Fターム[5F083GA01]の内容
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フラッシュメモリデバイスの特性を改善する方法
半導体デバイスを製造する方法において、シリコン基板(62)上にゲート酸化膜(60)を提供する。このゲート酸化膜(60)上に第1ポリシリコン層(64)を提供し、第1ポリシリコン層(64)上に絶縁層(66)を提供し、またこの絶縁層(66)上に第2ポリシリコン層(68)を提供する。適切なマスキングを実行した後にエッチングステップが実行されると、シリコン基板を露出させ、かつこのシリコン基板上にスタックゲート構造を形成すべく、第2ポリシリコン層、絶縁層、第1ポリシリコン層、およびゲート酸化膜の一部を除去するようにこれらの層がエッチングされる。スタックゲート構造(72)上に薄い酸化膜(80)を成長させるべく、短時間(例えば10秒から20秒)の急速熱アニールを実行する。それから、急速熱アニールによって形成された酸化膜(80)上に第2酸化膜(82)をたい積する。
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