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Fターム[5F088CA04]の内容

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Fターム[5F088CA04]に分類される特許

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【課題】 容易にかつ精度よく光学素子を製造することのできる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板22の受光面24を除く領域を覆うカバー層46,47を形成した後、基板22の受光面24に透光層23a,23bを複数積層して透光部23を形成する。次に、カバー層46,47とともに、透光部23の除去部分23Bを除去する。透光部23の除去部分23Bをエッチングによって除去するのではなく、カバー層46,47を除去することで、各透光層23a,23bのエッチング速度の違いにかかわらず、透光部23の除去部分23Bを精度よく除去することができる。これによってドライエッチングを行うことなく、透光部23の残留部分23Aを精度よくパターン形成することができる。 (もっと読む)


【課題】CdTe材料の放射線感応膜で構成される二次元放射線検出器において、基板に接する側と膜露出側の膜質を均一化し、電荷収集効率を上げ感度向上を図る。
【解決手段】第一の基板2上に放射線感応膜として機能する積層膜を成膜したあと、前記積層膜が露出している膜面に導電性接着層として機能するカーボン厚膜4を介して第二の基板5を貼り付けた後、前記第一の基板2と前記積層膜の内膜質が思わしくない積層膜31を研磨除去して、良好な膜質の積層膜32の膜面を露出させ、該膜面にアクティブマトリクス基板を貼り付けた構造とする。したがって、基板に接する側と膜露出側の膜質を良好で均一なものとすることが可能であり、電荷収集効率を上げ感度向上が期待できる。 (もっと読む)


【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよX線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとTFTを組み合わせて構成する。X線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりTFTを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は10^18/cm3未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 (もっと読む)


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