【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方面側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面の上方側に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記電子注入阻止層２１から前記Ｘ線透過性基板１７の上方面に到達する凹部３２を形成し、この凹部３２内の前記Ｘ線透過性基板１７の上方面には電子注入阻止層２１を形成した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば、薄膜状電極、正孔注入阻止層などにキズや、ムラが発生した場合でも、それによる陰の出現が起きないようにすることを目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、下方側がＸ線入射面となったＸ線透過性基板１７と、このＸ線透過性基板１７の上面側の上方に順次設けた薄膜状電極１８、正孔注入阻止層１９、光変換膜層２０、電子注入阻止層２１とを備え、前記正孔注入阻止層１９および薄膜状電極１８を貫通し、前記Ｘ線透過性基板の上面に達する凹部３２を形成。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】電荷変換層の劣化を抑制すると共に、放射線検出器の製造最終工程まで、電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線が邪魔にならないようにする。
【解決手段】延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。このため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、高電圧線432と延長電極部431との接続が、ピン456及びプラグ446により行われるので、放射線検出器400の製造最終工程で、高電圧線432と延長電極部431とを接続することができ、放射線検出器400の製造最終工程まで、光導電層404へバイアス電圧を印加するための高電圧線432が邪魔とならない。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制する。
【解決手段】放射線検出器本体430のアクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442よりも線膨張係数が小さい支持体460及び固定部材462で、アクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442を挟んで固定する。これにより、支持体460がアクティブマトリックス基板450下に接合されるのみ構成に比して、放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】塗布液の主成分と基板との接触角が大きい場合でも、塗布膜を均一に形成する。
【解決手段】被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに対して塗布液を供給する際に、被塗布面ＷＡに対して補助溶媒の供給を開始した後に、既に被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡに供給されている補助溶媒の上に重なるように塗布液を供給する。これにより、塗布液及び塗布液の主成分である溶媒を被塗布面ＷＡに供給する構成に比して、被塗布物Ｗの被塗布面ＷＡにおいて塗布液が広がりやすくなり、被塗布物Ｗの表面状態や塗布液の粘度等に関わらず塗布液を被塗布面ＷＡに均一に広げることができる。その結果、被塗布面ＷＡに塗布膜を均一に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を繰り返して使用する場合においても、バイアス電極の端部での放電破壊を抑制する。
【解決手段】上部電荷選択透過層402の外周端は、配線440が配置された領域において、バイアス電極401の外周端の内側に位置するのでバイアス電極401の外周端が上部電荷選択透過層402を介することなく、直接、光導電層404に接触する。これにより、バイアス電極401の外周端部での電荷蓄積とこれによる電場強度の増加が抑制され、バイアス電極401の端部での放電破壊を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が良く、膜質が優れた膜を基板に形成することができ、しかも成膜材料の無駄を抑制できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】本発明の真空蒸着方法は、真空容器内で複数の蒸発源を用いて蒸着により基板の表面に膜を形成するものである。蒸発源は上方に開口部を有し、内部に成膜材料が収納される加熱容器、この底部から所定の高さの位置の温度を測定する温度センサ、加熱容器を加熱する加熱部を備え、成膜材料を蒸発させるものである。基板に膜を形成するに際して、各蒸発源について、所定の温度に達した後からの温度センサにより測定された温度の平均値を求め、温度センサによる温度の測定値が、平均値に所定の温度差値を足した値以上になったとき、温度が達した蒸発源における成膜材料の蒸発を停止させる。 （もっと読む）

【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、半導体層の結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧が印加される電圧印加電極１と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層２と、放射線量に応じた電気信号を検出するための電極８,９が設けられた基板７とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極１の端部に対向する位置に設けられた電極８,９の上面に電荷注入阻止層１５を設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の電気特性（暗電流、欠陥）を長期に亘って維持する。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極８と、バイアス電極８を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極８と記録用光導電層５との間に、硫化アンチモンからなる第一の中間層７と、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層からなる第二の中間層６とを、第二の中間層６を記録用光導電層５側に向けて積層して設け、第二の中間層６の特定物質平均濃度を０．０００３モル％以上０．００３モル％以下とする。 （もっと読む）

【課題】有機層の形成範囲を規定して放射線検出器の耐久性を向上させる。
【解決手段】正孔注入阻止層402の外縁部が、取出電極470から１ｍｍ画像情報取得領域Ｇ側に位置しており、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置する。これにより、光導電層404の画像情報取得領域Ｇを正孔注入阻止層402が覆うことになり、光導電層404の画像情報取得領域Ｇにおける結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器400としての耐久性が向上する。また、正孔注入阻止層402は、取出電極470を覆わないので、取出電極470の導通不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を電極と記録用光導電層との間に結晶化防止層を設けても皺の発生を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】基板１上に、複数の基準電極２と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有するａ−Ｓｅからなる結晶化防止層４’と、バイアス電極７をこの順に積層してなる放射線画像検出器１０において、記録用光導電層５と結晶化防止層４’との間に、金属フッ化物、金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）からなる群より選ばれる少なくとも一つの特定物質を含有したａ−Ｓｅからなる熱変形防止層６を設ける。
（もっと読む）

【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極７と、バイアス電極７を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、前記発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極７と記録用光導電層５との間に、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層であって、かつ前記特定物質の濃度が０．００３〜０．０３モル％である中間層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を高い電子輸送性を維持したまま、正孔輸送性を大きく向上することができるものとする。
【解決手段】記録用光導電層の両側に電極が設けられ、該電極間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより前記記録用光導電層内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器において、記録用光導電層に１．９５±０．０２の配位数を有するアモルファスセレンを用いる。 （もっと読む）

【課題】電荷変換層が周囲から受ける圧力を低減し、電荷変換層の劣化を抑制する。
【解決手段】カバーガラス440と保護部材442との接合部分が、光導電層404の外側に配置されているため、カバーガラス440と保護部材442との接合部分で発生するストレスが硬化性樹脂444を介して光導電層404に伝わるのを抑制する。これにより、光導電層404が受ける圧力を低減し、光導電層404の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一対の電極と、これらに挟まれた光電変換膜とを含む固体撮像素子において、製造過程に起因する劣化や製造後の経時劣化を極力防ぐことが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に配列された複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部の各々の上方に形成されたカラーフィルタとを有する固体撮像素子１００であって、前記光電変換部が、基板上方に形成された下部電極７と、下部電極７上に形成された光電変換膜９と、光電変換膜９上に形成された上部電極１０とを含んで構成され、上部電極１０上に形成された前記光電変換部を保護するために原子層堆積法（ＡＬＤ法）によって形成された保護膜１１と、上部電極１０と保護膜１１の間にＡＬＤ法以外の方法（スパッタ法）によって形成されたＡＬＤ法に起因する前記光電変換部の特性劣化を防止するための保護膜１５と、保護膜１１上に形成された保護膜１１の機能を強化するための高分子材料膜１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】被蒸着材上に均一で欠陥のない非晶質セレンの膜を形成できるセレン蒸着装置を提供することを課題とする。
【解決手段】真空チャンバと、真空チャンバ内に設置され、被蒸着材を保持する保持機構と、保持機構の下部に配置され、セレンを主成分とする蒸発材料を蒸発させる蒸発源と、蒸発源の外周の少なくとも一部を覆う蒸発源カバー、蒸発源に対向して配置され蒸発源から被蒸着材に向かう蒸発材料の蒸気を遮蔽するシャッター及び保持機構に保持された被蒸着材と蒸発源との間の蒸発材料が通過する領域を覆う防着カバーの少なくとも１つとを有し、さらに、蒸発源カバー、シャッター及び防着カバーの少なくとも１つを６０℃以下または１００℃以上に保持する温度調整機構とを有する構成とすることで、上記課題を解決する。 （もっと読む）