Fターム[5F083JA56]の内容
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SiOF (63)
Fターム[5F083JA56]に分類される特許
1,741 - 1,742 / 1,742
磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド
【課題】 ペロブスカイト型酸化物を用いて良好なトンネル接合を実現し、低磁場でも大きな磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果型素子を提供する。
【解決手段】 式L2(A1-zRz)2An-1MnO3n+3+xにより表される組成を有し、結晶構造内に(L-O)2層を有する層状ペロブスカイト型酸化物と、この酸化物を挟むようにこれに接して形成された一対の強磁性体と、を含む磁気抵抗効果型素子とする。ただし、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも1種の元素を、LはBi、TlおよびPbから選ばれる少なくとも1種の元素を、MはTi、V、Cu、Ru、Ni、Mn、Co、FeおよびCrから選ばれる少なくとも1種の元素を、Rは希土類元素をそれぞれ示し、nは1、2または3であり、x、zは、それぞれ、−1≦x≦1、0≦z<1により示される範囲内の数値である。
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半導体装置およびその製造方法
【課題】 強誘電体キャパシタに保護膜を設け、強誘電体膜の還元を抑制する。
【解決手段】 前記保護膜としてAl2 O3 膜を、3.0〜3.1g/cm3 、あるいはそれ以上の密度に形成する。
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