厚さ５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２のゲート絶縁層の積層とするとよい。ゲート絶縁層１０２が複数の絶縁層の積層構造である場合にも、積層された複数の絶縁層の厚さの合計は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるとよい。
【００３０】
ここでは、ゲート絶縁層１０２として、プラズマＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍ以下の酸化窒化シリコン層を形成する。
【００３１】
次いで、ゲート絶縁層１０２上に、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物半導体膜１３０を形成する。
【００３２】
なお、酸化物半導体膜１３０をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガス雰囲気下でプラズマを発生させて逆スパッタを行い、ゲート絶縁層１０２の表面に付着しているゴミを除去することが好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムまたは酸素などを用いてもよい。
【００３３】
酸化物半導体膜１３０は、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系、または、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜を用いる。ここでは、酸化物半導体膜１３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。この段階での断面図が図１（Ａ）に相当する。また、酸化物半導体膜１３０は、希ガス（例えばアルゴン）雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または希ガス（例えばアルゴン）と酸素の混合ガス雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。なお、スパッタリング法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いてもよい。
【００３４】
酸化物半導体膜１３０をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。また、金属酸化物のターゲットの他の例としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット（組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］、または、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５［ａｔｏｍ比］）を用いることができる。また、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［ａｔｏｍ比］、または、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２［ａｔｏｍ比］のターゲットを用いることもできる。酸化物半導体ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下とする。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用いることにより、形成された酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
【００３５】
酸化物半導体膜１３０の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。なお、スパッタガスとは、スパッタリングを行う処理室内に導入するガスをいう。
【００３６】
まず、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下（好ましくは２００℃以上４００℃以下）とする。基板を加熱しつつ形成することにより、形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができ、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、金属酸化物をターゲットとして基板上に酸化物半導体膜を形成する。処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した処理室からは、例えば、水素原子、水などの水素原子を含む化合物、炭素原子を含む化合物などが除去されているため、当該処理室で形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【００３７】
酸化物半導体膜は、一例として、基板とターゲットの間の距離を１００ｍｍとし、処理室内の圧力を０．６Ｐａとし、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下で直流（ＤＣ）電源の電力を０．５ｋＷとして形成される。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーティクル、ゴミともいう）の発生を抑えることができ、厚さの分布も均一となるために好ましい。形成する酸化物半導体膜の厚さは、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすればよいが、これに限定されず、酸化物半導体材料により適切な厚みを選択すればよい。
【００３８】
次いで、酸化物半導体膜１３０を第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。または、インクジェット法により形成したレジストマスクを用いて酸化物半導体膜１３０を加工して島状の酸化物半導体層を形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００３９】
次いで、酸化物半導体層に第１の加熱処理を行う。この第１の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板１００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層１３１を得る（図１（Ｂ））。
【００４０】
なお、加熱処理装置は上記した電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ここで、ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱を行う加熱処理装置である。ここで高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素ガスのように、加熱処理によって被処理物と反応しにくい不活性な気体が用いられる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する加熱処理装置である。
【００４１】
例えば、第１の加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温のガスを満たした処理室内に基板を搬入し、該高温のガスに数分間曝した後、該処理室から搬出するＧＲＴＡを行ってもよい。このようなＧＲＴＡを用いると短時間での加熱処理が可能である。
【００４２】
なお、第１の加熱処理においては、処理室内に導入するガスである、窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスに、水及び水素などが含まれていないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【００４３】
なお、第１の加熱処理の条件または酸化物半導体層の材料によっては、酸化物半導体層が結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。例えば、結晶化率が９０％以上、または８０％以上の微結晶膜となる場合もある。また、第１の加熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、結晶成分を含まない非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。または、非晶質膜中に微結晶（粒径が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（例えば２ｎｍ以上４ｎｍ以下））が混在する場合もある。
【００４４】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜１３０に行ってもよい。この場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行って島状の酸化物半導体層に加工すればよい。
【００４５】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれのタイミングで行ってもよい。
【００４６】
また、ゲート絶縁層１０２にコンタクトホールを形成する場合には、酸化物半導体膜１３０に脱水化または脱水素化処理を行う前に行ってもよいし、脱水化または脱水素化処理を行った後にゲート絶縁層１０２にコンタクトホールを形成してもよい。
【００４７】
次いで、ゲート絶縁層１０２及び酸化物半導体層１３１上に導電膜を形成する。該導電膜は、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成すればよい。該導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、またはこれらを成分とする合金、またはこれらの元素を組み合わせた合金膜などが挙げられる。また、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｔｈのいずれか一または複数の材料を用いてもよい。また、導電膜は、単層であっても、複数の層を積層した構造であってもよい。例えば、Ｓｉを含むＡｌ膜の単層構造、Ａｌ膜上にＴｉ膜を積層した２層の積層構造、２つのＴｉ膜によりＡｌ膜を挟んだ３層の積層構造などが挙げられる。または、該導電膜がＡｌ膜である場合に、ＮｄまたはＳｃを含ませてもよい。なお、これらの膜は、窒化膜であってもよい。
【００４８】
次に、第３のフォトリソグラフィ工程により、該導電膜を加工してソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂを形成する。その後、レジストマスクを除去する（図１（Ｃ））。
【００４９】
第３のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光を用いるとよい。ここで、酸化物半導体層１３１上で向かい合うソース電極層とドレイン電極層の間隔によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌが決定される。チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、第３のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を用いて行う。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌを１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も図ることができる。
【００５０】
なお、該導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層１３１が除去されることがないように、それぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する必要がある。
【００５１】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層１３１にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【００５２】
なお、第３のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層１３１は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００５３】
または、酸化物半導体層１３１とソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂのそれぞれの間には、酸化物導電層が形成されていてもよい。酸化物導電層とソース電極層及びドレイン電極層を形成するための導電層は、連続して形成することが可能である。該酸化物導電層は、ソース領域及びドレイン領域として機能しうる。
【００５４】
ソース領域及びドレイン領域として、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に酸化物導電層が設けられることで、ソース領域及びドレイン領域の低抵抗化を図ることができ、トランジスタの動作速度を高速にすることができる。
【００５５】
また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。
【００５６】
次いで、一酸化二窒素ガス、窒素ガス、またはＡｒガスなどを用いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、露出された酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。または、酸素ガスとＡｒの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った後には、大気に触れさせることなく、露出された酸化物半導体層の表面に接する保護絶縁膜となる絶縁性酸化物層１１６を形成する。
【００５７】
絶縁性酸化物層１１６は、少なくとも１ｎｍ以上の厚さとし、絶縁性酸化物層１１６に水、水素などの不純物を混入させない方法（スパッタリング法など）を用いて形成することができる。絶縁性酸化物層１１６に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層へ侵入し、または水素が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸化物半導体層の絶縁性酸化物層１１６と接する部分が低抵抗化（Ｎ型化）されてしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁性酸化物層１１６には、可能な限り水素が含まれないように形成することが重要である。
【００５８】
ここでは、絶縁性酸化物層１１６として厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜をスパッタリング法を用いて形成する。形成時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、ここでは１００℃とする。酸化シリコン膜のスパッタリング法による形成は、希ガス（例えばアルゴン）雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または希ガス（例えばアルゴン）と酸素ガスの混合ガス雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとしては、酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下でスパッタリング法により酸化シリコンを形成することができる。低抵抗化した酸化物半導体層に接して形成する絶縁性酸化物層１１６は、水分、水素イオン、及び水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用いて、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
【００５９】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁性酸化物層１１６を形成することが好ましい。酸化物半導体層１３１と絶縁性酸化物層１１６に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。
【００６０】
上記したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。吸着型の真空ポンプを用いることで、絶縁性酸化物層１１６に含まれる不純物の濃度を低減することができる。
【００６１】
絶縁性酸化物層１１６の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００６２】
次いで、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層１１６と接した状態で行われる。
【００６３】
以上の工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の一部を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート電極層１１１と重なるチャネル形成領域１１３の導電性が低下してＩ型となり、ソース電極層１１５ａに重なる高抵抗ソース領域１１４ａと、ドレイン電極層１１５ｂに重なる高抵抗ドレイン領域１１４ｂが、自己整合的に形成される。以上の工程でトランジスタ１１０が形成される（図１（Ｄ））。
【００６４】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。また、絶縁性酸化物層として欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いた場合には、この加熱処理によって欠陥を少なくすることができる。
【００６５】
なお、ドレイン電極層１１５ｂ（及びソース電極層１１５ａ）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ドレイン領域１１４ｂ（または高抵抗ソース領域１１４ａ）が設けられていることにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域１１４ｂを形成することで、ドレイン電極層１１５ｂから高抵抗ドレイン領域１１４ｂ、チャネル形成領域１１３にかけて、導電性を段階的に変化させる構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層１１５ｂに高電源電位Ｖｄｄを供給する配線を接続して動作させる場合、ゲート電極層１１１とドレイン電極層１１５ｂとの間の電位差が大きい場合であっても、高抵抗ドレイン領域１１４ｂがバッファとなりトランジスタの耐圧を高いものとすることができる。
【００６６】
また、酸化物半導体層における高抵抗ソース領域１１４ａまたは高抵抗ドレイン領域１１４ｂは、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以下と薄い場合には厚さ方向の全体にわたって形成されるが、酸化物半導体層の厚さが３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下と厚い場合には、酸化物半導体層の一部（ソース電極層またはドレイン電極層と接する領域及びその近傍）に、高抵抗ソース領域１１４ａまたは高抵抗ドレイン領域１１４ｂが形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁膜に近い領域はＩ型にすることもできる。
【００６７】
絶縁性酸化物層１１６上にはさらに保護絶縁層を形成してもよい。このような保護絶縁層として、例えば、ＲＦスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する。ＲＦスパッタリング法は、量産性がよく、保護絶縁層の形成方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックすることができる無機絶縁膜を用いて形成され、例えば、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などを用いる。ここでは、窒化シリコン膜を用いて保護絶縁層１０３を形成する（図１（Ｅ））。
【００６８】
ここでは、保護絶縁層１０３として、絶縁性酸化物層１１６まで形成された基板１００を処理室内に搬入して１００℃以上４００℃以下の温度まで加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素ガスを含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンのターゲットを用いて窒化シリコン膜を形成する。ここで、保護絶縁層１０３の形成は、絶縁性酸化物層１１６の形成時と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。
【００６９】
なお、保護絶縁層１０３上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【００７０】
以上、図１を参照して説明したように、本実施の形態の半導体装置を作製することができる。なお、上記工程により容量素子をも同時に作製することができる。該容量素子は、ゲート電極層１１１と、ソース電極層１１５ａ（及びドレイン電極層１１５ｂ）と同一の電極層と、ゲート絶縁層１０２により形成される。ゲート電極層１１１と、該電極層の間にゲート絶縁層１０２が設けられている（図１（Ｆ）を参照）。なお、本明細書中の他のトランジスタを作製する際にも容量素子は、ゲート電極層と、ソース電極層と同一の電極層と、ゲート電極層とソース電極層と同一の電極層との間のゲート絶縁層により形成されていればよい。ただし、本実施の形態の半導体装置はこれに限定されず、図２に示す形態であってもよい。図２はトランジスタ１４０を示す。
【００７１】
図２に示すトランジスタ１４０の作製に際しては、まず、基板１２０上にゲート電極層１２１を形成し、第１のゲート絶縁層１２２ａ及び第２のゲート絶縁層１２２ｂを積層して形成する。ここでは、ゲート絶縁層を２層の積層構造とし、第１のゲート絶縁層１２２ａには絶縁性窒化物層を、第２のゲート絶縁層１２２ｂに絶縁性酸化物層を配する。
【００７２】
絶縁性酸化物層としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層または酸化窒化アルミニウム層などを用いることができる。また、絶縁性窒化物層としては、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウム層などを用いることができる。
【００７３】
本実施の形態では、ゲート電極層１２１側から窒化シリコン層と酸化シリコン層とを積層した構造とする。第１のゲート絶縁層１２２ａとしてスパッタリング法により厚さ５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下（ここでは厚さ５０ｎｍ）の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁層１２２ａ上に第２のゲート絶縁層１２２ｂとして厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下（ここでは厚さ１００ｎｍ）の酸化シリコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して形成することで、ゲート絶縁層（ここでは厚さ１５０ｎｍ）を形成する。
【００７４】
次に、ゲート絶縁層上に酸化物半導体膜の形成を行い、該酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。ここでは、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。
【００７５】
酸化物半導体膜の形成は、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【００７６】
酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００７７】
次いで、第１の加熱処理を行って、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。なお、４２５℃以上であれば加熱処理時間は１時間以下でよいが、４２５℃未満であれば加熱処理時間は、１時間よりも長時間行うことが好ましい。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。その後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のＮ２Ｏガス、または超乾燥エア（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）を導入して冷却を行う。酸素ガスまたはＮ２Ｏガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはＮ２Ｏガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち、酸素ガスまたはＮ２Ｏガス中の不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【００７８】
なお、ここで用いる加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えばＧＲＴＡ装置またはＬＲＴＡ装置などのＲＴＡ装置を用いてもよい。ここでは、ＲＴＡ法を用いて、６００℃〜７５０℃で数分間加熱処理を行う。
【００７９】
また、脱水化または脱水素化を行う第１の加熱処理後に２００℃以上４００℃以下、好ましくは２００℃以上３００℃以下の温度で酸素ガスまたはＮ２Ｏガス雰囲気下での加熱処理を行ってもよい。
【００８０】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を搬出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【００８１】
以上の工程を経ることによって酸化物半導体膜全体を酸素過剰な状態とすることができ、高抵抗化（Ｉ型化）させることができ、全面がＩ型化した酸化物半導体層１３２を得ることができる。
【００８２】
次いで、第２のゲート絶縁層１２２ｂ及び酸化物半導体層１３２上に、導電膜を形成する。フォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層１３５ａ、ドレイン電極層１３５ｂを形成した後、レジストマスクを除去する。そして、スパッタリング法で絶縁性酸化物層１３６を形成する。
【００８３】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁性酸化物層１３６を形成することが好ましい。酸化物半導体層１３２と絶縁性酸化物層１３６に、水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【００８４】
絶縁性酸化物層１３６を形成する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００８５】
次いで、基板面内におけるトランジスタの電気的特性のばらつきを低減するため、不活性ガス雰囲気下または窒素ガス雰囲気下で加熱処理（好ましくは１５０℃以上３５０℃未満）を行ってもよい。ここでは、窒素雰囲気下で２５０℃１時間の加熱処理を行う。
【００８６】
また、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間の加熱処理を行う。この加熱処理は一定の温度に保持して行ってもよいし、室温から１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。該加熱処理を減圧下で行うと、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【００８７】
次に、絶縁性酸化物層１３６上に保護絶縁層１２３を形成する。ここでは、保護絶縁層１２３として、スパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。
【００８８】
保護絶縁層１２３及び第１のゲート絶縁層１２２ａを絶縁性窒化物層とすることで、水分、水素、水素化物、水酸化物などの不純物を含まず、これらの外部からの侵入をブロックすることも可能である。
【００８９】
従って、製造プロセスにおいて、外部からの水分などの侵入を防ぐことができる。また、半導体装置、例えば液晶表示装置としてデバイスが完成した後にも長期的に、外部からの水分などの不純物の侵入を防ぐことができるため、デバイスの長期信頼性を向上させることができる。
【００９０】
また、絶縁性窒化物層からなる保護絶縁層１２３と、第１のゲート絶縁層１２２ａとの間に設けられる絶縁層を除去し、保護絶縁層１２３と、第１のゲート絶縁層１２２ａとが接する構造としてもよい。
【００９１】
なお、保護絶縁層１２３上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【００９２】
以上、図２を参照して説明したように、本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【００９３】
なお、本実施の形態において、加熱処理の温度は上記に限定されない。以下に説明するように、加熱処理の温度を４００℃未満としてもよい。
【００９４】
なお、ゲート絶縁層及び酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないように、前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート電極層が形成された基板またはゲート絶縁層までが形成された基板を予備加熱し、基板に吸着した水素または水分などの不純物を脱離して排気するとよい。なお、予備加熱の温度としては、１００℃以上４００℃未満（好ましくは１５０℃以上３００℃以下）である。なお、予備加熱室は、クライオポンプが接続され、該予備加熱室は該クライオポンプにより排気されることが好ましい。なお、この予備加熱による前処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、ソース電極層及びドレイン電極層まで形成した基板にも同様に行ってもよい。
【００９５】
上記の前処理は、液晶表示パネル、エレクトロルミネセンス表示パネル、電子インクを用いた表示装置などのバックプレーン（トランジスタが形成された基板）の製造に用いることができる。上記の前処理は、４００℃未満の温度で行われるため、厚さが１ｍｍ以下で、一辺が１ｍを超えるガラス基板を用いる製造工程にも適用することができる。また、４００℃未満の処理温度で全ての工程を行うことができるので、表示パネルを製造するために多大なエネルギーを消費しないで済む。
【００９６】
なお、上記したトランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層の形成にもスパッタリング法を適用したが、これに限定されない。例えば、μ波（２．４５ＧＨｚ）の高密度プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。
【００９７】
次に、上記トランジスタを形成した評価用素子（ＴＥＧ）でのオフ電流の測定値について以下に説明する。
【００９８】
図４（Ａ）は、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍのトランジスタを２００個並列に接続（Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタと同等のもの）したものの上面図を示す。図４（Ｂ）は、その一部を拡大した上面図を示す。図４（Ｂ）の点線で囲んだ領域は、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ、Ｌｏｖ＝１．５μｍのトランジスタである。測定に際して、基板温度は室温とした。図３は、ソース−ドレイン間電圧（ドレイン電圧Ｖｄ）を１Ｖまたは１０Ｖとし、ソース−ゲート間電圧（ゲート電圧Ｖｇ）を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させたときのソース−ドレイン電流（ドレイン電流Ｉｄ）の変化特性として、Ｖｇ−Ｉｄカーブを示す。なお、図３では、Ｖｇを−２０Ｖ〜＋５Ｖまでの範囲で示している。
【００９９】
図３に示すように、Ｖｄが１Ｖのとき、及び１０Ｖのときの双方において、オフ電流は１×１０−１３［Ａ］以下となっている。この値は、測定機（半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ社製）の分解能（１００ｆＡ）以下である。このように、オフ電流が極めて低いトランジスタの作製方法について以下に説明する。
【０１００】
まず、ガラス基板上に下地層として、ＣＶＤ法により窒化シリコン層を形成し、窒化シリコン層上には酸化窒化シリコン層を形成した。そして、酸化窒化シリコン層上にはゲート電極層としてスパッタリング法によりタングステン膜を形成した。ここで、タングステン膜を選択的にエッチングしてゲート電極層を形成した。
【０１０１】
次に、ゲート電極層上には、ゲート絶縁層としてＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成した。
【０１０２】
次に、ゲート絶縁層上に、スパッタリング法によりＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２（ｍｏｌ数比））を用いて、厚さ５０ｎｍの酸化物半導体膜を形成した。ここで、酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、島状の酸化物半導体層を形成した。
【０１０３】
次に、クリーンオーブンを用いて、酸化物半導体層に対して、窒素雰囲気下、４５０℃で、１時間の加熱処理（第１の加熱処理）を行った。
【０１０４】
次に、酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層としてチタン層（厚さ１５０ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。ここで、ソース電極層及びドレイン電極層を選択的にエッチングし、１つのトランジスタのチャネル長Ｌを３μｍ、チャネル幅Ｗを５０μｍとし、２００個を並列に接続することで、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍとなるようにした。
【０１０５】
次に、酸化物半導体層に接するように保護絶縁層としてリアクティブスパッタ法により酸化シリコン層を厚さ３００ｎｍで形成した。そして、該酸化シリコン層を選択的にエッチングし、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に開口部を形成した。その後、窒素雰囲気下、２５０℃で、１時間の加熱処理（第２の加熱処理）を行った。そして、Ｖｇ−Ｉｄ特性を測定する前に、不活性雰囲気中で、１５０℃、１０時間の加熱処理を行った。このようにして、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタを作製した。
【０１０６】
図３に示すようにトランジスタのオフ電流が、１×１０−１３［Ａ］以下と非常に小さい理由は、上記作製工程において酸化物半導体層中における水素濃度を十分に低減できたためである。ここで、酸化物半導体層中の水素濃度は、５×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１８ｃｍ−３以下、さらに好ましくは５×１０１７ｃｍ−３以下とする。なお、酸化物半導体層中の水素濃度測定は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で行えばよい。
【０１０７】
なお、ここでは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いる例を示したが、特に限定されず、他の酸化物半導体材料、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。または、酸化物半導体材料として、ＡｌＯｘを２．５〜１０ｗｔ％含ませたＩｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系や、ＳｉＯｘを２．５〜１０ｗｔ％含ませたＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよい。
【０１０８】
酸化物半導体層のキャリア密度は、５×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１２ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１．４５×１０１０ｃｍ−３と同等、もしくはそれ以下である。即ち、酸化物半導体層のキャリア濃度は、限りなくゼロに近くすることができる。
【０１０９】
また、トランジスタのチャネル長Ｌは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることも可能である。
【０１１０】
なお、トランジスタのオフ状態において、酸化物半導体層は絶縁体として回路設計を行うことができる。
【０１１１】
次に、上記トランジスタに対してオフ電流の温度依存性を評価したのでその結果について説明する。温度依存性は、トランジスタが使われる最終製品の耐環境性や、性能の維持などを考慮する上で重要である。当然ながら、オフ電流の温度依存性は小さいことが好ましく、製品設計の自由度が増す。
【０１１２】
温度依存性は、トランジスタを形成した基板を恒温槽により一定温度に保持し、ドレイン電圧を６Ｖ、ゲート電圧を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させてＶｇ−Ｉｄカーブを取得して評価した。ここで、恒温槽により保持する一定の温度は、−３０、０、２５、４０、６０、８０、１００、及び１２０℃のいずれかとした。
【０１１３】
図５（Ａ）は、上記それぞれの温度で測定したＶｇ−Ｉｄカーブを示し、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の点線で囲んだ部分の拡大を示す。図中の矢印で示す右端の曲線が−３０℃で取得した曲線であり、左端が１２０℃で取得した曲線であり、その他の温度で取得した曲線は、その間に位置している。オン電流の温度依存性はほとんど見られない。また、オフ電流は、ゲート電圧が−２０Ｖ程度まで下がるまで、全ての温度で測定機の分解能に近い１×１０−１２［Ａ］以下となっており、温度依存性はほとんど見られない。すなわち、１２０℃の高温においても、オフ電流が１×１０−１２［Ａ］以下を維持できており、チャネル幅Ｗが１００００μｍであることを考慮すると、このトランジスタのオフ電流が非常に小さいことがわかる。
【０１１４】
高純度化された酸化物半導体（ｐｕｒｉｆｉｅｄ ＯＳ）を用いたトランジスタは、オフ電流の温度依存性がほとんど現れない。これは、酸化物半導体が高純度化されることによって、導電型が限りなく真性型に近づき、フェルミ準位が禁制帯の中央に位置するため、温度依存性を示さなくなるためである。また、これは、酸化物半導体のエネルギーギャップが３ｅＶ以上であり、熱励起キャリアが極めて少ないことにも起因する。また、ソース領域及びドレイン領域は縮退した状態にあるので、やはり温度依存性が現れない要因となっている。トランジスタの動作は、縮退したソース領域から酸化物半導体に注入されたキャリアによるものがほとんどであり、キャリア密度の温度依存性がないことから上記特性（オフ電流の温度依存性無し）を説明することができる。
【０１１５】
このようにオフ電流値が極めて小さいトランジスタを用いて、記憶回路（記憶素子）などを作製した場合、オフ電流値が小さく、ほとんどリークがないため、記憶データを保持する時間を長くすることができる。
【０１１６】
次に、上記説明したトランジスタを適用した半導体装置について説明する。
【０１１７】
図６は、メモリ回路のブロック図の一例を示す。図６に示すメモリ回路は、行デコーダ１５２と、書き込み及びリフレッシュ回路１５４と、列デコーダ１５６と、書き込み及びリフレッシュ回路１５８と、マトリクス状に配置された複数の記憶素子１５０と、を有し、マトリクス状に配置された記憶素子１５０に接続された信号線は、書き込み及びリフレッシュ回路１５４を介して行デコーダ１５２に接続され、マトリクス状に配置された記憶素子１５０に接続された走査線は、書き込み及びリフレッシュ回路１５８を介して列デコーダ１５６に接続されている。行デコーダ１５２には、ビット信号が入力される。書き込み及びリフレッシュ回路１５４には、リードイネーブル信号／ライトイネーブル信号（ＲＥ／ＷＥ）と、データ信号（ｄａｔａ）が入力され、出力信号（ＯＵＴ）が入力され、書き込み及びリフレッシュ回路１５４から出力される。
【０１１８】
記憶素子１５０のそれぞれは、容量素子とトランジスタを有し、該トランジスタのソース及びドレインの一方は信号線に接続され、該トランジスタのソース及びドレインの他方は容量素子の一方の電極に接続され、該容量素子の他方の電極は低電位（好ましくは、基準電位Ｖｓｓ）側の配線に接続されている。
【０１１９】
図７は、図６に示す書き込み及びリフレッシュ回路１５４に設けることができるリフレッシュ回路の具体的な一例を示す。なお、書き込み及びリフレッシュ回路１５８も同様の構造として設けることができる。
【０１２０】
図７に示す書き込み及びリフレッシュ回路は、論理積回路（ＡＮＤ回路）とセンスアンプ１７２を有する。第１の論理積回路１６０、第２の論理積回路１６２及び第３の論理積回路１６４の一方の入力には、行デコーダ１５２からの信号が入力される。第１の論理積回路１６０の他方の入力にはＰＲＣ信号が入力され、第２の論理積回路１６２の他方の入力にはライトイネーブル信号（ＷＥ）が入力され、第３の論理積回路１６４の他方の入力にはリードイネーブル信号（ＲＥ）が入力される。第１の論理積回路１６０の出力は、第１のスイッチ１６６のオン／オフを制御し、第２の論理積回路１６２の出力は、第２のスイッチ１６８のオン／オフを制御し、第３の論理積回路１６４の出力は、第３のスイッチ１７０のオン／オフを制御する。プリチャージ信号線Ｖｐｒｃは第１のスイッチ１６６を介して信号線に接続され、データ信号線ｄａｔａは第２のスイッチ１６８を介して信号線に接続されている。
【０１２１】
第１のスイッチ１６６及び第２のスイッチ１６８を介して接続された信号線は、第３のスイッチ１７０を介して、センスアンプ１７２に接続されている。センスアンプ１７２からは出力信号線（ＯＵＴ）に信号が出力される。
【０１２２】
なお、上記した論理積回路は、一般的な構成のものを用いればよく、単純な構成とすることが好ましい。
【０１２３】
なお、センスアンプとは、入力された信号を増幅する機能を有する回路をいう。
【０１２４】
なお、ここで信号としては、例えば電圧、電流、抵抗または周波数などを用いたアナログ信号またはデジタル信号を用いることができる。例えば、電位を少なくとも第１の電位と第２の電位で設定し、第１の電位としてハイレベル（高電位、ＶＨとも表記する。）の電位を用い、第２の電位としてローレベル（低電位、ＶＬとも表記する。）の電位を用いることで、２値のデジタル信号を設定することができる。また、ＶＨとＶＬは一定値であることが好ましいが、ノイズの影響を考慮して、ＶＨとＶＬに幅をもたせてもよい。
【０１２５】
以上説明したように、上記したトランジスタを用いて、メモリ（ＤＲＡＭ）回路を作製することができる。
【０１２６】
なお、メモリ回路のリフレッシュタイミングは、予め評価された記憶素子１５０のリーク電流に基づいて、設計段階で、任意の一定の時間間隔に決めればよい。リフレッシュタイミングは、メモリ回路のチップ完成後のリーク電流の温度依存性と作製プロセスの変動を考慮して設定される。
【０１２７】
上記したトランジスタのオフ電流に温度依存性はほとんど見られず、極めて小さい値を維持できるため、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１２８】
なお、ここで用いるメモリ回路は、上記したＤＲＡＭに限定されない。例えば、記憶素子をＳＲＡＭに置き換えてもよい。
【０１２９】
図８は、１の記憶素子に６つのトランジスタが設けられたＳＲＡＭの回路構成の一例を示す。なお、図８には１つの記憶素子のみを示しているが、これに限定されない。図８に示すＳＲＡＭの記憶素子１８０は、トランジスタ１８６とトランジスタ１８８によって構成されるインバータ回路と、トランジスタ１９０とトランジスタ１９２によって構成されるインバータ回路と、スイッチトランジスタとして動作するトランジスタ１８２とトランジスタ１８４で構成されている。
【０１３０】
図８に示すＳＲＡＭの書き込み動作について説明する。列デコーダによって特定の走査線がＶＨになると、トランジスタ１８２とトランジスタ１８４がオンし、インバータ回路対（トランジスタ１８６及びトランジスタ１８８によって構成されるインバータ回路と、トランジスタ１９０及びトランジスタ１９２によって構成されるインバータ回路）にデータが書き込まれる。データの書き込みが終了すると、トランジスタ１８２及びトランジスタ１８４はオフし、該インバータ回路対に書き込まれたデータが保持されることになる。
【０１３１】
次に、図８に示すＳＲＡＭの読み出し動作について説明する。まず、第１の信号線及び第２の信号線が記憶素子アレイの外から特定の電位（プリチャージ電位）にプリチャージされる。このプリチャージ電位は、ＶｄｄとＶｓｓの中間付近に設定すればよい。プリチャージ電位とされた第１の信号線及び第２の信号線は、フローティング状態とされ、その後走査線がＶＨになることでトランジスタ１８２及びトランジスタ１８４がオンし、インバータ回路対によって、第１の信号線及び第２の信号線が逆方向に駆動され、その差電圧をセンスアンプによって検知し、データを読み出すことになる。
【０１３２】
上記したトランジスタのオフ電流に温度依存性はほとんど見られず、極めて小さい値を維持できるため、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１３３】
なお、メモリとしてＳＲＡＭを用いる場合、設けられるトランジスタの数は６つに限定されるものではない。
【０１３４】
図９は、１の記憶素子に対して４つのトランジスタが設けられたＳＲＡＭの回路構成の一例を示す。図９は、図８に示すＳＲＡＭのトランジスタ１８６及びトランジスタ１９０を、抵抗素子１９４及び抵抗素子１９６に置き換えたものである。
【０１３５】
図９に示す回路構成のＳＲＡＭであっても、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１３６】
以上説明したように、本発明の一態様である半導体装置を実現することができる。
【０１３７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１とは異なるものについて説明する。
【０１３８】
図１０は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１０（Ｄ）に示すトランジスタ２２０は、チャネル保護型（または、チャネルストップ型）と呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタの一つの形態である。基板２００上にトランジスタ２２０を作製する工程について以下に説明する。
【０１３９】
まず、絶縁表面を有する基板２００上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜を加工し、ゲート電極層２０２を形成する。
【０１４０】
また、ゲート電極層２０２を形成する材料は、ゲート電極層１１１と同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１４１】
なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１４２】
次に、ゲート電極層２０２を覆ってゲート絶縁層２０４を形成する。ここでは、例えば、ゲート絶縁層２０４として、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。
【０１４３】
次に、ゲート絶縁層２０４上に、酸化物半導体膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。該酸化物半導体膜は、例えば、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように形成すればよい。ここでは、例えば、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１４４】
ここで、該酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１４５】
次に、酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板２００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層２０６を得る（図１０（Ａ））。
【０１４６】
次に、Ｎ２Ｏ、Ｎ２またはＡｒなどのガスを用いてプラズマ処理を行うとよい。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層２０６の表面に付着した水などを除去する。また、プラズマ処理は、Ｏ２とＡｒの混合ガスを用いて行ってもよい。
【０１４７】
次に、ゲート絶縁層２０４及び酸化物半導体層２０６上に絶縁性酸化膜を形成した後、第３のフォトリソグラフィ工程により絶縁性酸化物層２０８を形成し、レジストマスクを除去する。
【０１４８】
ここでは、例えば、絶縁性酸化物層２０８となる絶縁性酸化膜として厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜をスパッタリング法により形成する。形成時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、ここでは１００℃とする。ここで、スパッタリング法は、希ガス（例えば、アルゴン）雰囲気、酸素雰囲気、または希ガスと酸素の混合ガス雰囲気下において行えばよい。ターゲットとしては、例えば酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素と窒素の混合雰囲気下でスパッタリング法を行うことにより、酸化シリコンを形成することができる。低抵抗化した酸化物半導体層に接して形成する絶縁性酸化物層２０８は、水分、水素イオン、及び水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックすることができる無機絶縁膜を用いて形成されるとよく、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体層２０６及び絶縁性酸化物層２０８に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。そのため、絶縁性酸化膜の形成に際しても、上記したように、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましく、形成時に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）程度まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１４９】
ここで、第２の加熱処理を行ってもよい。
【０１５０】
第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層２０６の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層２０８と接した状態で加熱される。
【０１５１】
または、第２の加熱処理の後に更なる加熱処理を行ってもよい。ここでは、さらに絶縁性酸化物層２０８が設けられ、一部が露出している酸化物半導体層２０６を、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、または減圧下で更なる加熱処理を行う。絶縁性酸化物層２０８によって覆われていない露出された酸化物半導体層２０６の領域は、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、または減圧下で加熱処理を行うことで、低抵抗化させることができる。ここでは、例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。絶縁性酸化物層２０８が設けられた酸化物半導体層２０６に対してこのように加熱処理を行うことで、酸化物半導体層２０６の露出した領域は低抵抗化し、抵抗の異なる領域を有する酸化物半導体層２１０となる。図１０（Ｂ）において、斜線を付していない白地の領域が低抵抗化領域である。
【０１５２】
上記の第２の加熱処理までの工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の一部を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート電極層２０２と重なるチャネル形成領域の導電性が低下してＩ型となり、ソース電極層に重なる高抵抗ソース領域と、ドレイン電極層に重なる高抵抗ドレイン領域が、自己整合的に形成される。
【０１５３】
次に、ゲート絶縁層２０４、酸化物半導体層２１０、及び絶縁性酸化物層２０８上に、導電膜を形成した後、第４のフォトリソグラフィ工程によりソース電極及びドレイン電極層２１２を形成した後、レジストマスクを除去する（図１０（Ｃ））。
【０１５４】
ソース電極及びドレイン電極層２１２を形成する材料は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂと同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１５５】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０１５６】
なお、ドレイン電極層（及びソース電極層）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ドレイン領域（または高抵抗ソース領域）が設けられていることにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域を形成することで、ドレイン電極層から高抵抗ドレイン領域、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させるような構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層に高電源電位Ｖｄｄを供給する配線を接続して動作させる場合、ゲート電極層とドレイン電極層との間の電位差が大きい場合であっても、高抵抗ドレイン領域がバッファとなりトランジスタの耐圧を高いものとすることができる。
【０１５７】
以上の工程でトランジスタ２２０が形成される。
【０１５８】
次に、絶縁性酸化物層２０８、並びにソース電極及びドレイン電極層２１２上に保護絶縁層２１４を形成する。ここでは、保護絶縁層２１４は、例えば窒化シリコン膜を用いて形成すればよい（図１０（Ｄ））。
【０１５９】
なお、絶縁性酸化物層２０８、並びにソース電極及びドレイン電極層２１２上に更に絶縁性酸化物層を形成し、該絶縁性酸化物層上に保護絶縁層２１４を形成してもよい。
【０１６０】
なお、図示していないが、トランジスタ２２０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０１６１】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０１６２】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１及び実施の形態２とは異なるものについて説明する。
【０１６３】
図１１は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１１（Ｄ）に示すトランジスタ３２０は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つの形態である。基板３００上にトランジスタ３２０を作製する工程について以下に説明する。
【０１６４】
まず、絶縁表面を有する基板３００上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜を加工し、ゲート電極層３０２を形成する。
【０１６５】
また、ゲート電極層３０２を形成する材料は、ゲート電極層１１１と同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１６６】
なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１６７】
次に、ゲート電極層３０２を覆ってゲート絶縁層３０４を形成する。ここでは、例えば、ゲート絶縁層３０４として、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。
【０１６８】
次に、ゲート絶縁層３０４上に導電膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程によりソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂと、を形成する（図１１（Ａ））。
【０１６９】
ソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂと、を形成する材料は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂと同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１７０】
次に、ゲート絶縁層３０４上と、ソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂの上に、酸化物半導体膜３０８を形成する（図１１（Ｂ））。その後、酸化物半導体膜３０８を第３のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。このとき、実施の形態１と同様、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体膜３０８に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１７１】
次に、酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板３００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層３１０を得る（図１１（Ｃ））。
【０１７２】
酸化物半導体層３１０に接する保護絶縁膜となる絶縁性酸化物層３１４を形成する。絶縁性酸化物層３１４は、少なくとも厚さ１ｎｍ以上とし、上記した酸化物半導体膜の形成時と同様に、水、水素などの不純物を混入させない方法を用いて形成するとよい。絶縁性酸化物層３１４に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層へ侵入し、または水素が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸化物半導体層３１０の絶縁性酸化物層３１４と接する部分が低抵抗化（Ｎ型化）されてしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁性酸化物層３１４には、可能な限り水素が含まれないように形成することが重要である。
【０１７３】
絶縁性酸化物層３１４は絶縁性酸化物層１１６と同様に形成することができる。
【０１７４】
次に、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理は、実施の形態１と同様に行うことができる。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層３１４と接した状態で加熱される。
【０１７５】
以上の工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の全面を酸素過剰な状態とする。その結果、Ｉ型の酸化物半導体層３１２が形成される。
【０１７６】
以上説明したように、トランジスタ３２０が形成される。
【０１７７】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０１７８】
なお、絶縁性酸化物層３１４上には、さらに保護絶縁層１０３と同様の保護絶縁層３１６を形成してもよい。このような保護絶縁層３１６としては、例えば、ＲＦスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する（図１１（Ｄ））。
【０１７９】
保護絶縁層３１６上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【０１８０】
なお、図示していないが、トランジスタ３２０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０１８１】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０１８２】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態３とは異なるものについて説明する。
【０１８３】
図１２（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置の平面の一例を示し、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の線Ｃ１−Ｃ２における断面図を示す。図１２（Ａ）及び（Ｂ）に示すトランジスタ４１０は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。
【０１８４】
トランジスタ４１０は、絶縁表面を有する基板４００上に、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、ソース電極層４１５ａ、及びドレイン電極層４１５ｂ、ゲート絶縁層４０２、ゲート電極層４１１を含み、ソース電極層４１５ａ、ドレイン電極層４１５ｂにそれぞれ配線層４１４ａ、配線層４１４ｂが接して設けられており、ソース電極層４１５ａは配線層４１４ａに電気的に接続され、ドレイン電極層４１５ｂは配線層４１４ｂに電気的に接続されている。
【０１８５】
基板４００上にトランジスタ４１０を作製する工程について以下に説明する。
【０１８６】
まず、絶縁表面を有する基板４００上に下地膜となる絶縁層４０７を形成する。絶縁層４０７としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などの絶縁性酸化物層を用いると好ましい。絶縁層４０７の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いることができるが、絶縁層４０７中に水素などの不純物が含まれないようにするためには、スパッタリング法で絶縁層４０７を形成することが好ましい。
【０１８７】
ここでは、絶縁層４０７として、スパッタリング法により酸化シリコン層を形成する。基板４００を処理室へ搬入し、水素及び水分が除去された高純度な酸素を含むスパッタガスを処理室へ導入し、シリコンまたは石英のターゲットを用いて酸化シリコン層を形成する。また基板４００は室温でもよいし、加熱されていてもよい。
【０１８８】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。絶縁層４０７に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１８９】
ここで、絶縁層４０７の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９０】
また、絶縁層４０７は積層構造でもよく、例えば、基板４００側から窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウムなどの絶縁性窒化物層と、上記絶縁性酸化物層との積層構造としてもよい。
【０１９１】
例えば、酸化シリコン層と基板との間に水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を形成する。この場合においても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン層を形成することが好ましい。
【０１９２】
絶縁層４０７として窒化シリコン層上に酸化シリコン層を積層して形成する場合、窒化シリコン層と酸化シリコン層を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用いて形成することができる。まず、処理室内に窒素を含むスパッタガスを導入して、処理室内のシリコンターゲットを用いてスパッタリングを行うことで窒化シリコン層を形成し、次に、処理室内に導入するガスを、酸素を含むスパッタガスに切り替えて同じシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を形成する。このようにスパッタリングを行うと、窒化シリコン層と酸化シリコン層を大気に曝露せずに連続して形成することができるため、窒化シリコン層の表面に水素や水分などの不純物が吸着することを防止することができる。
【０１９３】
次いで、絶縁層４０７上に酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜は、スパッタリング法により、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下で形成することが好ましい。
【０１９４】
また、酸化物半導体膜に、水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないように、前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁層４０７が形成された基板４００を予備加熱し、基板４００に吸着した水素または水分などの不純物を脱離して排気するとよい。なお、予備加熱室は、クライオポンプが接続され、該予備加熱室は該クライオポンプにより排気されることが好ましい。また、この予備加熱による前処理は、後に形成するゲート絶縁層４０２の形成前の基板４００に行ってもよいし、後に形成するソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂまで形成した基板４００に同様に行ってもよい。
【０１９５】
酸化物半導体膜を形成する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９６】
酸化物半導体膜は、処理室内の残留水分を除去しつつ、水素及び水分が除去されたスパッタガスを処理室内へ導入し、金属酸化物をターゲットとして形成する。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１９７】
次いで、酸化物半導体膜を第１のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１９８】
なお、ここでの酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよいし、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１９９】
ドライエッチング法としては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。
【０２００】
ウェットエッチングに用いるエッチャントとしては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２）などを用いることができる。また、具体的には、関東化学社から透明導電膜用のエッチャントとして販売されているＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０２０１】
また、ウェットエッチング後のエッチャントはエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチャントの廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウムなどの材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。
【０２０２】
ここでは、エッチャントとして燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体層に加工する。
【０２０３】
次に、該酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板４００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層４１２を得る（図１３（Ａ））。
【０２０４】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０２０５】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁層を形成した後のいずれのタイミングで行ってもよい。
【０２０６】
次いで、絶縁層４０７及び酸化物半導体層４１２上に導電膜を形成する。該導電膜は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂとなる導電膜と同様に形成すればよい。
【０２０７】
次に、第２のフォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工してソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂを形成した後、レジストマスクを除去する（図１３（Ｂ））。なお、形成されたソース電極層、ドレイン電極層の端部はテーパ形状であると、これらの上に積層して形成するゲート絶縁層の被覆性が向上するため好ましい。
【０２０８】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層４１２としてはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【０２０９】
なお、第２のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層４１２は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２１０】
第２のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光を用いるとよい。なお、チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を用いて行うとよい。
【０２１１】
次いで、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂ上にゲート絶縁層４０２を形成する（図１３（Ｃ））。
【０２１２】
ゲート絶縁層４０２は、ゲート絶縁層１０２と同様に形成することができる。
【０２１３】
次いで、第３のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁層４０２の一部を除去して、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂに達する開口４２１ａ及び開口４２１ｂを形成する（図１３（Ｄ））。
【０２１４】
次に、ゲート絶縁層４０２、開口４２１ａ及び開口４２１ｂ上に導電膜を形成した後、第４のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層４１１、配線層４１４ａ及び配線層４１４ｂを形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２１５】
また、ゲート電極層４１１、配線層４１４ａ及び配線層４１４ｂは、ゲート電極層１１１と同様に形成することができる。
【０２１６】
なお、透光性を有する導電膜を用いてゲート電極層４１１を形成することもできる。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性酸化物などをその例に挙げることができる。
【０２１７】
次いで、第２の加熱処理を行ってもよい。
【０２１８】
第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の第２の加熱処理を行う。なお、第２の加熱処理は、トランジスタ４１０上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成した後に行ってもよい。
【０２１９】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０２２０】
以上の工程で、トランジスタ４１０を形成することができる（図１３（Ｅ））。
【０２２１】
また、トランジスタ４１０上に保護絶縁層や、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。例えば、保護絶縁層として酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。
【０２２２】
上記のように酸化物半導体膜を形成するに際し、処理室内に含まれる残留水分を除去することで、該酸化物半導体膜中に含まれる水素及び水素化物の濃度を低減することができる。
【０２２３】
なお、図示していないが、トランジスタ４１０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０２２４】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２２５】
（実施の形態５）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態４とは異なるものについて説明する。
【０２２６】
図１４（Ａ）は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１４（Ａ）に示すトランジスタ５２０は、図１３（Ｅ）に示すトランジスタ４１０における基板４００と絶縁層４０７の間に、絶縁層５２２と導電層５２７が挟持されているものである。導電層５２７は、酸化物半導体層５１２の全面と重畳している。図１４（Ｂ）に示すトランジスタ５２１は、図１３（Ｅ）に示すトランジスタ４１０における基板４００と絶縁層４０７の間に、絶縁層５２２と導電層５２４が挟持されているものである。導電層５２４は、酸化物半導体層５１２の一部（具体的には、チャネル形成領域）と重畳している。
【０２２７】
また、導電層５２４及び導電層５２７は、トランジスタ５２０及びトランジスタ５２１のゲート電極層と同様の材料及び方法で形成してもよいし、異なるものであってもよい。導電層５２４及び導電層５２７は、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層５２４及び導電層５２７の電位がＧＮＤ、０Ｖの固定電位であってもよい。
【０２２８】
導電層５２４及び導電層５２７によって、トランジスタ５２０及びトランジスタ５２１の電気的特性（例えば、閾値電圧など）を制御することができる。
【０２２９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２３０】
（実施の形態６）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態５とは異なるものについて説明する。
【０２３１】
図１５（Ａ）は、本実施の形態のトップゲート構造のトランジスタ６１０の平面図を示し、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）の線Ｄ１−Ｄ２における断面図を示す。
【０２３２】
トランジスタ６１０は、絶縁表面を有する基板６００上に、絶縁層６０７、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ（６１５ａ１、６１５ａ２）、酸化物半導体層６１２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８、ゲート絶縁層６０２、ゲート電極層６１１（６１１ａ、６１１ｂ）を含み、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ（６１５ａ１、６１５ａ２）は、配線層６１８を介して配線層６１４と電気的に接続されている。また、図示していないが、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂもゲート絶縁層６０２に設けられた開口において配線層６１４と電気的に接続されている。
【０２３３】
基板６００上にトランジスタ６１０を作製する工程について、図１６（Ａ）乃至（Ｅ）を参照して以下に説明する。
【０２３４】
まず、絶縁表面を有する基板６００上に下地膜となる絶縁層６０７を形成する。
【０２３５】
ここでは、絶縁層６０７として、スパッタリング法により酸化シリコン層を形成する。基板６００を処理室へ搬入し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットまたは石英（好ましくは合成石英）を用いて、基板６００に絶縁層６０７として、酸化シリコン層を形成する。なお、スパッタガスとして、酸素または、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
【０２３６】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。絶縁層６０７に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０２３７】
ここで、絶縁層６０７の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０２３８】
また、絶縁層６０７は積層構造でもよく、例えば、基板６００側から窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウム層などの絶縁性窒化物層と、上記絶縁性酸化物層との積層構造としてもよい。
【０２３９】
例えば、酸化シリコン層と基板との間に水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を形成する。この場合においても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン層を形成することが好ましい。
【０２４０】
次いで、絶縁層６０７上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、を形成した後、レジストマスクを除去する（図１６（Ａ））。ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２は、断面図では分断されているように示されているが、実際には分断されていない。なお、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２がテーパ形状であると、上に積層する酸化物半導体層６１２の被覆性が向上するため好ましい。
【０２４１】
ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、またはこれらを成分とする合金、またはこれらの元素を組み合わせた合金膜などが挙げられる。また、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｔｈのうちいずれか一または複数の材料を用いてもよい。また、導電膜は、単層であっても、複数の層を積層した構造であってもよい。例えば、Ｓｉを含むＡｌ膜の単層構造、Ａｌ膜上にＴｉ膜を積層した２層の積層構造、２つのＴｉ膜によりＡｌ膜を挟んだ３層の積層構造などが挙げられる。または、該導電膜がＡｌ膜である場合に、ＮｄまたはＳｃを含ませてもよい。なお、これらの膜は、窒化膜であってもよい。
【０２４２】
ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２として、スパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。
【０２４３】
次いで、絶縁層６０７、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２上に、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物半導体膜を形成する。
【０２４４】
酸化物半導体膜の形成は、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０２４５】
酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）程度まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０２４６】
次に、酸化物半導体膜を、第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する（図１６（Ｂ））。ここでは、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。
【０２４７】
ここで、島状の酸化物半導体層に第１の加熱処理を行って、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板６００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層６１２を得る（図１６（Ｂ））。
【０２４８】
なお、加熱処理装置は上記した電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ここで、ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱を行う加熱処理装置である。ここで高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素ガスのように、加熱処理によって被処理物と反応しにくい不活性な気体が用いられる。ＧＲＴＡを用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
【０２４９】
なお、第１の加熱処理においては、処理室内に導入するガスである、窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスに、水及び水素などが含まれていないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０２５０】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０２５１】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にさらにソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁層を形成した後、のいずれのタイミングで行ってもよい。
【０２５２】
次いで、絶縁層６０７及び酸化物半導体層６１２上に導電膜を形成し、第３のフォトリソグラフィ工程により該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工することでソース電極及びドレイン電極層６１５ｂと、配線層６１８と、を形成する。その後、レジストマスクを除去する（図１６（Ｃ））。ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８はソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と同様な材料と工程で形成すればよい。
【０２５３】
ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８としてスパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに同じチタン膜を用いているため、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂは、エッチング選択比がとれない。よって、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２が、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂのエッチング時にエッチングされないように、酸化物半導体層６１２に覆われないソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２上に配線層６１８を設けている。ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂのエッチング選択比を高くすることが可能な場合には、配線層６１８は必ずしも設けなくてもよい。
【０２５４】
なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層６１２がエッチングされないように、それぞれの材料とエッチング条件を適宜調節する。
【０２５５】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層６１２にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【０２５６】
なお、第３のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層６１２は、その一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２５７】
次いで、絶縁層６０７、酸化物半導体層６１２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ上に、ゲート絶縁層６０２を形成する。
【０２５８】
ゲート絶縁層６０２は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層６０２中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法でゲート絶縁層６０２を形成することが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する場合には、ターゲットとしてシリコンターゲットまたは石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素、または酸素とアルゴンの混合ガスを用いて行う。
【０２５９】
ゲート絶縁層６０２は、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ側から酸化シリコン層と窒化シリコン層を積層した構造とすることもできる。ここでは、酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気下でスパッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化シリコン層を形成する。
【０２６０】
次いで、第４のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁層６０２の一部を除去して、配線層６１８に達する開口６２３を形成する（図１６（Ｄ））。図示しないが、開口６２３の形成時にソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに達する開口を形成してもよい。
【０２６１】
次に、ゲート絶縁層６０２及び開口６２３上に導電膜を形成した後、第５のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）及び配線層６１４を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２６２】
また、ゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）、配線層６１４の材料は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｓｃなどの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
【０２６３】
ここでは、ゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）及び配線層６１４として、スパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。
【０２６４】
次いで、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）がゲート絶縁層６０２と接した状態で行われる。なお、第２の加熱処理は、トランジスタ６１０上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成した後に行ってもよい。
【０２６５】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。
【０２６６】
以上の工程で、水素、水分、水素化物、水酸化物の濃度が低減された酸化物半導体層６１２を有するトランジスタ６１０を形成することができる（図１６（Ｅ））。
【０２６７】
また、トランジスタ６１０上に保護絶縁層や、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。なお、図示しないが、ゲート絶縁層６０２、保護絶縁層や平坦化絶縁層にソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに達する開口を形成し、その開口に、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂと電気的に接続する配線層を形成する。
【０２６８】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２６９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、図１４（Ｂ）に示すトランジスタに近い構造のものを用いて、本発明の一態様であるトランジスタについて、エネルギーバンド図を参照して説明する。
【０２７０】
図１７に、本実施の形態に示す酸化物半導体を用いた逆スタガー型の薄膜トランジスタの縦断面図を示す。ゲート電極（ＧＥ１）上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を介して酸化物半導体膜（ＯＳ）が設けられ、その上にソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）が設けられている。
【０２７１】
図１８は、図１７のＡ−Ａ’におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１８（Ａ）はソースとドレインの間の電圧を等電位（Ｖｄ＝０Ｖ）とした場合を示し、図１８（Ｂ）はソースに対しドレインに正の電位（Ｖｄ＞０）を加えた場合を示す。
【０２７２】
図１９は、図１７におけるＢ−Ｂ’におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１９（Ａ）は、ゲート（Ｇ１）に正の電位（＋Ｖｇ）が印加された状態であり、ソースとドレインの間にキャリア（電子）が流れるオン状態を示している。また、図１９（Ｂ）は、ゲート（Ｇ１）に負の電位（−Ｖｇ）が印加された状態であり、オフ状態（少数キャリアは流れない状態）である場合を示す。
【０２７３】
図２０は、真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す。
【０２７４】
常温において金属中の電子は縮退しており、フェルミ準位は伝導帯内に位置する。一方、従来の酸化物半導体は一般にｎ型であり、その場合のフェルミ準位（Ｅｆ）は、バンドギャップ中央に位置する真性フェルミ準位（Ｅｉ）から離れて、伝導帯寄りに位置している。なお、酸化物半導体において水素の一部はドナーとなりｎ型化する一つの要因であることが知られている。
【０２７５】
これに対して本実施の形態の酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより真性（ｉ型）とし、または真性型とせんとしたものである。すなわち、不純物を添加してｉ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたｉ型（真性半導体）またはそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位（Ｅｆ）は真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですることができる。
【０２７６】
酸化物半導体のバンドギャップ（Ｅｇ）が３．１５ｅＶである場合、電子親和力（χ）は４．３ｅＶと言われている。ソース電極及びドレイン電極を構成するチタン（Ｔｉ）仕事関数は、酸化物半導体の電子親和力（χ）とほぼ等しい。この場合、金属−酸化物半導体界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。
【０２７７】
すなわち、金属の仕事関数（φＭ）と酸化物半導体の電子親和力（χ）がほぼ等しい場合、両者が接触すると図１８（Ａ）で示すようなエネルギーバンド図（模式図）が示される。
【０２７８】
図１８（Ｂ）において黒丸（●）は電子を示し、ドレインに正の電位が印加された上で、破線はゲートに正の電圧（Ｖｇ＞０）を印加した場合を示す。ゲートに電圧が印加されない場合は、高いポテンシャル障壁の為に電極から酸化物半導体側へキャリア（電子）が注入されず電流を流さないオフ状態を示す。一方、ゲートに正の電圧を印加するとポテンシャル障壁が低下し、電流を流すオン状態を示す。
【０２７９】
このとき電子は、図１９（Ａ）で示すようにゲート絶縁膜と高純度化された酸化物半導体との界面における、酸化物半導体側のエネルギー的に安定な最低部を移動する。
【０２８０】
また、図１９（Ｂ）において、ゲート（Ｇ１）に負の電位が印加されると、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、電流は限りなくゼロに近い値となる。
【０２８１】
例えば、薄膜トランジスタのチャネル幅Ｗが１×１０４μｍでチャネル長が３μｍの素子であっても、オフ電流が１０−１３Ａ以下であり、サブスレッショルドスイング値（Ｓ値）が０．１Ｖ／ｄｅｃ．（ゲート絶縁膜厚１００ｎｍ）である。
【０２８２】
このように、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより、薄膜トランジスタの動作を良好なものとすることができる。特に、オフ電流を低減することができる。
【０２８３】
（実施の形態８）
本実施の形態は、本発明の一態様である、実施の形態１に示す半導体装置を適用した中央演算処理装置（ＣＰＵ）について説明する。
【０２８４】
図２１は、ＣＰＵのブロック図の一例を示す。図２１に示すＣＰＵ８０１は、タイミングコントロール回路８０２、命令解析デコーダー８０３、レジスタアレイ８０４、アドレスロジックバッファ回路８０５、データバスインターフェイス８０６、ＡＬＵ８０７（演算論理装置）、命令レジスタ８０８などより構成されている。
【０２８５】
ＣＰＵ８０１が有する回路には、実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いることができる。実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタは、酸化物半導体層を用いているため、電界効果移動度を大きくすることができる。また、水素濃度を十分に低減すると、トランジスタのオフ電流を極めて小さい値とすることができ、ＣＰＵ８０１の少なくとも一部を水素濃度が十分に低減された酸化物半導体層を有するトランジスタで構成することによって中央演算処理装置の消費電力を低くすることができる。
【０２８６】
ＣＰＵ８０１が有する各回路について以下に簡単に説明する。
【０２８７】
タイミングコントロール回路８０２は、外部からの命令を受け取り、それを内部用の情報に変換し、他のブロックに送り出す機能を有する。また、内部の動作に応じて、メモリデータの読み込み、書き込みなどの指示を外部に与える。
【０２８８】
命令解析デコーダー８０３は、外部の命令を内部用の命令に変換する機能を有する。
【０２８９】
レジスタアレイ８０４は、データを一時的に保管する機能を有する。従って、記憶素子を有する。
【０２９０】
アドレスロジックバッファ回路８０５は、外部メモリのアドレスを指定する機能を有する。
【０２９１】
データバスインターフェイス８０６は、外部のメモリまたはプリンタなどの機器とデータをやりとりする機能を有する。
【０２９２】
ＡＬＵ８０７は、演算を行う機能を有する。
【０２９３】
命令レジスタ８０８は、命令を一時的に記憶しておく機能を有する。従って、記憶素子を有する。
【０２９４】
ＣＰＵ８０１の少なくとも一部に実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いると、リーク電流が低減されるため、スタンバイ時の消費電力（待機電力）が低減される。そのため、このような中央処理装置の省電力化を図ることができる。ＣＰＵ８０１が有する各回路のうち、特にレジスタアレイ８０４または命令レジスタ８０８が有する記憶素子として、例えば実施の形態１にて説明した記憶素子を適用することができる。
【０２９５】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２９６】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について説明する。実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを適用した半導体装置の一例として、非接触でデータの入出力が可能である無線通信半導体装置について説明する。非接触でデータの入出力が可能である無線通信半導体装置は、ＲＦＩＤタグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップとも呼ばれる。
【０２９７】
本実施の形態の無線通信半導体装置の構造の一例について、図２２（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して説明する。図２２（Ａ）に示す無線通信半導体装置は、（オンチップ）アンテナが設けられた半導体集積回路チップ９００と、（ブースター）アンテナ９０２が設けられた支持基板９０４と、を有する。半導体集積回路チップ９００は、支持基板９０４及びアンテナ９０２上に形成された絶縁層９０８上に設けられている。絶縁層９０８としては、支持基板９０４及びアンテナ９０２上に半導体集積回路チップ９００を固定することができるものを用いればよく、例えばシール材などにより形成すればよい。
【０２９８】
なお、半導体集積回路チップ９００の表面には、静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止するために導電性遮蔽体が設けられていることが好ましい。導電性遮蔽体の抵抗が高く、アンテナ９０２のパターン間を導通させない場合には、アンテナ９０２と半導体集積回路チップ９００の表面に設けられる導電性遮蔽体とは接して設けられてもよい。
【０２９９】
半導体集積回路チップ９００内に設けられる半導体集積回路にはメモリ部やロジック部を構成する複数のトランジスタなどの素子が設けられる。これらのメモリ部やロジック部を構成するトランジスタとして、実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いることができる。
【０３００】
図２３（Ａ）は、図２２（Ａ）に示した半導体集積回路チップ９００に含まれる（オンチップ）アンテナと半導体集積回路の拡大図を示す。図２３（Ａ）において、アンテナ９１２は巻き数が１である矩形のループアンテナであるが、これに限定されない。アンテナ９１２は、曲線を有する形状（例えば円形）であってもよく、アンテナ９１２の巻き数は、複数であってもよい。アンテナ９１２の巻き数を１とすると、半導体集積回路９１０とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができるため、好ましい。
【０３０１】
また、図２３（Ａ）において、アンテナ９１２は、半導体集積回路９１０の周囲を取り囲むように配置されており、破線で示す給電点９１８に相当する部分以外は、アンテナ９１２は半導体集積回路９１０とは異なる領域に配置されている。図２３（Ａ）に示すように、アンテナ９１２が半導体集積回路９１０とは異なる領域に配置されていることで、半導体集積回路９１０とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができる。ただし、これに限定されず、図２３（Ｂ）に示すように、破線で示す給電点９１８に相当する部分以外において、アンテナ９１２が半導体集積回路９１０と少なくとも一部重なるように配置されていてもよい。
【０３０２】
図２２（Ａ）において、アンテナ９０２は、主に破線９０６で囲まれたループ状の部分における電磁誘導によって、半導体集積回路チップ９００が有するアンテナ９１２と信号の授受または電力の供給を行うことができる。また、アンテナ９０２は、主に、破線９０６で囲まれた部分以外の領域において、電波によって、外部の質問器と信号の授受を行うことができる。また、信号の授受のみならず、外部の質問器から電力が供給されてもよい。質問器と半導体集積回路チップ９００との間において、キャリア（搬送波）として用いられる電波の周波数は特に限定されないが、３０ＭＨｚ以上５ＧＨｚ以下が好ましく、例えば９５０ＭＨｚまたは２．４５ＧＨｚなどの周波数帯を用いればよい。
【０３０３】
また、アンテナ９０２は、破線９０６で囲まれた部分において巻き数が１である矩形のループアンテナであるが、これに限定されない。アンテナ９０２は、曲線を有する形状（例えば円形）であってもよく、アンテナ９０２の巻き数は、複数であってもよい。アンテナ９０２の破線９０６で囲まれた部分において巻き数を１とすると、アンテナ９０２とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができるため、好ましい。
【０３０４】
本実施の形態の無線通信半導体装置の通信方式は特に限定されず、例えば、電磁誘導方式、電磁結合方式またはマイクロ波方式を適用することができる。例えばマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０ＭＨｚ帯乃至９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯など）の場合には、用いる電磁波の波長によりアンテナ９０２とアンテナ９１２の長さ及び形状を決定すればよい。アンテナの形状として、上記した他に、線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテナまたはリボン型の形状）などが挙げられる。アンテナの形状として、上記した他に蛇行形状を用いてもよく、またはこれらを組み合わせてもよい。
【０３０５】
本実施の形態の無線通信半導体装置の通信方式は、上記したように、電磁誘導方式または電磁結合方式であってもよい。図２４は、電磁誘導方式または電磁結合方式を適用した例を示す。
【０３０６】
図２４においては、ブースターアンテナとしてコイル状のアンテナ９０２が設けられた支持基板９０４上に、コイル状のアンテナ９１２が設けられた半導体集積回路チップ９００が設けられている。
【０３０７】
次に、半導体集積回路チップ９００とブースターアンテナの構造及びその配置について説明する。図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示した半導体集積回路チップ９００と支持基板９０４に形成されたアンテナ９０２が積層された半導体装置の斜視図を示す。そして、図２２（Ｃ）は、図２２（Ｂ）の破線Ｘ−Ｙにおける断面図を示す。
【０３０８】
図２２（Ｃ）に示す半導体集積回路９１０は、第１の絶縁体９１４と第２の絶縁体９１６で挟持され、その側面も封止されている。ここでは、複数の半導体集積回路を挟持して第１の絶縁体と第２の絶縁体を貼り合わせた後、個々の半導体集積回路ごとの積層体に分断すればよい。分断した積層体に導電性遮蔽体を形成すると、半導体集積回路チップ９００が完成する。ここで、分断する手段としては、物理的に分断することができる手段であれば特定のものに限定されない。例えば、レーザ光を照射することによって分断することができる。
【０３０９】
図２２（Ｃ）では、半導体集積回路９１０が、アンテナ９１２よりもアンテナ９０２に近い位置に配置されているが、これに限定されない。アンテナ９１２が半導体集積回路９１０よりもアンテナ９０２に近い位置に配置されていてもよい。
【０３１０】
次に、本実施の形態の無線通信半導体装置の動作について簡単に説明する。図２５は、本実施の形態の無線通信半導体装置の構成の一例を示すブロック図である。なお、図２２乃至図２４と同じものを指す場合には同じ符号を付している。図２５に示す無線通信半導体装置は、アンテナ９０２と、半導体集積回路９１０と、アンテナ９１２と、を有する。アンテナ９０２はブースターアンテナであり、アンテナ９１２はオンチップアンテナである。
【０３１１】
まず、質問器９２０からの信号と電力を無線通信半導体装置が受信する場合について説明する。まず、質問器９２０から電磁波が送信され、アンテナ９０２が該電磁波を受信すると、アンテナ９０２内に交流の電流が生じ、アンテナ９０２の周囲に磁界が発生する。そして、アンテナ９０２が有するループ状の部分と、ループ状のアンテナ９１２が電磁結合することで、アンテナ９１２に誘導起電力が生じる。半導体集積回路９１０は、この誘導起電力を用いることで、信号または電力を質問器９２０から受け取る。
【０３１２】
逆に、質問器９２０に無線通信半導体装置が信号を送信する場合について説明する。このときは、半導体集積回路９１０において生成された信号に従って、アンテナ９１２に電流を流してアンテナ９０２に誘導起電力を生じさせることで、質問器９２０から送られてくる電波の反射波にのせて、質問器９２０に信号を送信することができる。
【０３１３】
なお、アンテナ９０２は、主にアンテナ９１２との間において電磁結合するループ状の部分と、主に質問器９２０からの電波を受信する部分に分けることができる。主に、質問器９２０からの電波を受信する部分では、アンテナ９０２は、電波を受信できる形状であればよい。例えば、ダイポールアンテナ、折り返しダイポールアンテナ、スロットアンテナ、メアンダラインアンテナ、マイクロストリップアンテナなどを用いればよい。
【０３１４】
また、上記の説明では、オンチップアンテナ及びブースターアンテナを各々１つだけ有する場合のみを示したが、これに限定されない。電力用のアンテナと信号を送受信するアンテナを別に設けてもよい。電力用のアンテナと信号を送受信するアンテナを別に設けることで、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数を異ならせることができ、電力の供給と信号の送受信をそれぞれ高効率で行うことができる。
【０３１５】
本実施の形態の半導体装置では、オンチップアンテナと、該オンチップアンテナと非接触で通信するブースターアンテナを用いているため、外付けのアンテナを半導体集積回路に物理的に直接接続する場合と比較して、外力によって半導体集積回路とアンテナの接続が分断されにくく、該接続における初期不良の発生も抑えることができる。
【０３１６】
また、本実施の形態の半導体装置では、ブースターアンテナを用いているので、オンチップアンテナのみを用いる場合と比較して、オンチップアンテナの寸法または形状が半導体集積回路の面積の制約を受けにくい。そのため、受信可能な電波の周波数帯が限定されず、オンチップアンテナのみを用いる場合よりも通信距離を長くすることができる。
【０３１７】
なお、本実施の形態の半導体集積回路は、可撓性基板に形成されていてもよい。半導体集積回路は、可撓性基板に形成する場合には可撓性基板上に素子を直接形成してもよいし、ガラス基板などの作製用基板に半導体集積回路を形成し、プラスチック基板などの可撓性基板へ転置してもよい。また、作製用基板に形成した半導体集積回路を可撓性基板へ転置する方法は特に限定されず、例えば、作製基板と半導体集積回路の間に剥離層を形成する方法を用いることができる。
【０３１８】
なお、半導体集積回路を可撓性基板へ転置する場合、例えば金属酸化物によって剥離層を形成することができる。この場合には、形成した金属酸化物を結晶化することで脆弱化し、被剥離層である半導体集積回路を含む素子層を作製基板から剥離すればよい。また、金属酸化物を結晶化した後、さらに剥離層の一部を溶液またはフッ化ハロゲンガス（ＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３など）を用いて除去し、剥離してもよい。
【０３１９】
または、剥離層として、窒素、酸素や水素などを含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜または酸素含有合金膜など）を用い、作製基板として透光性を有する基板を用いた場合には、作製基板から剥離層にレーザ光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて剥離してもよい。
【０３２０】
または、作製基板を機械的（例えば、研磨）にまたは化学的（例えば、上記したフッ化ハロゲンガスによるエッチング）に除去する方法を用いてもよい。なお、この場合には、剥離層を用いなくてもよい。
【０３２１】
または、レーザ光の照射、若しくは鋭利な刃物などを用いて、剥離層を露出させる溝を形成し、この溝をきっかけとして用いて剥離を行ってもよい。
【０３２２】
上記の剥離をする際には、例えば、機械的な力を加えればよい。機械的な力を加える方法としては、例えば、人間の手や把治具で引き剥がす処理、またはローラーを回転させながら分離する処理などが挙げられる。
【０３２３】
なお、剥離層を形成する材料の一例として、例えばタングステンが挙げられる。剥離層をタングステンにより形成した場合には、アンモニア水と過酸化水素水の混合液により、剥離層をエッチングしつつ剥離を行うことができる。
【０３２４】
実施の形態１乃至実施の形態７にて説明したトランジスタはオフ電流が小さいため、本実施の形態の半導体装置に適用することで、消費電力を低くすることができる。
【０３２５】
また、半導体集積回路を導電性遮蔽体により覆うと、半導体集積回路の静電破壊を防止することができる。
【０３２６】
また、半導体集積回路を挟持する一対の絶縁体によって、薄型及び小型であり、且つ信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３２７】
従って、低消費電力であり、静電破壊が抑制され、且つ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【０３２８】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０３２９】
（実施の形態１０）
本実施の形態は、本発明の一態様として、実施の形態９で説明した無線通信半導体装置を適用した例について説明する。
【０３３０】
図２６は、実施の形態９で説明した無線通信半導体装置と同様の半導体装置１０００の適用例を示す。半導体装置１０００は、電磁波の送信と受信ができるという機能を活用して、様々な物品やシステムに用いることができる。物品としては、例えば、鍵（図２６（Ａ）を参照）、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票など、図２６（Ｂ）を参照）、書籍類、容器類（シャーレなど、図２６（Ｃ）を参照）、装身具（鞄や眼鏡など、図２６（Ｄ）を参照）、包装用容器類（包装紙やボトルなど、図２６（Ｅ）及び（Ｆ）を参照）、記録媒体（ディスクやビデオテープなど）、乗物類（自転車など）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器（液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置、携帯端末など）などが挙げられる。半導体装置１０００は、上記のような様々な形状の物品の表面に貼り付けたり、埋め込んだりして、固定される。また、ここでシステムとしては、物品管理システム、認証機能システム、流通システムなどが挙げられる。
【０３３１】
実施の形態９にて説明した、低消費電力であり、静電破壊が抑制され、且つ信頼性の高い半導体装置を用いることで、信頼性の高いシステムを実現することができる。
【０３３２】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０３３３】
（実施の形態１１）
本実施の形態は、実施の形態１乃至実施の形態７にて説明したトランジスタを適用した表示装置について説明する。
【０３３４】
なお、本実施の形態の表示装置は、液晶表示装置またはＥＬ表示装置であってもよいが、ここでは一例として、電気泳動素子を用いた電子ペーパーについて説明する。
【０３３５】
図２７は、表示パネルとしてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを用いたものの断面図を示す。電子ペーパーは、紙と同程度に視認性が高く、他の表示パネルに比べて消費電力が低く、薄型化、軽量化が可能である。
【０３３６】
図２７（Ａ）は、ツイストボール方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。ツイストボール方式とは、白と黒に塗り分けられた球形の粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間の電圧によって球形粒子の向きを制御することで、画像を表示する方式をいう。
【０３３７】
図２７（Ａ）に示すツイストボール方式を用いた電子ペーパーは、表示部１１１４と駆動回路部１１１６を有する。表示部１１１４は、基板１１００上のトランジスタ１１０２と接続された第１の電極層１１０４と、基板１１０６上に設けられた第２の電極層１１０８と、第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８の間に配された球形粒子１１１０と、を有する。球形粒子１１１０は、黒色領域１１１０ａ及び白色領域１１１０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ１１１０ｃを含む。球形粒子１１１０の周囲には有機樹脂などの充填材１１１２が充填されている。第２の電極層１１０８は、共通電極（対向電極）に相当し、共通電位線と電気的に接続されている。なお、駆動回路部１１１６は、表示部１１１４内のトランジスタ１１０２と同一の工程で形成されたトランジスタを含む。
【０３３８】
図２７（Ｂ）は、電気泳動素子方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。図２７（Ｂ）では、図２７（Ａ）における球形粒子１１１０に代えてマイクロカプセル１１１８を用いる。マイクロカプセル１１１８は、透明な液体１１１８ｃと、負に帯電した黒色粒子１１１８ａと、正に帯電した白色粒子１１１８ｂと、を有する。マイクロカプセル１１１８の大きさは、直径１０μｍ〜２００μｍ程度である。
【０３３９】
第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８との間に設けられるマイクロカプセル１１１８は、第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８によって電場が与えられると第１の粒子である白色粒子１１１８ｂと、第２の粒子である黒色粒子１１１８ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射率が高いため補助ライトは不要であり、消費電力が小さく、薄暗い場所でも視認性が高い。また、表示部に電源が供給されていない状態であっても、一度表示した像を保持することが可能である。
【０３４０】
なお、第１の粒子と第２の粒子は染料を含み、電位勾配がない状態では移動しないものである。また、第１の粒子と第２の粒子の色は黒色と白色に限定されず、異なるもの（無色を含む）であればよい。
【０３４１】
上記したマイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものである。電子インクは、ガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０３４２】
なお、マイクロカプセル１１１８中の第１の粒子と第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【０３４３】
図２７（Ｃ）は、電子粉粒方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。第１の電極層１１０４と、第２の電極層１１０８と、リブ１１２０に囲まれた空間１１２２に、正に帯電した黒色粉粒体１１２４Ａと、負に帯電した白色粉粒体１１２４Ｂと、を充填する。なお、空間１１２２には、例えばエアが充填されていればよい。
【０３４４】
第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８によって電位勾配が生じると、黒色粉粒体１１２４Ａと、白色粉粒体１１２４Ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
【０３４５】
なお、図２７において、基板１１００としては、透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。ここで、プラスチック基板としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いてもよい。
【０３４６】
基板１１００としてプラスチック基板などを用いる場合には、例えば、ガラス基板上に剥離層を形成し、該剥離層上に素子を形成し、該素子の上面を別の基板に接着して剥離層を除去することで移し替えて、該別の基板からプラスチック基板上に移し替えればよい。ここで、剥離層としては、例えば酸化タングステンを用いることができる。剥離層を酸化タングステンにより形成すると、水により剥離することができるため好ましい。また、上記した別の基板もまたプラスチック基板であってもよい。
【０３４７】
本実施の形態によれば、電界効果移動度が高いトランジスタを大面積基板上に形成し、駆動回路を画素回路と同一基板上に形成することができるので、倍速駆動を可能とするなど、付加価値の高い電子ペーパーを提供することができる。
【０３４８】
また、本実施の形態では、本発明の一態様である電気泳動素子などを用いた電子ペーパーの一例について説明したが、これに限定されず、他の態様の電子ペーパーであってもよい。例えば、表示素子に液晶素子またはＥＬ素子を用いた電子ペーパーとしてもよい。
【０３４９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０３５０】
（実施の形態１２）
本実施の形態は、実施の形態１１で説明した表示装置を表示部に適用した、本発明の一態様である電子機器について説明する。
【０３５１】
実施の形態１１の表示装置を表示部に適用した電子機器として、例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポなど）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍など）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）などの記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０３５２】
図２８（Ａ）に示すディスプレイは、筐体１２００、支持台１２０１及び表示部１２０２を含み、入力された様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部１２０２に表示する機能を有する。なお図２８（Ａ）に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、例えばスピーカーを具備していてもよいし、情報の表示のみならず入力も可能なタッチパネルであってもよい。
【０３５３】
図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置は、筐体１２１１に表示部１２１２が組み込まれている。表示部１２１２により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、壁１２１０に固定して筐体の裏側を支持した構成を示している。
【０３５４】
図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置の操作は、筐体１２１１が備える操作スイッチや、リモコン操作機１２１５により行うことができる。リモコン操作機１２１５が備える操作キー１２１４により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部１２１２に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機１２１５に、当該リモコン操作機１２１５から出力する情報を表示する表示部１２１３を設ける構成としてもよい。
【０３５５】
なお、図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とするとよい。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０３５６】
図２８（Ｃ）に示すコンピュータは、本体１２２０、筐体１２２１、表示部１２２２、キーボード１２２３、外部接続ポート１２２４及びポインティングデバイス１２２５を含み、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部１２２２に表示する機能を有する。なお、図２８（Ｃ）に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、例えば、情報の表示のみならず入力も可能なタッチパネルであってもよい。
【０３５７】
本実施の形態にて説明した電子機器が有する記憶部に、実施の形態１にて説明した半導体装置を用いることで、信頼性が高く、消費電力が低い電子機器を実現することができる。
【０３５８】
本実施の形態にて説明した電子機器の表示部に、実施の形態１１にて説明した表示装置を用いることで、信頼性が高く、消費電力が低い電子機器を実現することができる。また、開口率を向上させることもできる。
【０３５９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０３６０】
１００ 基板
１０２ ゲート絶縁層
１０３ 保護絶縁層
１１０ トランジスタ
１１１ ゲート電極層
１１３ チャネル形成領域
１１４ａ 高抵抗ソース領域
１１４ｂ 高抵抗ドレイン領域
１１５ａ ソース電極層
１１５ｂ ドレイン電極層
１１６ 絶縁性酸化物層
１２０ 基板
１２１ ゲート電極層
１２２ａ ゲート絶縁層
１２２ｂ ゲート絶縁層
１２３ 保護絶縁層
１３０ 酸化物半導体膜
１３１ 酸化物半導体層
１３２ 酸化物半導体層
１３５ａ ソース電極層
１３５ｂ ドレイン電極層
１３６ 絶縁性酸化物層
１４０ トランジスタ
１５０ 記憶素子
１５２ 行デコーダ
１５４ 書き込み及びリフレッシュ回路
１５６ 列デコーダ
１５８ 書き込み及びリフレッシュ回路
１６０ 論理積回路
１６２ 論理積回路
１６４ 論理積回路
１６６ スイッチ
１６８ スイッチ
１７０ スイッチ
１７２ センスアンプ
１８０ 記憶素子
１８２ トランジスタ
１８４ トランジスタ
１８６ トランジスタ
１８８ トランジスタ
１９０ トランジスタ
１９２ トランジスタ
１９４ 抵抗素子
１９６ 抵抗素子
２００ 基板
２０２ ゲート電極層
２０４ ゲート絶縁層
２０６ 酸化物半導体層
２０８ 絶縁性酸化物層
２１０ 酸化物半導体層
２１２ ソース電極及びドレイン電極層
２１４ 保護絶縁層
２２０ トランジスタ
３００ 基板
３０２ ゲート電極層
３０４ ゲート絶縁層
３０６ａ ソース電極及びドレイン電極層
３０６ｂ ソース電極及びドレイン電極層
３０８ 酸化物半導体膜
３１０ 酸化物半導体層
３１２ 酸化物半導体層
３１４ 絶縁性酸化物層
３１６ 保護絶縁層
３２０ トランジスタ
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁層
４０７ 絶縁層
４１０ トランジスタ
４１１ ゲート電極層
４１２ 酸化物半導体層
４１４ａ 配線層
４１４ｂ 配線層
４１５ａ ソース電極層
４１５ｂ ドレイン電極層
４２１ａ 開口
４２１ｂ 開口
５１２ 酸化物半導体層
５２０ トランジスタ
５２１ トランジスタ
５２２ 絶縁層
５２４ 導電層
５２７ 導電層
６００ 基板
６０２ ゲート絶縁層
６０７ 絶縁層
６１０ トランジスタ
６１１ ゲート電極層
６１１ａ ゲート電極層
６１１ｂ ゲート電極層
６１２ 酸化物半導体層
６１４ 配線層
６１５ａ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ｂ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ａ１ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ａ２ ソース電極及びドレイン電極層
６１８ 配線層
６２３ 開口
８０１ ＣＰＵ
８０２ タイミングコントロール回路
８０３ 命令解析デコーダー
８０４ レジスタアレイ
８０５ アドレスロジックバッファ回路
８０６ データバスインターフェイス
８０７ ＡＬＵ
８０８ 命令レジスタ
９００ 半導体集積回路チップ
９０２ アンテナ
９０４ 支持基板
９０６ 破線
９０８ 絶縁層
９１０ 半導体集積回路
９１２ アンテナ
９１４ 絶縁体
９１６ 絶縁体
９１８ 給電点
９２０ 質問器
１０００ 半導体装置
１１００ 基板
１１０２ トランジスタ
１１０４ 電極層
１１０６ 基板
１１０８ 電極層
１１１０ 球形粒子
１１１２ 充填材
１１１４ 表示部
１１１６ 駆動回路部
１１１８ マイクロカプセル
１１２０ リブ
１１２２ 空間
１２００ 筐体
１２０１ 支持台
１２０２ 表示部
１２１０ 壁
１２１１ 筐体
１２１２ 表示部
１２１３ 表示部
１２１４ 操作キー
１２１５ リモコン操作機
１２２０ 本体
１２２１ 筐体
１２２２ 表示部
１２２３ キーボード
１２２４ 外部接続ポート
１２２５ ポインティングデバイス
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。特に、記憶回路を有する半導体装置（一例として、記憶装置）に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁表面を有する基板上の半導体薄膜を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。トランジスタは、液晶テレビに代表されるような表示装置などに用いられている。トランジスタに適用可能な半導体薄膜の材料としてシリコンが広く用いられているが、近年では酸化物半導体も注目されている。
【０００３】
酸化物半導体の材料としては、酸化亜鉛または酸化亜鉛を成分とするものが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。そして、電子キャリア濃度が１０１８ｃｍ−３未満の非晶質酸化物（酸化物半導体）で形成されたトランジスタが開示されている（例えば、特許文献３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１２３８６１号公報
【特許文献２】特開２００７−９６０５５号公報
【特許文献３】特開２００６−１６５５２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、酸化物半導体では、薄膜形成工程において化学量論的組成からのずれが生じてしまう。そして、酸素の過不足によって酸化物半導体の電気伝導度が変化してしまう。また、酸化物半導体の薄膜形成中に混入する水素が酸素と結合（Ｏ−Ｈ結合）を形成して電子供与体となり、電気伝導度を変化させる要因となる。さらにＯ−Ｈ結合は極性結合なので、酸化物半導体によって作製されるトランジスタなどの能動デバイスの特性を変動させる要因となる。
【０００６】
電子キャリア濃度が１０１８ｃｍ−３未満としても、酸化物半導体は実質的にはｎ型であり、特許文献１乃至特許文献３に開示されるトランジスタのオン／オフ比は１０３程度である。このようなトランジスタのオン／オフ比が低い理由はオフ電流が高いことに起因する。なお、オン／オフ比とは、オフ電流の値に対するオン電流の値の比をいう。
【０００７】
上記問題に鑑み、本発明の一態様は、安定した電気的特性（例えば、オフ電流がきわめて低減されている）を有するトランジスタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、酸化物半導体に含まれる水素が５×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１８ｃｍ−３以下、より好ましくは５×１０１７ｃｍ−３以下となるようにして、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１２ｃｍ−３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成されたトランジスタにより記憶回路が構成された半導体装置である。
【０００９】
ここで、酸化物半導体膜のエネルギーギャップは、２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上として、ドナーを形成する水素などの不純物を極力低減させ、キャリア濃度を１×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１２ｃｍ−３以下となるようにする。
【００１０】
このように高純度化された酸化物半導体膜をトランジスタのチャネル形成領域に用いると、チャネル幅が１０ｍｍと非常に長くとも、ドレイン電圧が１Ｖ及び１０Ｖ、ゲート電圧が−５Ｖから−２０Ｖまでである場合において、ドレイン電流は１×１０−１３Ａ以下とすることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一態様によれば、高純度化された酸化物半導体膜を用いたトランジスタで回路を構成することで、回路の動作を安定させることができる。また、オフ電流が１×１０−１３Ａ以下まで低減されているため、表示装置に適用した場合には、画素に印加した信号電圧を保持する容量を付加的に設ける必要がなくなる。すなわち、表示装置に適用した場合には、各画素に保持容量が不要なため、開口率を向上させることができる。
【００１２】
本発明の一態様によれば、表示装置に適用した場合には、画素を一定の状態（例えば、映像信号が書き込まれた状態）に保持することが可能となるので、静止画を表示する場合にも安定した動作をさせることができる。
【００１３】
本発明の一態様によれば、電界効果移動度が高く、且つオフ電流を小さくできるため、問題なく良好に動作し、消費電力が低い記憶回路を有する半導体装置を実現することができる。このような記憶回路を有する半導体装置は、例えば酸化物半導体層を有するトランジスタが表示装置の画素に設けられている場合に、記憶回路を有する半導体装置を同一基板上に形成することができるため、特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法及び、本発明の一態様である容量素子を説明する図。
【図２】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図３】本発明の一態様であるトランジスタの初期特性を説明する図。
【図４】本発明の一態様であるトランジスタを作製した例を説明する図。
【図５】本発明の一態様であるトランジスタのＶｇ−Ｉｄ特性を説明する図。
【図６】本発明の一態様である記憶回路（ＤＲＡＭ）を説明する図。
【図７】本発明の一態様である記憶回路のリフレッシュ回路を説明する図。
【図８】本発明の一態様である記憶回路（ＳＲＡＭ）を説明する図。
【図９】本発明の一態様である記憶回路（ＳＲＡＭ）を説明する図。
【図１０】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１１】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１２】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１３】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１４】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１５】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１６】本発明の一態様であるトランジスタとその作製方法を説明する図。
【図１７】本発明の一態様であるトランジスタを説明する図。
【図１８】図１７のＡ−Ａ’におけるエネルギーバンド図（模式図）。
【図１９】図１７のＢ−Ｂ’におけるエネルギーバンド図（模式図）。
【図２０】真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す図。
【図２１】本発明の一態様であるＣＰＵを説明する図。
【図２２】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２３】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２４】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２５】本発明の一態様である無線通信半導体装置を説明する図。
【図２６】本発明の一態様である無線通信半導体装置の適用例を説明する図。
【図２７】本発明の一態様である表示装置の一例を説明する図。
【図２８】本発明の一態様である電子機器の一例を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態について、図面を参照して以下に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されるものではない。本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解されるからである。したがって、本発明は以下に示す実施の形態及び実施例の記載内容のみに限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて本発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
【００１６】
なお、各実施の形態の図面などにおいて示す各構成の、大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されて示されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
【００１７】
なお、本明細書にて用いる第１、第２、第３といった序数を用いた用語は、構成要素を識別するために便宜上付したものであり、その数を限定するものではない。
【００１８】
（実施の形態１）
本実施の形態は、本発明の一態様である半導体装置について説明する。
【００１９】
まず、本実施の形態の半導体装置に用いることのできるトランジスタについて図１を参照して説明する。
【００２０】
図１に示すトランジスタ１１０は、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタである。
【００２１】
また、トランジスタ１１０は、シングルゲート構造のトランジスタであるが、必要に応じて、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【００２２】
まず、絶縁表面を有する基板１００上に導電膜を形成した後、第１のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層１１１を形成する。または、インクジェット法により形成したレジストマスクを用いて導電膜を加工してゲート電極層１１１を形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００２３】
絶縁表面を有する基板１００に使用することができる基板には大きな制限はないが、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必要である。絶縁表面を有する基板１００としては、バリウムホウケイ酸ガラス基板またはアルミノホウケイ酸ガラス基板などのガラス基板を用いることができる。
【００２４】
また、ガラス基板としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いた基板を用いればよいが、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いることが好ましい。なお、Ｂ２Ｏ３と比較してＢａＯを多く含ませることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含むガラス基板を用いることが好ましい。
【００２５】
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶縁体でなる基板を用いてもよい。または、これらの他にも、結晶化ガラスなどを用いることもできる。
【００２６】
なお、基板１００とゲート電極層１１１との間には、下地膜となる絶縁膜が設けられていてもよい。下地膜は、基板１００からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜から選ばれた一または複数の膜を積層して形成することができる。
【００２７】
ゲート電極層１１１の材料は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｓｃなどの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。ゲート電極層１１１が２層である場合には、例えば、Ａｌ層上にＭｏ層が積層された構造、Ｃｕ層上にＭｏ層が積層された構造、Ｃｕ層上に窒化チタン層若しくは窒化タンタル層が積層された構造、窒化チタン層とＭｏ層が積層された構造、または窒化タングステン層とＷ層が積層された構造とすることが好ましい。または、ゲート電極層１１１が３層である場合には、Ｗ層または窒化タングステン層と、ＡｌとＳｉの合金層若しくはＡｌとＴｉの合金層と、窒化チタン層またはＴｉ層が積層された構造とすることが好ましい。
【００２８】
次いで、ゲート電極層１１１上にゲート絶縁層１０２を形成する。
【００２９】
ゲート絶縁層１０２は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。例えば、原料ガスとして、ＳｉＨ４ガス、酸素ガス及び窒素ガスを用いて、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。ゲート絶縁層１０２の厚さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするとよい。または、ゲート絶縁層１０２が複数の絶縁層の積層構造である場合には、例えば、厚さ５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の第１のゲート絶縁層と、第１のゲート絶縁層上に厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２のゲート絶縁層の積層とするとよい。ゲート絶縁層１０２が複数の絶縁層の積層構造である場合にも、積層された複数の絶縁層の厚さの合計は、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下であるとよい。
【００３０】
ここでは、ゲート絶縁層１０２として、プラズマＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍ以下の酸化窒化シリコン層を形成する。
【００３１】
次いで、ゲート絶縁層１０２上に、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物半導体膜１３０を形成する。
【００３２】
なお、酸化物半導体膜１３０をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガス雰囲気下でプラズマを発生させて逆スパッタを行い、ゲート絶縁層１０２の表面に付着しているゴミを除去することが好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムまたは酸素などを用いてもよい。
【００３３】
酸化物半導体膜１３０は、四元系金属酸化物であるＩｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、三元系金属酸化物であるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、二元系金属酸化物であるＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系、または、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜を用いる。ここでは、酸化物半導体膜１３０としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。この段階での断面図が図１（Ａ）に相当する。また、酸化物半導体膜１３０は、希ガス（例えばアルゴン）雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または希ガス（例えばアルゴン）と酸素の混合ガス雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。なお、スパッタリング法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いてもよい。
【００３４】
酸化物半導体膜１３０をスパッタリング法で作製するためのターゲットとしては、例えば、酸化亜鉛を主成分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。また、金属酸化物のターゲットの他の例としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲット（組成比として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ数比］、または、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：０．５［ａｔｏｍ比］）を用いることができる。また、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物半導体ターゲットとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［ａｔｏｍ比］、または、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２［ａｔｏｍ比］のターゲットを用いることもできる。酸化物半導体ターゲットの充填率は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上９９．９％以下とする。充填率の高い酸化物半導体ターゲットを用いることにより、形成された酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
【００３５】
酸化物半導体膜１３０の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。なお、スパッタガスとは、スパッタリングを行う処理室内に導入するガスをいう。
【００３６】
まず、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、基板温度を１００℃以上６００℃以下（好ましくは２００℃以上４００℃以下）とする。基板を加熱しつつ形成することにより、形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物濃度を低減することができ、スパッタリングによる損傷が軽減される。そして、処理室内の残留水分を除去しつつ水素及び水分が除去されたスパッタガスを導入し、金属酸化物をターゲットとして基板上に酸化物半導体膜を形成する。処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用いて排気した処理室からは、例えば、水素原子、水などの水素原子を含む化合物、炭素原子を含む化合物などが除去されているため、当該処理室で形成した酸化物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。
【００３７】
酸化物半導体膜は、一例として、基板とターゲットの間の距離を１００ｍｍとし、処理室内の圧力を０．６Ｐａとし、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下で直流（ＤＣ）電源の電力を０．５ｋＷとして形成される。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーティクル、ゴミともいう）の発生を抑えることができ、厚さの分布も均一となるために好ましい。形成する酸化物半導体膜の厚さは、好ましくは５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすればよいが、これに限定されず、酸化物半導体材料により適切な厚みを選択すればよい。
【００３８】
次いで、酸化物半導体膜１３０を第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。または、インクジェット法により形成したレジストマスクを用いて酸化物半導体膜１３０を加工して島状の酸化物半導体層を形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００３９】
次いで、酸化物半導体層に第１の加熱処理を行う。この第１の加熱処理によって酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行うことができる。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板１００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層１３１を得る（図１（Ｂ））。
【００４０】
なお、加熱処理装置は上記した電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ここで、ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱を行う加熱処理装置である。ここで高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素ガスのように、加熱処理によって被処理物と反応しにくい不活性な気体が用いられる。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプまたは高圧水銀ランプなどのランプから発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する加熱処理装置である。
【００４１】
例えば、第１の加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温のガスを満たした処理室内に基板を搬入し、該高温のガスに数分間曝した後、該処理室から搬出するＧＲＴＡを行ってもよい。このようなＧＲＴＡを用いると短時間での加熱処理が可能である。
【００４２】
なお、第１の加熱処理においては、処理室内に導入するガスである、窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスに、水及び水素などが含まれていないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【００４３】
なお、第１の加熱処理の条件または酸化物半導体層の材料によっては、酸化物半導体層が結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。例えば、結晶化率が９０％以上、または８０％以上の微結晶膜となる場合もある。また、第１の加熱処理の条件、または酸化物半導体層の材料によっては、結晶成分を含まない非晶質の酸化物半導体膜となる場合もある。または、非晶質膜中に微結晶（粒径が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下（例えば２ｎｍ以上４ｎｍ以下））が混在する場合もある。
【００４４】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜１３０に行ってもよい。この場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行って島状の酸化物半導体層に加工すればよい。
【００４５】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上に保護絶縁膜を形成した後、のいずれのタイミングで行ってもよい。
【００４６】
また、ゲート絶縁層１０２にコンタクトホールを形成する場合には、酸化物半導体膜１３０に脱水化または脱水素化処理を行う前に行ってもよいし、脱水化または脱水素化処理を行った後にゲート絶縁層１０２にコンタクトホールを形成してもよい。
【００４７】
次いで、ゲート絶縁層１０２及び酸化物半導体層１３１上に導電膜を形成する。該導電膜は、スパッタリング法または真空蒸着法を用いて形成すればよい。該導電膜の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、またはこれらを成分とする合金、またはこれらの元素を組み合わせた合金膜などが挙げられる。また、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｔｈのいずれか一または複数の材料を用いてもよい。また、導電膜は、単層であっても、複数の層を積層した構造であってもよい。例えば、Ｓｉを含むＡｌ膜の単層構造、Ａｌ膜上にＴｉ膜を積層した２層の積層構造、２つのＴｉ膜によりＡｌ膜を挟んだ３層の積層構造などが挙げられる。または、該導電膜がＡｌ膜である場合に、ＮｄまたはＳｃを含ませてもよい。なお、これらの膜は、窒化膜であってもよい。
【００４８】
次に、第３のフォトリソグラフィ工程により、該導電膜を加工してソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂを形成する。その後、レジストマスクを除去する（図１（Ｃ））。
【００４９】
第３のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光を用いるとよい。ここで、酸化物半導体層１３１上で向かい合うソース電極層とドレイン電極層の間隔によって後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌが決定される。チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、第３のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光を、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を用いて行う。超紫外線による露光は、解像度が高く焦点深度も大きい。従って、後に形成されるトランジスタのチャネル長Ｌを１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることも可能であり、回路の動作速度を高速化でき、さらにオフ電流値が極めて小さいため、低消費電力化も図ることができる。
【００５０】
なお、該導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層１３１が除去されることがないように、それぞれの材料及びエッチング条件を適宜調節する必要がある。
【００５１】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層１３１にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【００５２】
なお、第３のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層１３１は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層１１５ａ、ドレイン電極層１１５ｂを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【００５３】
または、酸化物半導体層１３１とソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂのそれぞれの間には、酸化物導電層が形成されていてもよい。酸化物導電層とソース電極層及びドレイン電極層を形成するための導電層は、連続して形成することが可能である。該酸化物導電層は、ソース領域及びドレイン領域として機能しうる。
【００５４】
ソース領域及びドレイン領域として、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間に酸化物導電層が設けられることで、ソース領域及びドレイン領域の低抵抗化を図ることができ、トランジスタの動作速度を高速にすることができる。
【００５５】
また、フォトリソグラフィ工程で用いるフォトマスク数及び工程数を削減するため、多階調マスクによって形成されたレジストマスクを用いてエッチング工程を行ってもよい。
【００５６】
次いで、一酸化二窒素ガス、窒素ガス、またはＡｒガスなどを用いてプラズマ処理を行う。このプラズマ処理によって、露出された酸化物半導体層の表面に付着した吸着水などを除去する。または、酸素ガスとＡｒの混合ガスを用いてプラズマ処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った後には、大気に触れさせることなく、露出された酸化物半導体層の表面に接する保護絶縁膜となる絶縁性酸化物層１１６を形成する。
【００５７】
絶縁性酸化物層１１６は、少なくとも１ｎｍ以上の厚さとし、絶縁性酸化物層１１６に水、水素などの不純物を混入させない方法（スパッタリング法など）を用いて形成することができる。絶縁性酸化物層１１６に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層へ侵入し、または水素が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸化物半導体層の絶縁性酸化物層１１６と接する部分が低抵抗化（Ｎ型化）されてしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁性酸化物層１１６には、可能な限り水素が含まれないように形成することが重要である。
【００５８】
ここでは、絶縁性酸化物層１１６として厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜をスパッタリング法を用いて形成する。形成時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、ここでは１００℃とする。酸化シリコン膜のスパッタリング法による形成は、希ガス（例えばアルゴン）雰囲気下、酸素ガス雰囲気下、または希ガス（例えばアルゴン）と酸素ガスの混合ガス雰囲気下において行うことができる。また、ターゲットとしては、酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素ガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気下でスパッタリング法により酸化シリコンを形成することができる。低抵抗化した酸化物半導体層に接して形成する絶縁性酸化物層１１６は、水分、水素イオン、及び水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックする無機絶縁膜を用いて、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。
【００５９】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁性酸化物層１１６を形成することが好ましい。酸化物半導体層１３１と絶縁性酸化物層１１６に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。
【００６０】
上記したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。吸着型の真空ポンプを用いることで、絶縁性酸化物層１１６に含まれる不純物の濃度を低減することができる。
【００６１】
絶縁性酸化物層１１６の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００６２】
次いで、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層１１６と接した状態で行われる。
【００６３】
以上の工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の一部を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート電極層１１１と重なるチャネル形成領域１１３の導電性が低下してＩ型となり、ソース電極層１１５ａに重なる高抵抗ソース領域１１４ａと、ドレイン電極層１１５ｂに重なる高抵抗ドレイン領域１１４ｂが、自己整合的に形成される。以上の工程でトランジスタ１１０が形成される（図１（Ｄ））。
【００６４】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。また、絶縁性酸化物層として欠陥を多く含む酸化シリコン層を用いた場合には、この加熱処理によって欠陥を少なくすることができる。
【００６５】
なお、ドレイン電極層１１５ｂ（及びソース電極層１１５ａ）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ドレイン領域１１４ｂ（または高抵抗ソース領域１１４ａ）が設けられていることにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域１１４ｂを形成することで、ドレイン電極層１１５ｂから高抵抗ドレイン領域１１４ｂ、チャネル形成領域１１３にかけて、導電性を段階的に変化させる構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層１１５ｂに高電源電位Ｖｄｄを供給する配線を接続して動作させる場合、ゲート電極層１１１とドレイン電極層１１５ｂとの間の電位差が大きい場合であっても、高抵抗ドレイン領域１１４ｂがバッファとなりトランジスタの耐圧を高いものとすることができる。
【００６６】
また、酸化物半導体層における高抵抗ソース領域１１４ａまたは高抵抗ドレイン領域１１４ｂは、酸化物半導体層の厚さが１５ｎｍ以下と薄い場合には厚さ方向の全体にわたって形成されるが、酸化物半導体層の厚さが３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下と厚い場合には、酸化物半導体層の一部（ソース電極層またはドレイン電極層と接する領域及びその近傍）に、高抵抗ソース領域１１４ａまたは高抵抗ドレイン領域１１４ｂが形成され、酸化物半導体層においてゲート絶縁膜に近い領域はＩ型にすることもできる。
【００６７】
絶縁性酸化物層１１６上にはさらに保護絶縁層を形成してもよい。このような保護絶縁層として、例えば、ＲＦスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する。ＲＦスパッタリング法は、量産性がよく、保護絶縁層の形成方法として好ましい。保護絶縁層は、水分や、水素イオンや、水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックすることができる無機絶縁膜を用いて形成され、例えば、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などを用いる。ここでは、窒化シリコン膜を用いて保護絶縁層１０３を形成する（図１（Ｅ））。
【００６８】
ここでは、保護絶縁層１０３として、絶縁性酸化物層１１６まで形成された基板１００を処理室内に搬入して１００℃以上４００℃以下の温度まで加熱し、水素及び水分が除去された高純度窒素ガスを含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンのターゲットを用いて窒化シリコン膜を形成する。ここで、保護絶縁層１０３の形成は、絶縁性酸化物層１１６の形成時と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。
【００６９】
なお、保護絶縁層１０３上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【００７０】
以上、図１を参照して説明したように、本実施の形態の半導体装置を作製することができる。なお、上記工程により容量素子をも同時に作製することができる。該容量素子は、ゲート電極層１１１と、ソース電極層１１５ａ（及びドレイン電極層１１５ｂ）と同一の電極層と、ゲート絶縁層１０２により形成される。ゲート電極層１１１と、該電極層の間にゲート絶縁層１０２が設けられている（図１（Ｆ）を参照）。なお、本明細書中の他のトランジスタを作製する際にも容量素子は、ゲート電極層と、ソース電極層と同一の電極層と、ゲート電極層とソース電極層と同一の電極層との間のゲート絶縁層により形成されていればよい。ただし、本実施の形態の半導体装置はこれに限定されず、図２に示す形態であってもよい。図２はトランジスタ１４０を示す。
【００７１】
図２に示すトランジスタ１４０の作製に際しては、まず、基板１２０上にゲート電極層１２１を形成し、第１のゲート絶縁層１２２ａ及び第２のゲート絶縁層１２２ｂを積層して形成する。ここでは、ゲート絶縁層を２層の積層構造とし、第１のゲート絶縁層１２２ａには絶縁性窒化物層を、第２のゲート絶縁層１２２ｂに絶縁性酸化物層を配する。
【００７２】
絶縁性酸化物層としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層または酸化窒化アルミニウム層などを用いることができる。また、絶縁性窒化物層としては、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウム層などを用いることができる。
【００７３】
本実施の形態では、ゲート電極層１２１側から窒化シリコン層と酸化シリコン層とを積層した構造とする。第１のゲート絶縁層１２２ａとしてスパッタリング法により厚さ５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下（ここでは厚さ５０ｎｍ）の窒化シリコン層（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁層１２２ａ上に第２のゲート絶縁層１２２ｂとして厚さ５ｎｍ以上３００ｎｍ以下（ここでは厚さ１００ｎｍ）の酸化シリコン層（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を積層して形成することで、ゲート絶縁層（ここでは厚さ１５０ｎｍ）を形成する。
【００７４】
次に、ゲート絶縁層上に酸化物半導体膜の形成を行い、該酸化物半導体膜をフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。ここでは、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。
【００７５】
酸化物半導体膜の形成は、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【００７６】
酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００７７】
次いで、第１の加熱処理を行って、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。なお、４２５℃以上であれば加熱処理時間は１時間以下でよいが、４２５℃未満であれば加熱処理時間は、１時間よりも長時間行うことが好ましい。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下において加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層を得る。その後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度のＮ２Ｏガス、または超乾燥エア（露点が−４０℃以下、好ましくは−６０℃以下）を導入して冷却を行う。酸素ガスまたはＮ２Ｏガスに、水、水素などが含まれないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する酸素ガスまたはＮ２Ｏガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち、酸素ガスまたはＮ２Ｏガス中の不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【００７８】
なお、ここで用いる加熱処理装置は電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えばＧＲＴＡ装置またはＬＲＴＡ装置などのＲＴＡ装置を用いてもよい。ここでは、ＲＴＡ法を用いて、６００℃〜７５０℃で数分間加熱処理を行う。
【００７９】
また、脱水化または脱水素化を行う第１の加熱処理後に２００℃以上４００℃以下、好ましくは２００℃以上３００℃以下の温度で酸素ガスまたはＮ２Ｏガス雰囲気下での加熱処理を行ってもよい。
【００８０】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を搬出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【００８１】
以上の工程を経ることによって酸化物半導体膜全体を酸素過剰な状態とすることができ、高抵抗化（Ｉ型化）させることができ、全面がＩ型化した酸化物半導体層１３２を得ることができる。
【００８２】
次いで、第２のゲート絶縁層１２２ｂ及び酸化物半導体層１３２上に、導電膜を形成する。フォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってソース電極層１３５ａ、ドレイン電極層１３５ｂを形成した後、レジストマスクを除去する。そして、スパッタリング法で絶縁性酸化物層１３６を形成する。
【００８３】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ絶縁性酸化物層１３６を形成することが好ましい。酸化物半導体層１３２と絶縁性酸化物層１３６に、水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【００８４】
絶縁性酸化物層１３６を形成する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【００８５】
次いで、基板面内におけるトランジスタの電気的特性のばらつきを低減するため、不活性ガス雰囲気下または窒素ガス雰囲気下で加熱処理（好ましくは１５０℃以上３５０℃未満）を行ってもよい。ここでは、窒素雰囲気下で２５０℃１時間の加熱処理を行う。
【００８６】
また、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間の加熱処理を行う。この加熱処理は一定の温度に保持して行ってもよいし、室温から１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回くりかえして行ってもよい。また、この加熱処理を、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。該加熱処理を減圧下で行うと、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【００８７】
次に、絶縁性酸化物層１３６上に保護絶縁層１２３を形成する。ここでは、保護絶縁層１２３として、スパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍの窒化シリコン膜を形成する。
【００８８】
保護絶縁層１２３及び第１のゲート絶縁層１２２ａを絶縁性窒化物層とすることで、水分、水素、水素化物、水酸化物などの不純物を含まず、これらの外部からの侵入をブロックすることも可能である。
【００８９】
従って、製造プロセスにおいて、外部からの水分などの侵入を防ぐことができる。また、半導体装置、例えば液晶表示装置としてデバイスが完成した後にも長期的に、外部からの水分などの不純物の侵入を防ぐことができるため、デバイスの長期信頼性を向上させることができる。
【００９０】
また、絶縁性窒化物層からなる保護絶縁層１２３と、第１のゲート絶縁層１２２ａとの間に設けられる絶縁層を除去し、保護絶縁層１２３と、第１のゲート絶縁層１２２ａとが接する構造としてもよい。
【００９１】
なお、保護絶縁層１２３上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【００９２】
以上、図２を参照して説明したように、本実施の形態の半導体装置を作製することができる。
【００９３】
なお、本実施の形態において、加熱処理の温度は上記に限定されない。以下に説明するように、加熱処理の温度を４００℃未満としてもよい。
【００９４】
なお、ゲート絶縁層及び酸化物半導体膜に水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないように、前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室でゲート電極層が形成された基板またはゲート絶縁層までが形成された基板を予備加熱し、基板に吸着した水素または水分などの不純物を脱離して排気するとよい。なお、予備加熱の温度としては、１００℃以上４００℃未満（好ましくは１５０℃以上３００℃以下）である。なお、予備加熱室は、クライオポンプが接続され、該予備加熱室は該クライオポンプにより排気されることが好ましい。なお、この予備加熱による前処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、ソース電極層及びドレイン電極層まで形成した基板にも同様に行ってもよい。
【００９５】
上記の前処理は、液晶表示パネル、エレクトロルミネセンス表示パネル、電子インクを用いた表示装置などのバックプレーン（トランジスタが形成された基板）の製造に用いることができる。上記の前処理は、４００℃未満の温度で行われるため、厚さが１ｍｍ以下で、一辺が１ｍを超えるガラス基板を用いる製造工程にも適用することができる。また、４００℃未満の処理温度で全ての工程を行うことができるので、表示パネルを製造するために多大なエネルギーを消費しないで済む。
【００９６】
なお、上記したトランジスタの作製に際して、ゲート絶縁層の形成にもスパッタリング法を適用したが、これに限定されない。例えば、μ波（２．４５ＧＨｚ）の高密度プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。
【００９７】
次に、上記トランジスタを形成した評価用素子（ＴＥＧ）でのオフ電流の測定値について以下に説明する。
【００９８】
図４（Ａ）は、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍのトランジスタを２００個並列に接続（Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍのトランジスタと同等のもの）したものの上面図を示す。図４（Ｂ）は、その一部を拡大した上面図を示す。図４（Ｂ）の点線で囲んだ領域は、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／５０μｍ、Ｌｏｖ＝１．５μｍのトランジスタである。測定に際して、基板温度は室温とした。図３は、ソース−ドレイン間電圧（ドレイン電圧Ｖｄ）を１Ｖまたは１０Ｖとし、ソース−ゲート間電圧（ゲート電圧Ｖｇ）を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させたときのソース−ドレイン電流（ドレイン電流Ｉｄ）の変化特性として、Ｖｇ−Ｉｄカーブを示す。なお、図３では、Ｖｇを−２０Ｖ〜＋５Ｖまでの範囲で示している。
【００９９】
図３に示すように、Ｖｄが１Ｖのとき、及び１０Ｖのときの双方において、オフ電流は１×１０−１３［Ａ］以下となっている。この値は、測定機（半導体パラメータ・アナライザ、Ａｇｉｌｅｎｔ ４１５６Ｃ；Ａｇｉｌｅｎｔ社製）の分解能（１００ｆＡ）以下である。このように、オフ電流が極めて低いトランジスタの作製方法について以下に説明する。
【０１００】
まず、ガラス基板上に下地層として、ＣＶＤ法により窒化シリコン層を形成し、窒化シリコン層上には酸化窒化シリコン層を形成した。そして、酸化窒化シリコン層上にはゲート電極層としてスパッタリング法によりタングステン膜を形成した。ここで、タングステン膜を選択的にエッチングしてゲート電極層を形成した。
【０１０１】
次に、ゲート電極層上には、ゲート絶縁層としてＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン層を形成した。
【０１０２】
次に、ゲート絶縁層上に、スパッタリング法によりＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲット（Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：２（ｍｏｌ数比））を用いて、厚さ５０ｎｍの酸化物半導体膜を形成した。ここで、酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、島状の酸化物半導体層を形成した。
【０１０３】
次に、クリーンオーブンを用いて、酸化物半導体層に対して、窒素雰囲気下、４５０℃で、１時間の加熱処理（第１の加熱処理）を行った。
【０１０４】
次に、酸化物半導体層上に、ソース電極層及びドレイン電極層としてチタン層（厚さ１５０ｎｍ）をスパッタリング法により形成した。ここで、ソース電極層及びドレイン電極層を選択的にエッチングし、１つのトランジスタのチャネル長Ｌを３μｍ、チャネル幅Ｗを５０μｍとし、２００個を並列に接続することで、Ｌ／Ｗ＝３μｍ／１００００μｍとなるようにした。
【０１０５】
次に、酸化物半導体層に接するように保護絶縁層としてリアクティブスパッタ法により酸化シリコン層を厚さ３００ｎｍで形成した。そして、該酸化シリコン層を選択的にエッチングし、ゲート電極層、ソース電極層及びドレイン電極層上に開口部を形成した。その後、窒素雰囲気下、２５０℃で、１時間の加熱処理（第２の加熱処理）を行った。そして、Ｖｇ−Ｉｄ特性を測定する前に、不活性雰囲気中で、１５０℃、１０時間の加熱処理を行った。このようにして、ボトムゲート構造の逆スタガ型トランジスタを作製した。
【０１０６】
図３に示すようにトランジスタのオフ電流が、１×１０−１３［Ａ］以下と非常に小さい理由は、上記作製工程において酸化物半導体層中における水素濃度を十分に低減できたためである。ここで、酸化物半導体層中の水素濃度は、５×１０１９ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１８ｃｍ−３以下、さらに好ましくは５×１０１７ｃｍ−３以下とする。なお、酸化物半導体層中の水素濃度測定は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で行えばよい。
【０１０７】
なお、ここでは、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いる例を示したが、特に限定されず、他の酸化物半導体材料、例えば、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系などを用いることができる。または、酸化物半導体材料として、ＡｌＯｘを２．５〜１０ｗｔ％含ませたＩｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系や、ＳｉＯｘを２．５〜１０ｗｔ％含ませたＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系の材料を用いてもよい。
【０１０８】
酸化物半導体層のキャリア密度は、５×１０１４ｃｍ−３以下、好ましくは５×１０１２ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１．４５×１０１０ｃｍ−３と同等、もしくはそれ以下である。即ち、酸化物半導体層のキャリア濃度は、限りなくゼロに近くすることができる。
【０１０９】
また、トランジスタのチャネル長Ｌは、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることも可能である。
【０１１０】
なお、トランジスタのオフ状態において、酸化物半導体層は絶縁体として回路設計を行うことができる。
【０１１１】
次に、上記トランジスタに対してオフ電流の温度依存性を評価したのでその結果について説明する。温度依存性は、トランジスタが使われる最終製品の耐環境性や、性能の維持などを考慮する上で重要である。当然ながら、オフ電流の温度依存性は小さいことが好ましく、製品設計の自由度が増す。
【０１１２】
温度依存性は、トランジスタを形成した基板を恒温槽により一定温度に保持し、ドレイン電圧を６Ｖ、ゲート電圧を−２０Ｖ〜＋２０Ｖまで変化させてＶｇ−Ｉｄカーブを取得して評価した。ここで、恒温槽により保持する一定の温度は、−３０、０、２５、４０、６０、８０、１００、及び１２０℃のいずれかとした。
【０１１３】
図５（Ａ）は、上記それぞれの温度で測定したＶｇ−Ｉｄカーブを示し、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の点線で囲んだ部分の拡大を示す。図中の矢印で示す右端の曲線が−３０℃で取得した曲線であり、左端が１２０℃で取得した曲線であり、その他の温度で取得した曲線は、その間に位置している。オン電流の温度依存性はほとんど見られない。また、オフ電流は、ゲート電圧が−２０Ｖ程度まで下がるまで、全ての温度で測定機の分解能に近い１×１０−１２［Ａ］以下となっており、温度依存性はほとんど見られない。すなわち、１２０℃の高温においても、オフ電流が１×１０−１２［Ａ］以下を維持できており、チャネル幅Ｗが１００００μｍであることを考慮すると、このトランジスタのオフ電流が非常に小さいことがわかる。
【０１１４】
高純度化された酸化物半導体（ｐｕｒｉｆｉｅｄ ＯＳ）を用いたトランジスタは、オフ電流の温度依存性がほとんど現れない。これは、酸化物半導体が高純度化されることによって、導電型が限りなく真性型に近づき、フェルミ準位が禁制帯の中央に位置するため、温度依存性を示さなくなるためである。また、これは、酸化物半導体のエネルギーギャップが３ｅＶ以上であり、熱励起キャリアが極めて少ないことにも起因する。また、ソース領域及びドレイン領域は縮退した状態にあるので、やはり温度依存性が現れない要因となっている。トランジスタの動作は、縮退したソース領域から酸化物半導体に注入されたキャリアによるものがほとんどであり、キャリア密度の温度依存性がないことから上記特性（オフ電流の温度依存性無し）を説明することができる。
【０１１５】
このようにオフ電流値が極めて小さいトランジスタを用いて、記憶回路（記憶素子）などを作製した場合、オフ電流値が小さく、ほとんどリークがないため、記憶データを保持する時間を長くすることができる。
【０１１６】
次に、上記説明したトランジスタを適用した半導体装置について説明する。
【０１１７】
図６は、メモリ回路のブロック図の一例を示す。図６に示すメモリ回路は、行デコーダ１５２と、書き込み及びリフレッシュ回路１５４と、列デコーダ１５６と、書き込み及びリフレッシュ回路１５８と、マトリクス状に配置された複数の記憶素子１５０と、を有し、マトリクス状に配置された記憶素子１５０に接続された信号線は、書き込み及びリフレッシュ回路１５４を介して行デコーダ１５２に接続され、マトリクス状に配置された記憶素子１５０に接続された走査線は、書き込み及びリフレッシュ回路１５８を介して列デコーダ１５６に接続されている。行デコーダ１５２には、ビット信号が入力される。書き込み及びリフレッシュ回路１５４には、リードイネーブル信号／ライトイネーブル信号（ＲＥ／ＷＥ）と、データ信号（ｄａｔａ）が入力され、出力信号（ＯＵＴ）が入力され、書き込み及びリフレッシュ回路１５４から出力される。
【０１１８】
記憶素子１５０のそれぞれは、容量素子とトランジスタを有し、該トランジスタのソース及びドレインの一方は信号線に接続され、該トランジスタのソース及びドレインの他方は容量素子の一方の電極に接続され、該容量素子の他方の電極は低電位（好ましくは、基準電位Ｖｓｓ）側の配線に接続されている。
【０１１９】
図７は、図６に示す書き込み及びリフレッシュ回路１５４に設けることができるリフレッシュ回路の具体的な一例を示す。なお、書き込み及びリフレッシュ回路１５８も同様の構造として設けることができる。
【０１２０】
図７に示す書き込み及びリフレッシュ回路は、論理積回路（ＡＮＤ回路）とセンスアンプ１７２を有する。第１の論理積回路１６０、第２の論理積回路１６２及び第３の論理積回路１６４の一方の入力には、行デコーダ１５２からの信号が入力される。第１の論理積回路１６０の他方の入力にはＰＲＣ信号が入力され、第２の論理積回路１６２の他方の入力にはライトイネーブル信号（ＷＥ）が入力され、第３の論理積回路１６４の他方の入力にはリードイネーブル信号（ＲＥ）が入力される。第１の論理積回路１６０の出力は、第１のスイッチ１６６のオン／オフを制御し、第２の論理積回路１６２の出力は、第２のスイッチ１６８のオン／オフを制御し、第３の論理積回路１６４の出力は、第３のスイッチ１７０のオン／オフを制御する。プリチャージ信号線Ｖｐｒｃは第１のスイッチ１６６を介して信号線に接続され、データ信号線ｄａｔａは第２のスイッチ１６８を介して信号線に接続されている。
【０１２１】
第１のスイッチ１６６及び第２のスイッチ１６８を介して接続された信号線は、第３のスイッチ１７０を介して、センスアンプ１７２に接続されている。センスアンプ１７２からは出力信号線（ＯＵＴ）に信号が出力される。
【０１２２】
なお、上記した論理積回路は、一般的な構成のものを用いればよく、単純な構成とすることが好ましい。
【０１２３】
なお、センスアンプとは、入力された信号を増幅する機能を有する回路をいう。
【０１２４】
なお、ここで信号としては、例えば電圧、電流、抵抗または周波数などを用いたアナログ信号またはデジタル信号を用いることができる。例えば、電位を少なくとも第１の電位と第２の電位で設定し、第１の電位としてハイレベル（高電位、ＶＨとも表記する。）の電位を用い、第２の電位としてローレベル（低電位、ＶＬとも表記する。）の電位を用いることで、２値のデジタル信号を設定することができる。また、ＶＨとＶＬは一定値であることが好ましいが、ノイズの影響を考慮して、ＶＨとＶＬに幅をもたせてもよい。
【０１２５】
以上説明したように、上記したトランジスタを用いて、メモリ（ＤＲＡＭ）回路を作製することができる。
【０１２６】
なお、メモリ回路のリフレッシュタイミングは、予め評価された記憶素子１５０のリーク電流に基づいて、設計段階で、任意の一定の時間間隔に決めればよい。リフレッシュタイミングは、メモリ回路のチップ完成後のリーク電流の温度依存性と作製プロセスの変動を考慮して設定される。
【０１２７】
上記したトランジスタのオフ電流に温度依存性はほとんど見られず、極めて小さい値を維持できるため、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１２８】
なお、ここで用いるメモリ回路は、上記したＤＲＡＭに限定されない。例えば、記憶素子をＳＲＡＭに置き換えてもよい。
【０１２９】
図８は、１の記憶素子に６つのトランジスタが設けられたＳＲＡＭの回路構成の一例を示す。なお、図８には１つの記憶素子のみを示しているが、これに限定されない。図８に示すＳＲＡＭの記憶素子１８０は、トランジスタ１８６とトランジスタ１８８によって構成されるインバータ回路と、トランジスタ１９０とトランジスタ１９２によって構成されるインバータ回路と、スイッチトランジスタとして動作するトランジスタ１８２とトランジスタ１８４で構成されている。
【０１３０】
図８に示すＳＲＡＭの書き込み動作について説明する。列デコーダによって特定の走査線がＶＨになると、トランジスタ１８２とトランジスタ１８４がオンし、インバータ回路対（トランジスタ１８６及びトランジスタ１８８によって構成されるインバータ回路と、トランジスタ１９０及びトランジスタ１９２によって構成されるインバータ回路）にデータが書き込まれる。データの書き込みが終了すると、トランジスタ１８２及びトランジスタ１８４はオフし、該インバータ回路対に書き込まれたデータが保持されることになる。
【０１３１】
次に、図８に示すＳＲＡＭの読み出し動作について説明する。まず、第１の信号線及び第２の信号線が記憶素子アレイの外から特定の電位（プリチャージ電位）にプリチャージされる。このプリチャージ電位は、ＶｄｄとＶｓｓの中間付近に設定すればよい。プリチャージ電位とされた第１の信号線及び第２の信号線は、フローティング状態とされ、その後走査線がＶＨになることでトランジスタ１８２及びトランジスタ１８４がオンし、インバータ回路対によって、第１の信号線及び第２の信号線が逆方向に駆動され、その差電圧をセンスアンプによって検知し、データを読み出すことになる。
【０１３２】
上記したトランジスタのオフ電流に温度依存性はほとんど見られず、極めて小さい値を維持できるため、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１３３】
なお、メモリとしてＳＲＡＭを用いる場合、設けられるトランジスタの数は６つに限定されるものではない。
【０１３４】
図９は、１の記憶素子に対して４つのトランジスタが設けられたＳＲＡＭの回路構成の一例を示す。図９は、図８に示すＳＲＡＭのトランジスタ１８６及びトランジスタ１９０を、抵抗素子１９４及び抵抗素子１９６に置き換えたものである。
【０１３５】
図９に示す回路構成のＳＲＡＭであっても、シリコンを用いたトランジスタに比べてリフレッシュ間隔を長く設定することができ、スタンバイ時の消費電力を低減することができる。
【０１３６】
以上説明したように、本発明の一態様である半導体装置を実現することができる。
【０１３７】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１とは異なるものについて説明する。
【０１３８】
図１０は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１０（Ｄ）に示すトランジスタ２２０は、チャネル保護型（または、チャネルストップ型）と呼ばれるボトムゲート構造のトランジスタの一つの形態である。基板２００上にトランジスタ２２０を作製する工程について以下に説明する。
【０１３９】
まず、絶縁表面を有する基板２００上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜を加工し、ゲート電極層２０２を形成する。
【０１４０】
また、ゲート電極層２０２を形成する材料は、ゲート電極層１１１と同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１４１】
なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１４２】
次に、ゲート電極層２０２を覆ってゲート絶縁層２０４を形成する。ここでは、例えば、ゲート絶縁層２０４として、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。
【０１４３】
次に、ゲート絶縁層２０４上に、酸化物半導体膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。該酸化物半導体膜は、例えば、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように形成すればよい。ここでは、例えば、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１４４】
ここで、該酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１４５】
次に、酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板２００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層２０６を得る（図１０（Ａ））。
【０１４６】
次に、Ｎ２Ｏ、Ｎ２またはＡｒなどのガスを用いてプラズマ処理を行うとよい。このプラズマ処理によって露出している酸化物半導体層２０６の表面に付着した水などを除去する。また、プラズマ処理は、Ｏ２とＡｒの混合ガスを用いて行ってもよい。
【０１４７】
次に、ゲート絶縁層２０４及び酸化物半導体層２０６上に絶縁性酸化膜を形成した後、第３のフォトリソグラフィ工程により絶縁性酸化物層２０８を形成し、レジストマスクを除去する。
【０１４８】
ここでは、例えば、絶縁性酸化物層２０８となる絶縁性酸化膜として厚さ２００ｎｍの酸化シリコン膜をスパッタリング法により形成する。形成時の基板温度は、室温以上３００℃以下とすればよく、ここでは１００℃とする。ここで、スパッタリング法は、希ガス（例えば、アルゴン）雰囲気、酸素雰囲気、または希ガスと酸素の混合ガス雰囲気下において行えばよい。ターゲットとしては、例えば酸化シリコンターゲットまたはシリコンターゲットを用いることができる。例えば、シリコンターゲットを用いて、酸素と窒素の混合雰囲気下でスパッタリング法を行うことにより、酸化シリコンを形成することができる。低抵抗化した酸化物半導体層に接して形成する絶縁性酸化物層２０８は、水分、水素イオン、及び水酸基などの不純物を含まず、これらが外部から侵入することをブロックすることができる無機絶縁膜を用いて形成されるとよく、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜などを用いる。このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体層２０６及び絶縁性酸化物層２０８に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。そのため、絶縁性酸化膜の形成に際しても、上記したように、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましく、形成時に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）程度まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１４９】
ここで、第２の加熱処理を行ってもよい。
【０１５０】
第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層２０６の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層２０８と接した状態で加熱される。
【０１５１】
または、第２の加熱処理の後に更なる加熱処理を行ってもよい。ここでは、さらに絶縁性酸化物層２０８が設けられ、一部が露出している酸化物半導体層２０６を、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、または減圧下で更なる加熱処理を行う。絶縁性酸化物層２０８によって覆われていない露出された酸化物半導体層２０６の領域は、窒素ガス雰囲気下、不活性ガス雰囲気下、または減圧下で加熱処理を行うことで、低抵抗化させることができる。ここでは、例えば、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の加熱処理を行う。絶縁性酸化物層２０８が設けられた酸化物半導体層２０６に対してこのように加熱処理を行うことで、酸化物半導体層２０６の露出した領域は低抵抗化し、抵抗の異なる領域を有する酸化物半導体層２１０となる。図１０（Ｂ）において、斜線を付していない白地の領域が低抵抗化領域である。
【０１５２】
上記の第２の加熱処理までの工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の一部を選択的に酸素過剰な状態とする。その結果、ゲート電極層２０２と重なるチャネル形成領域の導電性が低下してＩ型となり、ソース電極層に重なる高抵抗ソース領域と、ドレイン電極層に重なる高抵抗ドレイン領域が、自己整合的に形成される。
【０１５３】
次に、ゲート絶縁層２０４、酸化物半導体層２１０、及び絶縁性酸化物層２０８上に、導電膜を形成した後、第４のフォトリソグラフィ工程によりソース電極及びドレイン電極層２１２を形成した後、レジストマスクを除去する（図１０（Ｃ））。
【０１５４】
ソース電極及びドレイン電極層２１２を形成する材料は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂと同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１５５】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０１５６】
なお、ドレイン電極層（及びソース電極層）と重畳した酸化物半導体層において高抵抗ドレイン領域（または高抵抗ソース領域）が設けられていることにより、トランジスタの信頼性の向上を図ることができる。具体的には、高抵抗ドレイン領域を形成することで、ドレイン電極層から高抵抗ドレイン領域、チャネル形成領域にかけて、導電性を段階的に変化させるような構造とすることができる。そのため、ドレイン電極層に高電源電位Ｖｄｄを供給する配線を接続して動作させる場合、ゲート電極層とドレイン電極層との間の電位差が大きい場合であっても、高抵抗ドレイン領域がバッファとなりトランジスタの耐圧を高いものとすることができる。
【０１５７】
以上の工程でトランジスタ２２０が形成される。
【０１５８】
次に、絶縁性酸化物層２０８、並びにソース電極及びドレイン電極層２１２上に保護絶縁層２１４を形成する。ここでは、保護絶縁層２１４は、例えば窒化シリコン膜を用いて形成すればよい（図１０（Ｄ））。
【０１５９】
なお、絶縁性酸化物層２０８、並びにソース電極及びドレイン電極層２１２上に更に絶縁性酸化物層を形成し、該絶縁性酸化物層上に保護絶縁層２１４を形成してもよい。
【０１６０】
なお、図示していないが、トランジスタ２２０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０１６１】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０１６２】
（実施の形態３）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１及び実施の形態２とは異なるものについて説明する。
【０１６３】
図１１は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１１（Ｄ）に示すトランジスタ３２０は、ボトムゲート構造のトランジスタの一つの形態である。基板３００上にトランジスタ３２０を作製する工程について以下に説明する。
【０１６４】
まず、絶縁表面を有する基板３００上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜を加工し、ゲート電極層３０２を形成する。
【０１６５】
また、ゲート電極層３０２を形成する材料は、ゲート電極層１１１と同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１６６】
なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１６７】
次に、ゲート電極層３０２を覆ってゲート絶縁層３０４を形成する。ここでは、例えば、ゲート絶縁層３０４として、プラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン層を形成すればよい。
【０１６８】
次に、ゲート絶縁層３０４上に導電膜を形成し、第２のフォトリソグラフィ工程によりソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂと、を形成する（図１１（Ａ））。
【０１６９】
ソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂと、を形成する材料は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂと同様であり、単層としてもよいし、複数の層を積層してもよい。
【０１７０】
次に、ゲート絶縁層３０４上と、ソース電極及びドレイン電極層３０６ａと、ソース電極及びドレイン電極層３０６ｂの上に、酸化物半導体膜３０８を形成する（図１１（Ｂ））。その後、酸化物半導体膜３０８を第３のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。このとき、実施の形態１と同様、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。酸化物半導体膜３０８に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１７１】
次に、酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板３００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層３１０を得る（図１１（Ｃ））。
【０１７２】
酸化物半導体層３１０に接する保護絶縁膜となる絶縁性酸化物層３１４を形成する。絶縁性酸化物層３１４は、少なくとも厚さ１ｎｍ以上とし、上記した酸化物半導体膜の形成時と同様に、水、水素などの不純物を混入させない方法を用いて形成するとよい。絶縁性酸化物層３１４に水素が含まれると、その水素が酸化物半導体層へ侵入し、または水素が酸化物半導体層中の酸素を引き抜き、酸化物半導体層３１０の絶縁性酸化物層３１４と接する部分が低抵抗化（Ｎ型化）されてしまい、寄生チャネルが形成されるおそれがあるためである。よって、絶縁性酸化物層３１４には、可能な限り水素が含まれないように形成することが重要である。
【０１７３】
絶縁性酸化物層３１４は絶縁性酸化物層１１６と同様に形成することができる。
【０１７４】
次に、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理は、実施の形態１と同様に行うことができる。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）が絶縁性酸化物層３１４と接した状態で加熱される。
【０１７５】
以上の工程を経ることによって、形成後の酸化物半導体膜に対して脱水化または脱水素化のための加熱処理を行って低抵抗化し、酸化物半導体膜の全面を酸素過剰な状態とする。その結果、Ｉ型の酸化物半導体層３１２が形成される。
【０１７６】
以上説明したように、トランジスタ３２０が形成される。
【０１７７】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０１７８】
なお、絶縁性酸化物層３１４上には、さらに保護絶縁層１０３と同様の保護絶縁層３１６を形成してもよい。このような保護絶縁層３１６としては、例えば、ＲＦスパッタリング法を用いて窒化シリコン膜を形成する（図１１（Ｄ））。
【０１７９】
保護絶縁層３１６上には、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。
【０１８０】
なお、図示していないが、トランジスタ３２０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０１８１】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０１８２】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態３とは異なるものについて説明する。
【０１８３】
図１２（Ａ）は、本実施の形態の半導体装置の平面の一例を示し、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）の線Ｃ１−Ｃ２における断面図を示す。図１２（Ａ）及び（Ｂ）に示すトランジスタ４１０は、トップゲート構造のトランジスタの一つである。
【０１８４】
トランジスタ４１０は、絶縁表面を有する基板４００上に、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、ソース電極層４１５ａ、及びドレイン電極層４１５ｂ、ゲート絶縁層４０２、ゲート電極層４１１を含み、ソース電極層４１５ａ、ドレイン電極層４１５ｂにそれぞれ配線層４１４ａ、配線層４１４ｂが接して設けられており、ソース電極層４１５ａは配線層４１４ａに電気的に接続され、ドレイン電極層４１５ｂは配線層４１４ｂに電気的に接続されている。
【０１８５】
基板４００上にトランジスタ４１０を作製する工程について以下に説明する。
【０１８６】
まず、絶縁表面を有する基板４００上に下地膜となる絶縁層４０７を形成する。絶縁層４０７としては、酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、酸化アルミニウム層、または酸化窒化アルミニウム層などの絶縁性酸化物層を用いると好ましい。絶縁層４０７の形成方法としては、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いることができるが、絶縁層４０７中に水素などの不純物が含まれないようにするためには、スパッタリング法で絶縁層４０７を形成することが好ましい。
【０１８７】
ここでは、絶縁層４０７として、スパッタリング法により酸化シリコン層を形成する。基板４００を処理室へ搬入し、水素及び水分が除去された高純度な酸素を含むスパッタガスを処理室へ導入し、シリコンまたは石英のターゲットを用いて酸化シリコン層を形成する。また基板４００は室温でもよいし、加熱されていてもよい。
【０１８８】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。絶縁層４０７に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１８９】
ここで、絶縁層４０７の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９０】
また、絶縁層４０７は積層構造でもよく、例えば、基板４００側から窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウムなどの絶縁性窒化物層と、上記絶縁性酸化物層との積層構造としてもよい。
【０１９１】
例えば、酸化シリコン層と基板との間に水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を形成する。この場合においても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン層を形成することが好ましい。
【０１９２】
絶縁層４０７として窒化シリコン層上に酸化シリコン層を積層して形成する場合、窒化シリコン層と酸化シリコン層を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用いて形成することができる。まず、処理室内に窒素を含むスパッタガスを導入して、処理室内のシリコンターゲットを用いてスパッタリングを行うことで窒化シリコン層を形成し、次に、処理室内に導入するガスを、酸素を含むスパッタガスに切り替えて同じシリコンターゲットを用いて酸化シリコン層を形成する。このようにスパッタリングを行うと、窒化シリコン層と酸化シリコン層を大気に曝露せずに連続して形成することができるため、窒化シリコン層の表面に水素や水分などの不純物が吸着することを防止することができる。
【０１９３】
次いで、絶縁層４０７上に酸化物半導体膜を形成する。酸化物半導体膜は、スパッタリング法により、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下で形成することが好ましい。
【０１９４】
また、酸化物半導体膜に、水素、水酸基及び水分がなるべく含まれないように、前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で絶縁層４０７が形成された基板４００を予備加熱し、基板４００に吸着した水素または水分などの不純物を脱離して排気するとよい。なお、予備加熱室は、クライオポンプが接続され、該予備加熱室は該クライオポンプにより排気されることが好ましい。また、この予備加熱による前処理は、後に形成するゲート絶縁層４０２の形成前の基板４００に行ってもよいし、後に形成するソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂまで形成した基板４００に同様に行ってもよい。
【０１９５】
酸化物半導体膜を形成する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された高純度ガスを用いることが好ましい。
【０１９６】
酸化物半導体膜は、処理室内の残留水分を除去しつつ、水素及び水分が除去されたスパッタガスを処理室内へ導入し、金属酸化物をターゲットとして形成する。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０１９７】
次いで、酸化物半導体膜を第１のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する。また、島状の酸化物半導体層を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０１９８】
なお、ここでの酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェットエッチングでもよいし、これらを組み合わせて用いてもよい。
【０１９９】
ドライエッチング法としては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ：反応性イオンエッチング）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。
【０２００】
ウェットエッチングに用いるエッチャントとしては、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液、アンモニア過水（３１重量％過酸化水素水：２８重量％アンモニア水：水＝５：２：２）などを用いることができる。また、具体的には、関東化学社から透明導電膜用のエッチャントとして販売されているＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
【０２０１】
また、ウェットエッチング後のエッチャントはエッチングされた材料とともに洗浄によって除去される。その除去された材料を含むエッチャントの廃液を精製し、含まれる材料を再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体層に含まれるインジウムなどの材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができる。
【０２０２】
ここでは、エッチャントとして燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液を用いたウェットエッチング法により、酸化物半導体膜を島状の酸化物半導体層に加工する。
【０２０３】
次に、該酸化物半導体層に、実施の形態１と同様に第１の加熱処理を行う。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板４００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで、酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層４１２を得る（図１３（Ａ））。
【０２０４】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０２０５】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁層を形成した後のいずれのタイミングで行ってもよい。
【０２０６】
次いで、絶縁層４０７及び酸化物半導体層４１２上に導電膜を形成する。該導電膜は、ソース電極層１１５ａ及びドレイン電極層１１５ｂとなる導電膜と同様に形成すればよい。
【０２０７】
次に、第２のフォトリソグラフィ工程により、該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工してソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂを形成した後、レジストマスクを除去する（図１３（Ｂ））。なお、形成されたソース電極層、ドレイン電極層の端部はテーパ形状であると、これらの上に積層して形成するゲート絶縁層の被覆性が向上するため好ましい。
【０２０８】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層４１２としてはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【０２０９】
なお、第２のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層４１２は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂを形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２１０】
第２のフォトリソグラフィ工程でのレジストマスク形成時の露光には、紫外線やＫｒＦレーザ光やＡｒＦレーザ光を用いるとよい。なお、チャネル長Ｌ＝２５ｎｍ未満の露光を行う場合には、数ｎｍ〜数１０ｎｍと極めて波長が短い超紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）を用いて行うとよい。
【０２１１】
次いで、絶縁層４０７、酸化物半導体層４１２、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂ上にゲート絶縁層４０２を形成する（図１３（Ｃ））。
【０２１２】
ゲート絶縁層４０２は、ゲート絶縁層１０２と同様に形成することができる。
【０２１３】
次いで、第３のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁層４０２の一部を除去して、ソース電極層４１５ａ及びドレイン電極層４１５ｂに達する開口４２１ａ及び開口４２１ｂを形成する（図１３（Ｄ））。
【０２１４】
次に、ゲート絶縁層４０２、開口４２１ａ及び開口４２１ｂ上に導電膜を形成した後、第４のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層４１１、配線層４１４ａ及び配線層４１４ｂを形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２１５】
また、ゲート電極層４１１、配線層４１４ａ及び配線層４１４ｂは、ゲート電極層１１１と同様に形成することができる。
【０２１６】
なお、透光性を有する導電膜を用いてゲート電極層４１１を形成することもできる。透光性を有する導電膜としては、透光性導電性酸化物などをその例に挙げることができる。
【０２１７】
次いで、第２の加熱処理を行ってもよい。
【０２１８】
第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素雰囲気下で２５０℃、１時間の第２の加熱処理を行う。なお、第２の加熱処理は、トランジスタ４１０上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成した後に行ってもよい。
【０２１９】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。ここでは、１５０℃で１０時間加熱処理を行う。この加熱処理は一定温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。この加熱処理を減圧下で行うことで、加熱時間を短縮することができる。この加熱処理によって、ノーマリーオフとなるトランジスタを得ることができる。
【０２２０】
以上の工程で、トランジスタ４１０を形成することができる（図１３（Ｅ））。
【０２２１】
また、トランジスタ４１０上に保護絶縁層や、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。例えば、保護絶縁層として酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。
【０２２２】
上記のように酸化物半導体膜を形成するに際し、処理室内に含まれる残留水分を除去することで、該酸化物半導体膜中に含まれる水素及び水素化物の濃度を低減することができる。
【０２２３】
なお、図示していないが、トランジスタ４１０に複数のゲート電極を設けることで、チャネル形成領域を複数有するマルチゲート構造のトランジスタとしてもよい。
【０２２４】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２２５】
（実施の形態５）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態４とは異なるものについて説明する。
【０２２６】
図１４（Ａ）は、本実施の形態のトランジスタの断面構造を示す。図１４（Ａ）に示すトランジスタ５２０は、図１３（Ｅ）に示すトランジスタ４１０における基板４００と絶縁層４０７の間に、絶縁層５２２と導電層５２７が挟持されているものである。導電層５２７は、酸化物半導体層５１２の全面と重畳している。図１４（Ｂ）に示すトランジスタ５２１は、図１３（Ｅ）に示すトランジスタ４１０における基板４００と絶縁層４０７の間に、絶縁層５２２と導電層５２４が挟持されているものである。導電層５２４は、酸化物半導体層５１２の一部（具体的には、チャネル形成領域）と重畳している。
【０２２７】
また、導電層５２４及び導電層５２７は、トランジスタ５２０及びトランジスタ５２１のゲート電極層と同様の材料及び方法で形成してもよいし、異なるものであってもよい。導電層５２４及び導電層５２７は、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層５２４及び導電層５２７の電位がＧＮＤ、０Ｖの固定電位であってもよい。
【０２２８】
導電層５２４及び導電層５２７によって、トランジスタ５２０及びトランジスタ５２１の電気的特性（例えば、閾値電圧など）を制御することができる。
【０２２９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２３０】
（実施の形態６）
本実施の形態は、実施の形態１で説明した半導体装置に用いることのできるトランジスタであって、実施の形態１乃至実施の形態５とは異なるものについて説明する。
【０２３１】
図１５（Ａ）は、本実施の形態のトップゲート構造のトランジスタ６１０の平面図を示し、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）の線Ｄ１−Ｄ２における断面図を示す。
【０２３２】
トランジスタ６１０は、絶縁表面を有する基板６００上に、絶縁層６０７、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ（６１５ａ１、６１５ａ２）、酸化物半導体層６１２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８、ゲート絶縁層６０２、ゲート電極層６１１（６１１ａ、６１１ｂ）を含み、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ（６１５ａ１、６１５ａ２）は、配線層６１８を介して配線層６１４と電気的に接続されている。また、図示していないが、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂもゲート絶縁層６０２に設けられた開口において配線層６１４と電気的に接続されている。
【０２３３】
基板６００上にトランジスタ６１０を作製する工程について、図１６（Ａ）乃至（Ｅ）を参照して以下に説明する。
【０２３４】
まず、絶縁表面を有する基板６００上に下地膜となる絶縁層６０７を形成する。
【０２３５】
ここでは、絶縁層６０７として、スパッタリング法により酸化シリコン層を形成する。基板６００を処理室へ搬入し、水素及び水分が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットまたは石英（好ましくは合成石英）を用いて、基板６００に絶縁層６０７として、酸化シリコン層を形成する。なお、スパッタガスとして、酸素または、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
【０２３６】
このとき、処理室内の残留水分を除去しつつ、スパッタリングを行うことが好ましい。絶縁層６０７に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。ここで、実施の形態１で説明したように、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０２３７】
ここで、絶縁層６０７の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が、濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０２３８】
また、絶縁層６０７は積層構造でもよく、例えば、基板６００側から窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、窒化アルミニウム層、または窒化酸化アルミニウム層などの絶縁性窒化物層と、上記絶縁性酸化物層との積層構造としてもよい。
【０２３９】
例えば、酸化シリコン層と基板との間に水素及び水分が除去された高純度窒素を含むスパッタガスを処理室内に導入し、シリコンターゲットを用いて窒化シリコン層を形成する。この場合においても、酸化シリコン層と同様に、処理室内の残留水分を除去しつつ窒化シリコン層を形成することが好ましい。
【０２４０】
次いで、絶縁層６０７上に導電膜を形成し、第１のフォトリソグラフィ工程により該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工してソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、を形成した後、レジストマスクを除去する（図１６（Ａ））。ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２は、断面図では分断されているように示されているが、実際には分断されていない。なお、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２がテーパ形状であると、上に積層する酸化物半導体層６１２の被覆性が向上するため好ましい。
【０２４１】
ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、またはこれらを成分とする合金、またはこれらの元素を組み合わせた合金膜などが挙げられる。また、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｂｅ、Ｔｈのうちいずれか一または複数の材料を用いてもよい。また、導電膜は、単層であっても、複数の層を積層した構造であってもよい。例えば、Ｓｉを含むＡｌ膜の単層構造、Ａｌ膜上にＴｉ膜を積層した２層の積層構造、２つのＴｉ膜によりＡｌ膜を挟んだ３層の積層構造などが挙げられる。または、該導電膜がＡｌ膜である場合に、ＮｄまたはＳｃを含ませてもよい。なお、これらの膜は、窒化膜であってもよい。
【０２４２】
ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２として、スパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。
【０２４３】
次いで、絶縁層６０７、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２上に、厚さ２ｎｍ以上２００ｎｍ以下の酸化物半導体膜を形成する。
【０２４４】
酸化物半導体膜の形成は、処理室内の残留水分を除去しつつ行うことが好ましい。酸化物半導体膜に水素、水酸基または水分が含まれないようにするためである。なお、処理室内の排気には、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。
【０２４５】
酸化物半導体膜の形成に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物などの不純物が濃度１ｐｐｍ以下（好ましくは濃度１０ｐｐｂ以下）程度まで除去された、高純度ガスを用いることが好ましい。
【０２４６】
次に、酸化物半導体膜を、第２のフォトリソグラフィ工程により島状の酸化物半導体層に加工する（図１６（Ｂ））。ここでは、酸化物半導体膜としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体ターゲットを用いてスパッタリング法により形成する。
【０２４７】
ここで、島状の酸化物半導体層に第１の加熱処理を行って、酸化物半導体層の脱水化または脱水素化を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以上７５０℃以下とすればよく、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理装置の一つである電気炉に基板６００を搬入し、酸化物半導体層に対して窒素雰囲気下４５０℃で１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさせないことで酸化物半導体層への水や水素の再混入を防ぎ、酸化物半導体層６１２を得る（図１６（Ｂ））。
【０２４８】
なお、加熱処理装置は上記した電気炉に限られず、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導または熱輻射によって被処理物を加熱する機構を備えた加熱処理装置を用いてもよい。例えば、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置を用いることができる。ここで、ＧＲＴＡ装置は、高温のガスを用いて加熱を行う加熱処理装置である。ここで高温のガスには、アルゴンなどの希ガス、または窒素ガスのように、加熱処理によって被処理物と反応しにくい不活性な気体が用いられる。ＧＲＴＡを用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。
【０２４９】
なお、第１の加熱処理においては、処理室内に導入するガスである、窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスに、水及び水素などが含まれていないことが好ましい。または、加熱処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン若しくはアルゴンなどの希ガスの純度を、６Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純物の濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
【０２５０】
また、酸化物半導体層の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体層に加工する前の酸化物半導体膜に行うこともできる。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱処理装置から基板を取り出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
【０２５１】
酸化物半導体層に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導体層の形成後、酸化物半導体層上にさらにソース電極及びドレイン電極を積層させた後、またはソース電極及びドレイン電極上にゲート絶縁層を形成した後、のいずれのタイミングで行ってもよい。
【０２５２】
次いで、絶縁層６０７及び酸化物半導体層６１２上に導電膜を形成し、第３のフォトリソグラフィ工程により該導電膜上にレジストマスクを形成し、該導電膜を加工することでソース電極及びドレイン電極層６１５ｂと、配線層６１８と、を形成する。その後、レジストマスクを除去する（図１６（Ｃ））。ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８はソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と同様な材料と工程で形成すればよい。
【０２５３】
ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８としてスパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。ここでは、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに同じチタン膜を用いているため、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、及びソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂは、エッチング選択比がとれない。よって、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２が、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂのエッチング時にエッチングされないように、酸化物半導体層６１２に覆われないソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２上に配線層６１８を設けている。ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２と、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂのエッチング選択比を高くすることが可能な場合には、配線層６１８は必ずしも設けなくてもよい。
【０２５４】
なお、導電膜のエッチングの際に、酸化物半導体層６１２がエッチングされないように、それぞれの材料とエッチング条件を適宜調節する。
【０２５５】
ここでは、導電膜としてＴｉ膜を用いて、酸化物半導体層６１２にはＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体を用いて、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水の混合液）を用いる。
【０２５６】
なお、第３のフォトリソグラフィ工程では、酸化物半導体層６１２は、その一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する酸化物半導体層となることもある。また、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ、配線層６１８を形成するためのレジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２５７】
次いで、絶縁層６０７、酸化物半導体層６１２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ上に、ゲート絶縁層６０２を形成する。
【０２５８】
ゲート絶縁層６０２は、プラズマＣＶＤ法またはスパッタリング法などを用いて、酸化シリコン層、窒化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、または酸化アルミニウム層を単層でまたは積層して形成することができる。なお、ゲート絶縁層６０２中に水素が多量に含まれないようにするためには、スパッタリング法でゲート絶縁層６０２を形成することが好ましい。スパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する場合には、ターゲットとしてシリコンターゲットまたは石英ターゲットを用い、スパッタガスとして酸素、または酸素とアルゴンの混合ガスを用いて行う。
【０２５９】
ゲート絶縁層６０２は、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ１、ソース電極及びドレイン電極層６１５ａ２、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂ側から酸化シリコン層と窒化シリコン層を積層した構造とすることもできる。ここでは、酸素とアルゴンの混合ガス雰囲気下でスパッタリング法により厚さ１００ｎｍの酸化シリコン層を形成する。
【０２６０】
次いで、第４のフォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲート絶縁層６０２の一部を除去して、配線層６１８に達する開口６２３を形成する（図１６（Ｄ））。図示しないが、開口６２３の形成時にソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに達する開口を形成してもよい。
【０２６１】
次に、ゲート絶縁層６０２及び開口６２３上に導電膜を形成した後、第５のフォトリソグラフィ工程によりゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）及び配線層６１４を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減することができる。
【０２６２】
また、ゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）、配線層６１４の材料は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｓｃなどの金属材料またはこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層でまたは積層して形成することができる。
【０２６３】
ここでは、ゲート電極層６１１（ゲート電極層６１１ａ及びゲート電極層６１１ｂ）及び配線層６１４として、スパッタリング法により厚さ１５０ｎｍのチタン膜を形成する。
【０２６４】
次いで、第２の加熱処理を行う。第２の加熱処理の温度は、好ましくは２００℃以上４００℃以下とすればよく、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下で行う。なお、第２の加熱処理は、不活性ガス雰囲気下または酸素ガス雰囲気下で行えばよい。ここでは、窒素ガス雰囲気下２５０℃で１時間の加熱処理を行えばよい。第２の加熱処理は、酸化物半導体層の一部（チャネル形成領域）がゲート絶縁層６０２と接した状態で行われる。なお、第２の加熱処理は、トランジスタ６１０上に保護絶縁層や平坦化絶縁層を形成した後に行ってもよい。
【０２６５】
さらには、ここで、大気中で、１００℃以上２００℃以下、１時間以上３０時間以下の加熱処理を行ってもよい。この加熱処理は一定の加熱温度に保持することで行ってもよいし、室温から、１００℃以上２００℃以下の加熱温度への昇温と、加熱温度から室温までの降温と、を複数回繰り返して行ってもよい。また、この加熱処理は、絶縁性酸化物層の形成前に、減圧下で行ってもよい。
【０２６６】
以上の工程で、水素、水分、水素化物、水酸化物の濃度が低減された酸化物半導体層６１２を有するトランジスタ６１０を形成することができる（図１６（Ｅ））。
【０２６７】
また、トランジスタ６１０上に保護絶縁層や、平坦化のための平坦化絶縁層を設けてもよい。なお、図示しないが、ゲート絶縁層６０２、保護絶縁層や平坦化絶縁層にソース電極及びドレイン電極層６１５ｂに達する開口を形成し、その開口に、ソース電極及びドレイン電極層６１５ｂと電気的に接続する配線層を形成する。
【０２６８】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２６９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、図１４（Ｂ）に示すトランジスタに近い構造のものを用いて、本発明の一態様であるトランジスタについて、エネルギーバンド図を参照して説明する。
【０２７０】
図１７に、本実施の形態に示す酸化物半導体を用いた逆スタガー型の薄膜トランジスタの縦断面図を示す。ゲート電極（ＧＥ１）上にゲート絶縁膜（ＧＩ）を介して酸化物半導体膜（ＯＳ）が設けられ、その上にソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）が設けられている。
【０２７１】
図１８は、図１７のＡ−Ａ’におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１８（Ａ）はソースとドレインの間の電圧を等電位（Ｖｄ＝０Ｖ）とした場合を示し、図１８（Ｂ）はソースに対しドレインに正の電位（Ｖｄ＞０）を加えた場合を示す。
【０２７２】
図１９は、図１７におけるＢ−Ｂ’におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図１９（Ａ）は、ゲート（Ｇ１）に正の電位（＋Ｖｇ）が印加された状態であり、ソースとドレインの間にキャリア（電子）が流れるオン状態を示している。また、図１９（Ｂ）は、ゲート（Ｇ１）に負の電位（−Ｖｇ）が印加された状態であり、オフ状態（少数キャリアは流れない状態）である場合を示す。
【０２７３】
図２０は、真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す。
【０２７４】
常温において金属中の電子は縮退しており、フェルミ準位は伝導帯内に位置する。一方、従来の酸化物半導体は一般にｎ型であり、その場合のフェルミ準位（Ｅｆ）は、バンドギャップ中央に位置する真性フェルミ準位（Ｅｉ）から離れて、伝導帯寄りに位置している。なお、酸化物半導体において水素の一部はドナーとなりｎ型化する一つの要因であることが知られている。
【０２７５】
これに対して本実施の形態の酸化物半導体は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導体から除去し、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより真性（ｉ型）とし、または真性型とせんとしたものである。すなわち、不純物を添加してｉ型化するのでなく、水素や水等の不純物を極力除去したことにより、高純度化されたｉ型（真性半導体）またはそれに近づけることを特徴としている。そうすることにより、フェルミ準位（Ｅｆ）は真性フェルミ準位（Ｅｉ）と同じレベルにまですることができる。
【０２７６】
酸化物半導体のバンドギャップ（Ｅｇ）が３．１５ｅＶである場合、電子親和力（χ）は４．３ｅＶと言われている。ソース電極及びドレイン電極を構成するチタン（Ｔｉ）仕事関数は、酸化物半導体の電子親和力（χ）とほぼ等しい。この場合、金属−酸化物半導体界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。
【０２７７】
すなわち、金属の仕事関数（φＭ）と酸化物半導体の電子親和力（χ）がほぼ等しい場合、両者が接触すると図１８（Ａ）で示すようなエネルギーバンド図（模式図）が示される。
【０２７８】
図１８（Ｂ）において黒丸（●）は電子を示し、ドレインに正の電位が印加された上で、破線はゲートに正の電圧（Ｖｇ＞０）を印加した場合を示す。ゲートに電圧が印加されない場合は、高いポテンシャル障壁の為に電極から酸化物半導体側へキャリア（電子）が注入されず電流を流さないオフ状態を示す。一方、ゲートに正の電圧を印加するとポテンシャル障壁が低下し、電流を流すオン状態を示す。
【０２７９】
このとき電子は、図１９（Ａ）で示すようにゲート絶縁膜と高純度化された酸化物半導体との界面における、酸化物半導体側のエネルギー的に安定な最低部を移動する。
【０２８０】
また、図１９（Ｂ）において、ゲート（Ｇ１）に負の電位が印加されると、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、電流は限りなくゼロに近い値となる。
【０２８１】
例えば、薄膜トランジスタのチャネル幅Ｗが１×１０４μｍでチャネル長が３μｍの素子であっても、オフ電流が１０−１３Ａ以下であり、サブスレッショルドスイング値（Ｓ値）が０．１Ｖ／ｄｅｃ．（ゲート絶縁膜厚１００ｎｍ）である。
【０２８２】
このように、酸化物半導体の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化することにより、薄膜トランジスタの動作を良好なものとすることができる。特に、オフ電流を低減することができる。
【０２８３】
（実施の形態８）
本実施の形態は、本発明の一態様である、実施の形態１に示す半導体装置を適用した中央演算処理装置（ＣＰＵ）について説明する。
【０２８４】
図２１は、ＣＰＵのブロック図の一例を示す。図２１に示すＣＰＵ８０１は、タイミングコントロール回路８０２、命令解析デコーダー８０３、レジスタアレイ８０４、アドレスロジックバッファ回路８０５、データバスインターフェイス８０６、ＡＬＵ８０７（演算論理装置）、命令レジスタ８０８などより構成されている。
【０２８５】
ＣＰＵ８０１が有する回路には、実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いることができる。実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタは、酸化物半導体層を用いているため、電界効果移動度を大きくすることができる。また、水素濃度を十分に低減すると、トランジスタのオフ電流を極めて小さい値とすることができ、ＣＰＵ８０１の少なくとも一部を水素濃度が十分に低減された酸化物半導体層を有するトランジスタで構成することによって中央演算処理装置の消費電力を低くすることができる。
【０２８６】
ＣＰＵ８０１が有する各回路について以下に簡単に説明する。
【０２８７】
タイミングコントロール回路８０２は、外部からの命令を受け取り、それを内部用の情報に変換し、他のブロックに送り出す機能を有する。また、内部の動作に応じて、メモリデータの読み込み、書き込みなどの指示を外部に与える。
【０２８８】
命令解析デコーダー８０３は、外部の命令を内部用の命令に変換する機能を有する。
【０２８９】
レジスタアレイ８０４は、データを一時的に保管する機能を有する。従って、記憶素子を有する。
【０２９０】
アドレスロジックバッファ回路８０５は、外部メモリのアドレスを指定する機能を有する。
【０２９１】
データバスインターフェイス８０６は、外部のメモリまたはプリンタなどの機器とデータをやりとりする機能を有する。
【０２９２】
ＡＬＵ８０７は、演算を行う機能を有する。
【０２９３】
命令レジスタ８０８は、命令を一時的に記憶しておく機能を有する。従って、記憶素子を有する。
【０２９４】
ＣＰＵ８０１の少なくとも一部に実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いると、リーク電流が低減されるため、スタンバイ時の消費電力（待機電力）が低減される。そのため、このような中央処理装置の省電力化を図ることができる。ＣＰＵ８０１が有する各回路のうち、特にレジスタアレイ８０４または命令レジスタ８０８が有する記憶素子として、例えば実施の形態１にて説明した記憶素子を適用することができる。
【０２９５】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０２９６】
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について説明する。実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを適用した半導体装置の一例として、非接触でデータの入出力が可能である無線通信半導体装置について説明する。非接触でデータの入出力が可能である無線通信半導体装置は、ＲＦＩＤタグ、ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦタグ、無線タグ、電子タグまたは無線チップとも呼ばれる。
【０２９７】
本実施の形態の無線通信半導体装置の構造の一例について、図２２（Ａ）乃至（Ｃ）を参照して説明する。図２２（Ａ）に示す無線通信半導体装置は、（オンチップ）アンテナが設けられた半導体集積回路チップ９００と、（ブースター）アンテナ９０２が設けられた支持基板９０４と、を有する。半導体集積回路チップ９００は、支持基板９０４及びアンテナ９０２上に形成された絶縁層９０８上に設けられている。絶縁層９０８としては、支持基板９０４及びアンテナ９０２上に半導体集積回路チップ９００を固定することができるものを用いればよく、例えばシール材などにより形成すればよい。
【０２９８】
なお、半導体集積回路チップ９００の表面には、静電気放電による静電気破壊（回路の誤動作や半導体素子の損傷）を防止するために導電性遮蔽体が設けられていることが好ましい。導電性遮蔽体の抵抗が高く、アンテナ９０２のパターン間を導通させない場合には、アンテナ９０２と半導体集積回路チップ９００の表面に設けられる導電性遮蔽体とは接して設けられてもよい。
【０２９９】
半導体集積回路チップ９００内に設けられる半導体集積回路にはメモリ部やロジック部を構成する複数のトランジスタなどの素子が設けられる。これらのメモリ部やロジック部を構成するトランジスタとして、実施の形態１乃至実施の形態７で説明したトランジスタを用いることができる。
【０３００】
図２３（Ａ）は、図２２（Ａ）に示した半導体集積回路チップ９００に含まれる（オンチップ）アンテナと半導体集積回路の拡大図を示す。図２３（Ａ）において、アンテナ９１２は巻き数が１である矩形のループアンテナであるが、これに限定されない。アンテナ９１２は、曲線を有する形状（例えば円形）であってもよく、アンテナ９１２の巻き数は、複数であってもよい。アンテナ９１２の巻き数を１とすると、半導体集積回路９１０とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができるため、好ましい。
【０３０１】
また、図２３（Ａ）において、アンテナ９１２は、半導体集積回路９１０の周囲を取り囲むように配置されており、破線で示す給電点９１８に相当する部分以外は、アンテナ９１２は半導体集積回路９１０とは異なる領域に配置されている。図２３（Ａ）に示すように、アンテナ９１２が半導体集積回路９１０とは異なる領域に配置されていることで、半導体集積回路９１０とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができる。ただし、これに限定されず、図２３（Ｂ）に示すように、破線で示す給電点９１８に相当する部分以外において、アンテナ９１２が半導体集積回路９１０と少なくとも一部重なるように配置されていてもよい。
【０３０２】
図２２（Ａ）において、アンテナ９０２は、主に破線９０６で囲まれたループ状の部分における電磁誘導によって、半導体集積回路チップ９００が有するアンテナ９１２と信号の授受または電力の供給を行うことができる。また、アンテナ９０２は、主に、破線９０６で囲まれた部分以外の領域において、電波によって、外部の質問器と信号の授受を行うことができる。また、信号の授受のみならず、外部の質問器から電力が供給されてもよい。質問器と半導体集積回路チップ９００との間において、キャリア（搬送波）として用いられる電波の周波数は特に限定されないが、３０ＭＨｚ以上５ＧＨｚ以下が好ましく、例えば９５０ＭＨｚまたは２．４５ＧＨｚなどの周波数帯を用いればよい。
【０３０３】
また、アンテナ９０２は、破線９０６で囲まれた部分において巻き数が１である矩形のループアンテナであるが、これに限定されない。アンテナ９０２は、曲線を有する形状（例えば円形）であってもよく、アンテナ９０２の巻き数は、複数であってもよい。アンテナ９０２の破線９０６で囲まれた部分において巻き数を１とすると、アンテナ９０２とアンテナ９１２の間に生じる寄生容量を低減することができるため、好ましい。
【０３０４】
本実施の形態の無線通信半導体装置の通信方式は特に限定されず、例えば、電磁誘導方式、電磁結合方式またはマイクロ波方式を適用することができる。例えばマイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０ＭＨｚ帯乃至９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯など）の場合には、用いる電磁波の波長によりアンテナ９０２とアンテナ９１２の長さ及び形状を決定すればよい。アンテナの形状として、上記した他に、線状（例えば、ダイポールアンテナ）、平坦な形状（例えば、パッチアンテナまたはリボン型の形状）などが挙げられる。アンテナの形状として、上記した他に蛇行形状を用いてもよく、またはこれらを組み合わせてもよい。
【０３０５】
本実施の形態の無線通信半導体装置の通信方式は、上記したように、電磁誘導方式または電磁結合方式であってもよい。図２４は、電磁誘導方式または電磁結合方式を適用した例を示す。
【０３０６】
図２４においては、ブースターアンテナとしてコイル状のアンテナ９０２が設けられた支持基板９０４上に、コイル状のアンテナ９１２が設けられた半導体集積回路チップ９００が設けられている。
【０３０７】
次に、半導体集積回路チップ９００とブースターアンテナの構造及びその配置について説明する。図２２（Ｂ）は、図２２（Ａ）に示した半導体集積回路チップ９００と支持基板９０４に形成されたアンテナ９０２が積層された半導体装置の斜視図を示す。そして、図２２（Ｃ）は、図２２（Ｂ）の破線Ｘ−Ｙにおける断面図を示す。
【０３０８】
図２２（Ｃ）に示す半導体集積回路９１０は、第１の絶縁体９１４と第２の絶縁体９１６で挟持され、その側面も封止されている。ここでは、複数の半導体集積回路を挟持して第１の絶縁体と第２の絶縁体を貼り合わせた後、個々の半導体集積回路ごとの積層体に分断すればよい。分断した積層体に導電性遮蔽体を形成すると、半導体集積回路チップ９００が完成する。ここで、分断する手段としては、物理的に分断することができる手段であれば特定のものに限定されない。例えば、レーザ光を照射することによって分断することができる。
【０３０９】
図２２（Ｃ）では、半導体集積回路９１０が、アンテナ９１２よりもアンテナ９０２に近い位置に配置されているが、これに限定されない。アンテナ９１２が半導体集積回路９１０よりもアンテナ９０２に近い位置に配置されていてもよい。
【０３１０】
次に、本実施の形態の無線通信半導体装置の動作について簡単に説明する。図２５は、本実施の形態の無線通信半導体装置の構成の一例を示すブロック図である。なお、図２２乃至図２４と同じものを指す場合には同じ符号を付している。図２５に示す無線通信半導体装置は、アンテナ９０２と、半導体集積回路９１０と、アンテナ９１２と、を有する。アンテナ９０２はブースターアンテナであり、アンテナ９１２はオンチップアンテナである。
【０３１１】
まず、質問器９２０からの信号と電力を無線通信半導体装置が受信する場合について説明する。まず、質問器９２０から電磁波が送信され、アンテナ９０２が該電磁波を受信すると、アンテナ９０２内に交流の電流が生じ、アンテナ９０２の周囲に磁界が発生する。そして、アンテナ９０２が有するループ状の部分と、ループ状のアンテナ９１２が電磁結合することで、アンテナ９１２に誘導起電力が生じる。半導体集積回路９１０は、この誘導起電力を用いることで、信号または電力を質問器９２０から受け取る。
【０３１２】
逆に、質問器９２０に無線通信半導体装置が信号を送信する場合について説明する。このときは、半導体集積回路９１０において生成された信号に従って、アンテナ９１２に電流を流してアンテナ９０２に誘導起電力を生じさせることで、質問器９２０から送られてくる電波の反射波にのせて、質問器９２０に信号を送信することができる。
【０３１３】
なお、アンテナ９０２は、主にアンテナ９１２との間において電磁結合するループ状の部分と、主に質問器９２０からの電波を受信する部分に分けることができる。主に、質問器９２０からの電波を受信する部分では、アンテナ９０２は、電波を受信できる形状であればよい。例えば、ダイポールアンテナ、折り返しダイポールアンテナ、スロットアンテナ、メアンダラインアンテナ、マイクロストリップアンテナなどを用いればよい。
【０３１４】
また、上記の説明では、オンチップアンテナ及びブースターアンテナを各々１つだけ有する場合のみを示したが、これに限定されない。電力用のアンテナと信号を送受信するアンテナを別に設けてもよい。電力用のアンテナと信号を送受信するアンテナを別に設けることで、電力を供給する電波の周波数と、信号を送るための電波の周波数を異ならせることができ、電力の供給と信号の送受信をそれぞれ高効率で行うことができる。
【０３１５】
本実施の形態の半導体装置では、オンチップアンテナと、該オンチップアンテナと非接触で通信するブースターアンテナを用いているため、外付けのアンテナを半導体集積回路に物理的に直接接続する場合と比較して、外力によって半導体集積回路とアンテナの接続が分断されにくく、該接続における初期不良の発生も抑えることができる。
【０３１６】
また、本実施の形態の半導体装置では、ブースターアンテナを用いているので、オンチップアンテナのみを用いる場合と比較して、オンチップアンテナの寸法または形状が半導体集積回路の面積の制約を受けにくい。そのため、受信可能な電波の周波数帯が限定されず、オンチップアンテナのみを用いる場合よりも通信距離を長くすることができる。
【０３１７】
なお、本実施の形態の半導体集積回路は、可撓性基板に形成されていてもよい。半導体集積回路は、可撓性基板に形成する場合には可撓性基板上に素子を直接形成してもよいし、ガラス基板などの作製用基板に半導体集積回路を形成し、プラスチック基板などの可撓性基板へ転置してもよい。また、作製用基板に形成した半導体集積回路を可撓性基板へ転置する方法は特に限定されず、例えば、作製基板と半導体集積回路の間に剥離層を形成する方法を用いることができる。
【０３１８】
なお、半導体集積回路を可撓性基板へ転置する場合、例えば金属酸化物によって剥離層を形成することができる。この場合には、形成した金属酸化物を結晶化することで脆弱化し、被剥離層である半導体集積回路を含む素子層を作製基板から剥離すればよい。また、金属酸化物を結晶化した後、さらに剥離層の一部を溶液またはフッ化ハロゲンガス（ＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３など）を用いて除去し、剥離してもよい。
【０３１９】
または、剥離層として、窒素、酸素や水素などを含む膜（例えば、水素を含む非晶質シリコン膜、水素含有合金膜または酸素含有合金膜など）を用い、作製基板として透光性を有する基板を用いた場合には、作製基板から剥離層にレーザ光を照射して、剥離層内に含有する窒素、酸素や水素を気化させて剥離してもよい。
【０３２０】
または、作製基板を機械的（例えば、研磨）にまたは化学的（例えば、上記したフッ化ハロゲンガスによるエッチング）に除去する方法を用いてもよい。なお、この場合には、剥離層を用いなくてもよい。
【０３２１】
または、レーザ光の照射、若しくは鋭利な刃物などを用いて、剥離層を露出させる溝を形成し、この溝をきっかけとして用いて剥離を行ってもよい。
【０３２２】
上記の剥離をする際には、例えば、機械的な力を加えればよい。機械的な力を加える方法としては、例えば、人間の手や把治具で引き剥がす処理、またはローラーを回転させながら分離する処理などが挙げられる。
【０３２３】
なお、剥離層を形成する材料の一例として、例えばタングステンが挙げられる。剥離層をタングステンにより形成した場合には、アンモニア水と過酸化水素水の混合液により、剥離層をエッチングしつつ剥離を行うことができる。
【０３２４】
実施の形態１乃至実施の形態７にて説明したトランジスタはオフ電流が小さいため、本実施の形態の半導体装置に適用することで、消費電力を低くすることができる。
【０３２５】
また、半導体集積回路を導電性遮蔽体により覆うと、半導体集積回路の静電破壊を防止することができる。
【０３２６】
また、半導体集積回路を挟持する一対の絶縁体によって、薄型及び小型であり、且つ信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【０３２７】
従って、低消費電力であり、静電破壊が抑制され、且つ信頼性の高い半導体装置を実現することができる。
【０３２８】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０３２９】
（実施の形態１０）
本実施の形態は、本発明の一態様として、実施の形態９で説明した無線通信半導体装置を適用した例について説明する。
【０３３０】
図２６は、実施の形態９で説明した無線通信半導体装置と同様の半導体装置１０００の適用例を示す。半導体装置１０００は、電磁波の送信と受信ができるという機能を活用して、様々な物品やシステムに用いることができる。物品としては、例えば、鍵（図２６（Ａ）を参照）、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票など、図２６（Ｂ）を参照）、書籍類、容器類（シャーレなど、図２６（Ｃ）を参照）、装身具（鞄や眼鏡など、図２６（Ｄ）を参照）、包装用容器類（包装紙やボトルなど、図２６（Ｅ）及び（Ｆ）を参照）、記録媒体（ディスクやビデオテープなど）、乗物類（自転車など）、食品類、衣類、生活用品類、電子機器（液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置、携帯端末など）などが挙げられる。半導体装置１０００は、上記のような様々な形状の物品の表面に貼り付けたり、埋め込んだりして、固定される。また、ここでシステムとしては、物品管理システム、認証機能システム、流通システムなどが挙げられる。
【０３３１】
実施の形態９にて説明した、低消費電力であり、静電破壊が抑制され、且つ信頼性の高い半導体装置を用いることで、信頼性の高いシステムを実現することができる。
【０３３２】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせることができる。
【０３３３】
（実施の形態１１）
本実施の形態は、実施の形態１乃至実施の形態７にて説明したトランジスタを適用した表示装置について説明する。
【０３３４】
なお、本実施の形態の表示装置は、液晶表示装置またはＥＬ表示装置であってもよいが、ここでは一例として、電気泳動素子を用いた電子ペーパーについて説明する。
【０３３５】
図２７は、表示パネルとしてアクティブマトリクス型の電子ペーパーを用いたものの断面図を示す。電子ペーパーは、紙と同程度に視認性が高く、他の表示パネルに比べて消費電力が低く、薄型化、軽量化が可能である。
【０３３６】
図２７（Ａ）は、ツイストボール方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。ツイストボール方式とは、白と黒に塗り分けられた球形の粒子を表示素子に用いる電極層間に配置し、電極層間の電圧によって球形粒子の向きを制御することで、画像を表示する方式をいう。
【０３３７】
図２７（Ａ）に示すツイストボール方式を用いた電子ペーパーは、表示部１１１４と駆動回路部１１１６を有する。表示部１１１４は、基板１１００上のトランジスタ１１０２と接続された第１の電極層１１０４と、基板１１０６上に設けられた第２の電極層１１０８と、第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８の間に配された球形粒子１１１０と、を有する。球形粒子１１１０は、黒色領域１１１０ａ及び白色領域１１１０ｂを有し、周りに液体で満たされているキャビティ１１１０ｃを含む。球形粒子１１１０の周囲には有機樹脂などの充填材１１１２が充填されている。第２の電極層１１０８は、共通電極（対向電極）に相当し、共通電位線と電気的に接続されている。なお、駆動回路部１１１６は、表示部１１１４内のトランジスタ１１０２と同一の工程で形成されたトランジスタを含む。
【０３３８】
図２７（Ｂ）は、電気泳動素子方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。図２７（Ｂ）では、図２７（Ａ）における球形粒子１１１０に代えてマイクロカプセル１１１８を用いる。マイクロカプセル１１１８は、透明な液体１１１８ｃと、負に帯電した黒色粒子１１１８ａと、正に帯電した白色粒子１１１８ｂと、を有する。マイクロカプセル１１１８の大きさは、直径１０μｍ〜２００μｍ程度である。
【０３３９】
第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８との間に設けられるマイクロカプセル１１１８は、第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８によって電場が与えられると第１の粒子である白色粒子１１１８ｂと、第２の粒子である黒色粒子１１１８ａが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子である。電気泳動表示素子は、反射率が高いため補助ライトは不要であり、消費電力が小さく、薄暗い場所でも視認性が高い。また、表示部に電源が供給されていない状態であっても、一度表示した像を保持することが可能である。
【０３４０】
なお、第１の粒子と第２の粒子は染料を含み、電位勾配がない状態では移動しないものである。また、第１の粒子と第２の粒子の色は黒色と白色に限定されず、異なるもの（無色を含む）であればよい。
【０３４１】
上記したマイクロカプセルを溶媒中に分散させたものが電子インクと呼ばれるものである。電子インクは、ガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。また、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
【０３４２】
なお、マイクロカプセル１１１８中の第１の粒子と第２の粒子は、導電体材料、絶縁体材料、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレクトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料を用いればよい。
【０３４３】
図２７（Ｃ）は、電子粉粒方式を用いた電子ペーパーの断面図を示す。第１の電極層１１０４と、第２の電極層１１０８と、リブ１１２０に囲まれた空間１１２２に、正に帯電した黒色粉粒体１１２４Ａと、負に帯電した白色粉粒体１１２４Ｂと、を充填する。なお、空間１１２２には、例えばエアが充填されていればよい。
【０３４４】
第１の電極層１１０４と第２の電極層１１０８によって電位勾配が生じると、黒色粉粒体１１２４Ａと、白色粉粒体１１２４Ｂが逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。粉粒体として赤、黄、青のようなカラー粉体を用いてもよい。
【０３４５】
なお、図２７において、基板１１００としては、透光性を有するプラスチック基板などを用いることができる。ここで、プラスチック基板としては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（Ｐｏｌｙ Ｖｉｎｙｌ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いてもよい。
【０３４６】
基板１１００としてプラスチック基板などを用いる場合には、例えば、ガラス基板上に剥離層を形成し、該剥離層上に素子を形成し、該素子の上面を別の基板に接着して剥離層を除去することで移し替えて、該別の基板からプラスチック基板上に移し替えればよい。ここで、剥離層としては、例えば酸化タングステンを用いることができる。剥離層を酸化タングステンにより形成すると、水により剥離することができるため好ましい。また、上記した別の基板もまたプラスチック基板であってもよい。
【０３４７】
本実施の形態によれば、電界効果移動度が高いトランジスタを大面積基板上に形成し、駆動回路を画素回路と同一基板上に形成することができるので、倍速駆動を可能とするなど、付加価値の高い電子ペーパーを提供することができる。
【０３４８】
また、本実施の形態では、本発明の一態様である電気泳動素子などを用いた電子ペーパーの一例について説明したが、これに限定されず、他の態様の電子ペーパーであってもよい。例えば、表示素子に液晶素子またはＥＬ素子を用いた電子ペーパーとしてもよい。
【０３４９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【０３５０】
（実施の形態１２）
本実施の形態は、実施の形態１１で説明した表示装置を表示部に適用した、本発明の一態様である電子機器について説明する。
【０３５１】
実施の形態１１の表示装置を表示部に適用した電子機器として、例えば、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポなど）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍など）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）などの記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。
【０３５２】
図２８（Ａ）に示すディスプレイは、筐体１２００、支持台１２０１及び表示部１２０２を含み、入力された様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部１２０２に表示する機能を有する。なお図２８（Ａ）に示すディスプレイが有する機能はこれに限定されず、例えばスピーカーを具備していてもよいし、情報の表示のみならず入力も可能なタッチパネルであってもよい。
【０３５３】
図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置は、筐体１２１１に表示部１２１２が組み込まれている。表示部１２１２により、映像を表示することが可能である。また、ここでは、壁１２１０に固定して筐体の裏側を支持した構成を示している。
【０３５４】
図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置の操作は、筐体１２１１が備える操作スイッチや、リモコン操作機１２１５により行うことができる。リモコン操作機１２１５が備える操作キー１２１４により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部１２１２に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機１２１５に、当該リモコン操作機１２１５から出力する情報を表示する表示部１２１３を設ける構成としてもよい。
【０３５５】
なお、図２８（Ｂ）に示すテレビジョン装置は、受信機やモデムなどを備えた構成とするとよい。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０３５６】
図２８（Ｃ）に示すコンピュータは、本体１２２０、筐体１２２１、表示部１２２２、キーボード１２２３、外部接続ポート１２２４及びポインティングデバイス１２２５を含み、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部１２２２に表示する機能を有する。なお、図２８（Ｃ）に示すコンピュータが有する機能はこれに限定されず、例えば、情報の表示のみならず入力も可能なタッチパネルであってもよい。
【０３５７】
本実施の形態にて説明した電子機器が有する記憶部に、実施の形態１にて説明した半導体装置を用いることで、信頼性が高く、消費電力が低い電子機器を実現することができる。
【０３５８】
本実施の形態にて説明した電子機器の表示部に、実施の形態１１にて説明した表示装置を用いることで、信頼性が高く、消費電力が低い電子機器を実現することができる。また、開口率を向上させることもできる。
【０３５９】
本実施の形態は、他の実施の形態の構成と自由に組み合わせて実施することが可能である。
【符号の説明】
【０３６０】
１００ 基板
１０２ ゲート絶縁層
１０３ 保護絶縁層
１１０ トランジスタ
１１１ ゲート電極層
１１３ チャネル形成領域
１１４ａ 高抵抗ソース領域
１１４ｂ 高抵抗ドレイン領域
１１５ａ ソース電極層
１１５ｂ ドレイン電極層
１１６ 絶縁性酸化物層
１２０ 基板
１２１ ゲート電極層
１２２ａ ゲート絶縁層
１２２ｂ ゲート絶縁層
１２３ 保護絶縁層
１３０ 酸化物半導体膜
１３１ 酸化物半導体層
１３２ 酸化物半導体層
１３５ａ ソース電極層
１３５ｂ ドレイン電極層
１３６ 絶縁性酸化物層
１４０ トランジスタ
１５０ 記憶素子
１５２ 行デコーダ
１５４ 書き込み及びリフレッシュ回路
１５６ 列デコーダ
１５８ 書き込み及びリフレッシュ回路
１６０ 論理積回路
１６２ 論理積回路
１６４ 論理積回路
１６６ スイッチ
１６８ スイッチ
１７０ スイッチ
１７２ センスアンプ
１８０ 記憶素子
１８２ トランジスタ
１８４ トランジスタ
１８６ トランジスタ
１８８ トランジスタ
１９０ トランジスタ
１９２ トランジスタ
１９４ 抵抗素子
１９６ 抵抗素子
２００ 基板
２０２ ゲート電極層
２０４ ゲート絶縁層
２０６ 酸化物半導体層
２０８ 絶縁性酸化物層
２１０ 酸化物半導体層
２１２ ソース電極及びドレイン電極層
２１４ 保護絶縁層
２２０ トランジスタ
３００ 基板
３０２ ゲート電極層
３０４ ゲート絶縁層
３０６ａ ソース電極及びドレイン電極層
３０６ｂ ソース電極及びドレイン電極層
３０８ 酸化物半導体膜
３１０ 酸化物半導体層
３１２ 酸化物半導体層
３１４ 絶縁性酸化物層
３１６ 保護絶縁層
３２０ トランジスタ
４００ 基板
４０２ ゲート絶縁層
４０７ 絶縁層
４１０ トランジスタ
４１１ ゲート電極層
４１２ 酸化物半導体層
４１４ａ 配線層
４１４ｂ 配線層
４１５ａ ソース電極層
４１５ｂ ドレイン電極層
４２１ａ 開口
４２１ｂ 開口
５１２ 酸化物半導体層
５２０ トランジスタ
５２１ トランジスタ
５２２ 絶縁層
５２４ 導電層
５２７ 導電層
６００ 基板
６０２ ゲート絶縁層
６０７ 絶縁層
６１０ トランジスタ
６１１ ゲート電極層
６１１ａ ゲート電極層
６１１ｂ ゲート電極層
６１２ 酸化物半導体層
６１４ 配線層
６１５ａ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ｂ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ａ１ ソース電極及びドレイン電極層
６１５ａ２ ソース電極及びドレイン電極層
６１８ 配線層
６２３ 開口
８０１ ＣＰＵ
８０２ タイミングコントロール回路
８０３ 命令解析デコーダー
８０４ レジスタアレイ
８０５ アドレスロジックバッファ回路
８０６ データバスインターフェイス
８０７ ＡＬＵ
８０８ 命令レジスタ
９００ 半導体集積回路チップ
９０２ アンテナ
９０４ 支持基板
９０６ 破線
９０８ 絶縁層
９１０ 半導体集積回路
９１２ アンテナ
９１４ 絶縁体
９１６ 絶縁体
９１８ 給電点
９２０ 質問器
１０００ 半導体装置
１１００ 基板
１１０２ トランジスタ
１１０４ 電極層
１１０６ 基板
１１０８ 電極層
１１１０ 球形粒子
１１１２ 充填材
１１１４ 表示部
１１１６ 駆動回路部
１１１８ マイクロカプセル
１１２０ リブ
１１２２ 空間
１２００ 筐体
１２０１ 支持台
１２０２ 表示部
１２１０ 壁
１２１１ 筐体
１２１２ 表示部
１２１３ 表示部
１２１４ 操作キー
１２１５ リモコン操作機
１２２０ 本体
１２２１ 筐体
１２２２ 表示部
１２２３ キーボード
１２２４ 外部接続ポート
１２２５ ポインティングデバイス
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域、チャネル形成領域およびドレイン領域が設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層を覆って設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳して設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層のソース領域およびドレイン領域に接続された第２の導電層と、を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられている記憶素子を含み、
前記記憶素子がマトリクス状に配置され、
前記酸化物半導体層におけるキャリア濃度は５×１０１４ｃｍ−３以下であり、
前記薄膜トランジスタのオフ電流値は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層における水素濃度は５×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置がＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１】
ソース領域、チャネル形成領域およびドレイン領域が設けられた酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層を覆って設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に、前記酸化物半導体層のチャネル形成領域と重畳して設けられた第１の導電層と、
前記絶縁層に設けられた開口部を介して前記酸化物半導体層のソース領域およびドレイン領域に接続された第２の導電層と、を有する薄膜トランジスタが少なくとも一つ設けられている記憶素子を含み、
前記記憶素子がマトリクス状に配置され、
前記酸化物半導体層におけるキャリア濃度は５×１０１４ｃｍ−３以下であり、
前記薄膜トランジスタのオフ電流値は、１×１０−１３Ａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物半導体層における水素濃度は５×１０１９ｃｍ−３以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置がＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図４】
【図２】
【図３】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１０９０８４（Ｐ２０１１−１０９０８４Ａ）
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２３６１４９（Ｐ２０１０−２３６１４９）
【出願日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年６月２日（２０１１．６．２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月２１日（２０１０．１０．２１）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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