【課題】ＬＯＣＯＳ酸化膜端部の直下の電界集中が容易に緩和され、ＬＯＣＯＳ酸化膜直下の半導体導電層の良好な耐圧および抵抗を実現することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置（１）は、ＬＯＣＯＳ酸化膜（２２）の半導体基板の表面に対してラテラル方向に終端しているエッジ（２２ａ、２２ｂ）の少なくとも一部（２２ａ、２２ｂ）が、上面と下面とに１５度以上３０度以下の角度（θ）で挟まれて終端するプロファイルを有している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高電圧領域及び低電圧領域を有する半導体基板100と、高電圧領域に形成され、第１活性領域110-I、第１ソース／ドレイン領域114-I、第１ゲート絶縁膜130及び第１ゲート電極202-Iを有する高電圧トランジスタTR-Iと、低電圧領域に形成され、第２活性領域110-II、第２ソース／ドレイン領域114-II、第２ゲート絶縁膜310及び第２ゲート電極320を有する低電圧トランジスタTR-IIとを備え、第２ソース／ドレイン領域は、第１ソース／ドレイン領域より薄い厚さを有することを特徴とする半導体素子。 （もっと読む）

【課題】ダイオードの逆回復特性を改善する技術を提供すること。
【解決手段】モノリシック集積回路１００は、半導体層６と絶縁分離部４とダイオード１６を備えている。絶縁分離部４は、平面視したときに、半導体層６の一部である島領域８を周囲から絶縁している。ダイオード１６は、島領域８に形成されている。ダイオード１６は、第１導電型の中央領域１４と第２導電型の環状領域１０を有している。中央領域１４と環状領域１０は、半導体層６の表層に形成されている。平面視したときに、環状領域１０は、中央領域１４の周囲を一巡している。島領域８には、半導体層６を貫通する貫通部１８が形成されている。貫通部１８は、中央領域１４に囲まれている。モノリシック集積回路１００では、絶縁分離部４を画定するトレンチと貫通部１８を画定するトレンチが、同一の製造工程で作製される。 （もっと読む）

【課題】インダクタの下方に位置する素子分離膜に開口を設けてその開口内に半導体基板を残しつつ、インダクタの下方に位置する半導体基板に渦電流が発生することを抑制する。
【解決手段】インダクタ３００は、多層配線層２００に形成されており、素子分離膜１２の上方に位置している。開口１３は、素子分離膜１２のうち少なくとも平面視でインダクタ３００と重なる領域に形成されている。また、素子分離膜１２とインダクタ３００の間に位置するいずれの層にも、インダクタ３００と半導体基板１０の間をシールドするシールド導電部材は形成されていない。 （もっと読む）