【課題】ダミー積層構造に電荷が蓄積されることを防止する。
【解決手段】実施形態に係わる三次元不揮発性半導体メモリは、半導体基板上に積み重ねられる複数のメモリセル及び複数のメモリセルに接続される複数の第１導電層を備えるメモリセルアレイ２と、半導体基板上に積み重ねられる複数の第２導電層を備え、メモリセルアレイ２を取り囲むダミー積層構造１３と、メモリセルアレイ２上及びダミー積層構造１３上に配置される金属層２３Ａとを備える。複数の第２導電層は、接地電位に固定される。 （もっと読む）

【課題】製造途中における下部電極の倒壊が効果的に防止され、微細化可能であり、歩留まりよく製造できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】下部電極１３と、下部電極１３と容量絶縁膜を挟んで対向配置された上部電極１５とを有するキャパシタ素子Ｃａを備える半導体装置の製造方法であって、キャパシタ素子Ｃａを形成する工程が、不純物を含有する酸化シリコンからなる層間絶縁膜１２に埋め込まれて基板１の厚み方向に延びる外壁１３Ｂを有する複数の下部電極１３の外壁１３Ｂと接触して、隣接する２以上の下部電極１３間を繋ぐように、下部電極１３と平面視で重ならない領域の一部に、不純物を含有しない酸化シリコンからなる支持部１４Ｓを形成する工程と、湿式エッチングにより層間絶縁膜１２を除去し、外壁１３Ｂを露出させる工程とを有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】メモリの単位メガバイト当たり製造コストを、単にモノリシック回路集積法で慣用的に製造される回路の数分の一に低減させる。
【解決手段】各層が別々に最適化されるように、別々の層（１０３）上へのメモリ回路（１０３）および制御論理回路（１０１）の物理的分離が可能な三次元（３ＤＳ）メモリ（１００）。幾つかのメモリ回路（１０３）について１つの制御論理回路（１０１）で十分であり、コストを低減できる。３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。微粒子の高密度層間垂直バス相互接続部（１０５）が使用されている。３ＤＳメモリ（１００）製造方法は、幾つかの性能および物理的サイズ効率を可能にしかつ確立された半導体加工技術により実施される。 （もっと読む）

【課題】 密封型半導体記録媒体及び密封型半導体記録装置に関し、無線により電力を給電するとともに、相互干渉なしに無線でデータ通信を高速に行うことが可能な密封された高信頼性の半導体メモリを低コストで提供する。
【解決手段】 少なくとも１枚の半導体基板に最大辺が２０ｍｍ以下のサイズの複数の読出専用メモリブロックを互いに電源配線を共有しない状態で設け、前記各読出専用メモリブロックに電力受給用コイルとデータ通信用コイルを備えるとともに、前記各読出専用メモリブロックに互いに異なったデータを書き込む。 （もっと読む）