【課題】新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１のゲート電極、第１のソース電極、および第１のドレイン電極を有する第１のトランジスタと、第２のゲート電極、第２のソース電極、および第２のドレイン電極を有する第２のトランジスタと、を有し、第１のトランジスタは、半導体材料を含む基板に設けられ、第２のトランジスタは酸化物半導体層を含んで構成された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造の半導体記憶装置に電気的に書換え可能な不揮発性メモリを形成する手段を提供する。
【解決手段】ＳＯＩ半導体基板１と、素子分離層３８と、トランジスタ形成領域１０に形成されたＭＯＳＦＥＴ８と、キャパシタ形成領域に形成されたＭＯＳキャパシタ９とを備えた半導体記憶装置であって、ＭＯＳＦＥＴ８はゲート絶縁膜と、ゲート酸化膜上に形成されたフローティングゲート電極１３と、ソース層１６およびドレイン層１７と、チャネル領域に接しチャネル領域に拡散された不純物と同じ型の不純物を高濃度に拡散させた高濃度拡散層１９と、高濃度拡散層１９とソース層１６とを覆うシリサイド層とを有し、ＭＯＳキャパシタ９はソース層１６と同じ型の不純物を高濃度に拡散させたキャパシタ電極２１を有し、ＭＯＳキャパシタ９のキャパシタ電極２１をＭＯＳＦＥＴのフローティングゲート電極１３の端部にゲート絶縁膜を挟んで対向配置する。 （もっと読む）

【課題】通常のＣＭＯＳプロセスと同じ材料・技術のみを用いて作製できる新しい構造の不揮発性メモリの実現。
【解決手段】導電性材料で形成された複数のフローティング領域1,2と、隣接する複数のフローティング領域の間に設けられたトンネル膜領域3と、トンネル膜領域3を介して複数のフローティング領域1,2間で電荷を移動させて、複数のフローティング領域1,2における電荷保持状態を変化させる制御部6,7と、複数のフローティング領域1,2における電荷保持状態の差を検出する検出部6,7と、を備える。 （もっと読む）