【課題】 小型で光検出精度の優れた受発光素子を提供する。
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面２ｂ１およびこれに続く底面２ｂ２で構成された窪み部２ｂを一主面２ａに有する基板２と、基板２の一主面２ａに設けられた発光ダイオード３と、窪み部２ｂの底面２ｂ２に設けられた第１フォトダイオード４と、窪み部２ｂの傾斜面２ｂ１に設けられた第２フォトダイオード５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 対象物に光を照射して応答を検出する際の検出感度の向上及びノイズの低減をはかる。
【解決手段】 不透明な配線層１０７，１０８を有する基板１００上に、複数の発光素子２００と複数の受光素子３００を基板面内方向に離間して形成した光電変換装置であって、発光素子２００及び受光素子３００は基板１００上に形成したバンク２０２，３０２の開口部にそれぞれ形成されている。発光層の半導体材料２０３〜２０５と受光層の半導体材料３０３，３０５とは異なり、発光素子２００及び受光素子３００の上部電極層２０７，３０７とは共通である。さらに、配線層１０７，１０８は、バンク２０２，３０２の開口部で規定される各領域の外側の領域に形成されている。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは照射光と反射光を遮光すると共に開口部が形成されている。絶縁層２８は遮光層ＢＭを覆うと共に照射光と反射光を透過する絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭと絶縁層２８は第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。絶縁層２８において、発光層２６に接する面は第１電極２２の表面に対して傾斜した斜面を含み、この斜面と第１電極２２に接する面とのなす角は鋭角である。 （もっと読む）

【課題】受光素子の受光面に発光層からの直接光や対象物から斜めに入射した散乱光が入射することを抑制しつつ装置を薄型化する。
【解決手段】センシング装置は発光部２０と受光部３０と遮光膜ＢＭを備え、発光部２０は受光部３０より対象物Ｆ側に位置する。発光部２０は、照射光ＩＬを発する発光層２６と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを透過する第１電極２２と、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に互いに離間して設けられた第２，第３電極２４とを備える。受光部３０は、反射光ＲＬを受光する受光素子Ｄを備える。遮光層ＢＭは、第１電極２２の発光層２６側の表面のうち第２，第３電極２４間の離間領域に対応する位置に設けられ、照射光ＩＬと反射光ＲＬを遮光すると共に開口部が形成された絶縁体である。対象物Ｆ側から平面視した場合に、遮光層ＢＭは第２，第３電極２４間の離間領域と重なり、受光素子Ｄの受光面は遮光層ＢＭの開口部内に位置する。 （もっと読む）

【課題】光検出機能を有していても、小型で狭い実装スペースに搭載できる半導体レーザ及び光モジュールを実現する。
【解決手段】素子本体５の内部に活性層４が設けられると共に、素子本体５の上面には第１の電極６が形成され、素子本体５の下面には第２の電極７、及び第３の電極８が形成されている。そして、素子本体５の一方の端部は、第１の電極６から第２の電極７にかけて超薄膜の量子ドット膜９が形成されている。これをＡＰＣ駆動回路に接続し、量子ドット膜９で検出された光をモニタすることにより、半導体レーザに入力されるバイアス電流をフィードバック制御する。 （もっと読む）

【課題】 ノイズの混入を抑制することができる受発光素子及びその製造方法、並びにその受発光素子を備える光センサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光素子１は、半導体基板３と、半導体基板３の一方の主面３ａに設けられた発光ダイオード５と、半導体基板３の前記一方の主面３ａに、発光ダイオード５と離間して設けられたフォトダイオード７と、を備えている。半導体基板３の一方の主面３ａにおいて発光ダイオード５とフォトダイオード７との間の位置には溝１９が形成されている。フォトダイオード７は、半導体基板３の一方の主面３ａにＰ型不純物を拡散して形成されたＰ型半導体領域７ｐと、Ｐ型半導体領域７ｐと離間して配置され、半導体基板３の前記一方の主面３ａにＮ型不純物を拡散して形成されたＮ型半導体領域７ｎとを有している。Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 （もっと読む）

【課題】 被照射物からの拡散反射光の受光素子での受光量の減少を抑制しつつ、省スペース化が可能な受発光素子アレイ及びこれを備えたセンサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光素子アレイ１は、列状に配置して設けられた複数の発光素子５と、発光素子５の配列方向に沿って、該各発光素子５と対応するように設けられた複数の第一受光素子７と、発光素子５の配列方向に沿って延びるように設けられた第二受光素子９と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】二次モールド体が不当に剥がれてしまうことを抑制することが可能なフォトインタラプタを提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１の主面１１に搭載された発光素子２および受光素子３と、発光側一次モールド体４と、受光側一次モールド体５と、二次モールド体６と、を備えており、発光側一次モールド体４から光が出射する出射面４１と、受光側一次モールド体５に光が入射する入射面５１とが互いに対向しており、出射面４１および入射面５１に挟まれた検出空間Ｓｐにおける物体Ｏｂの有無を検出するフォトインタラプタＡであって、発光側一次モールド体４および受光側一次モールド体５には、主面１１が向く方向と交差する方向を深さ方向とする凹部４３，５３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 検出対象物の検出可能範囲が広く、しかも位置検出精度を向上した受発光一体型素子アレイおよびそれを用いたセンサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光一体型素子アレイＬは、基板１と、基板１上に列状に配置して設けられた複数の受光素子２と、基板１上に、受光素子２の配列方向に沿って、列状に配置して設けられた複数の発光素子３と、を備えている。そして、発光素子３は、各受光素子２に対し、複数個ずつ対応するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子とその発光素子の光出力を検知する受光素子とを同一半導体基板上に集積化した光半導体装置において、発光素子の信頼性の向上、部材数および実装工程数の増加の抑制、が可能な光半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０上に設けられた発光素子１２と、半導体基板１０上に設けられ、発光素子１２の光出射端面３８の横方向に配置された端面を光入射面４０とし、発光素子１２の光出力を検知する端面入射型の受光素子１４と、を具備する光半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】光量損失を最小限にし長寿命でかつ小型化が容易な露光装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１００と、このガラス基板１００上に配列された複数の発光素子１１０から構成される発光素子列を具備し、発光素子１１０が１層以下の空気層３を介して感光体２に対向せしめられ、感光体２を露光するように構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面発光型半導体レーザの発光特性の劣化を抑制することのできる光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる光素子１００は、面発光型半導体レーザ１４０と、前記面発光型半導体レーザから出射されたレーザ光の一部を検出する光検出素子１２０と、を含み、前記光検出素子は、光吸収層及び第１コンタクト層１１１を有し、前記第１コンタクト層は、吸収端波長が前記面発光型半導体レーザの発振波長より小さい半導体からなる。 （もっと読む）

【課題】光検出精度を向上させることの可能な半導体発光装置を提供する。
【解決手段】半導体光検出器１０はｎ型傾斜基板１１上に、バッファ層１２、ｎ型ＤＢＲ層１３、光検出層１４およびｐ型コンタクト層１５をこの順に積層して構成されており、この上に配置された面発光型半導体レーザ２０と共に一体に形成されている。光検出層１４は活性層２４のバンドギャップよりも大きく活性層２４のバンドギャップの２倍以下のバンドギャップを有する半導体により構成されている。これにより、面発光型半導体レーザ２０内で発生したレーザ光のうち基本波光は光検出層１４で吸収されず光検出層１４を透過するが、基本波光の強度のほぼ二乗に比例した強度のＳＨＧ光が光検出層１４で吸収され光電流に変換される。 （もっと読む）

【課題】ＯＬＥＤ光源を有するモノリシックに集積されたＣＭＯＳリフレックスカプラを提供する。
【解決手段】リフレックスカプラは、光信号を生成するための有機発光素子と検出器領域を有する無機光検出器とを有する。有機発光素子および検出器領域は、光信号が入射する対象物から戻る照射の結果、光学的に結合され、有機発光素子と無機光検出器とが、１つの装置において集積される。 （もっと読む）

【課題】面発光レーザ部およびダイオード部を含み所望の特性を有する光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る光素子の製造方法は，基板の上方に第１ミラーを形成する工程、第１ミラーの上方に活性層を形成する工程、活性層の上方に第２ミラーを形成する工程、第２ミラーの上に半導体層を形成する工程、および、半導体層の上に犠牲層を形成する工程を有する第１多層膜を形成する工程と、第１多層膜に対して反射率検査を行う第１検査工程と、第１多層膜から前記犠牲層を除去して第２多層膜を形成する工程と、第２多層膜に対して反射率検査を行う第２検査工程と、第１ミラー、活性層、および第２ミラーを有する面発光レーザ部、並びに、半導体層を有するダイオード部が形成されるように第２多層膜をパターニングする工程と、を含み，面発光レーザ部が発する光の設計波長をλとした場合に犠牲層の光学的膜厚はλ／４の奇数倍であるように形成される。 （もっと読む）

【課題】書き換え可能な光ディスクの読み書きに用いる半導体装置を薄型化・小型化し、これを用いた薄型・小型の光ピックアップ装置および光ディスクドライブ装置を提供する。
【解決手段】共振器長が長い高出力の半導体レーザチップ３９をＳｉチップ３７の側面４２にパッケージの長辺側に沿って配置することにより、半導体レーザチップ３９と信号処理用の受光素子とが集積された半導体装置３０の薄型化・小型化を実現でき、さらに、この半導体装置３０を使用することにより、光ピックアップ装置およびこの光ピックアップ装置を使用した光ディスクドライブ装置はともに薄型化・小型化が実現できる。 （もっと読む）

【課題】光集積素子に関し、ＣＷ光を入力として、低消費電力、且つ、低雑音でパルス幅が狭い光パルス列を生成することが可能な小型の光集積素子を実現しようとする。
【解決手段】波長可変レーザ１及び波長固定レーザ２からなる光源と、２つの半導体レーザ１及び２からの光を非線形効果に依る四光波混合を行って周波数コムを生成する半導体光増幅器５と、２つの半導体レーザ１及び２からの光が入力される半導体光検出器６とが集積化されてなることが基本になっている。 （もっと読む）

【課題】 走査信号伝送路の本数を減らして、走査信号を与えるための駆動回路を簡略化することができる光走査装置を提供する。
【解決手段】 各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓには、各発光部Ｔｓの極性が配列方向Ｘに交互に反転するように、走査信号伝送路１５が接続される。また各スイッチ素子Ｔのうち、配列方向Ｘに１つおきに配置される各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓには、１つおきの各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに一定レベルの電圧Ｖｃｃを印加するための定電圧供給路３０２が接続される。走査信号伝送路１５は、各スイッチ素子Ｔの発光部Ｔｓに同じタイミングで走査信号φ１を与える。 （もっと読む）

【課題】 複数の規格の光記録媒体に対応する受光装置であって、暗電流や迷光に起因する不具合を解消した受光装置を提供する。
【解決手段】 ＣＤとＤＶＤとの２種類の光記録媒体にレーザ光を照射し、その反射光を受光して、情報を読み取る受光装置において、トランスインピーダンス型増幅回路を構成する差動増幅回路１０３、バイアス抵抗Ｒｃ及び変換抵抗Ｒｆに対して、ＣＤからの反射光を受光するフォトダイオードＡ１並びにＤＶＤからの反射光を受光するフォトダイオードａ１をそれぞれスイッチ１０１、１０２を介して差動増幅回路の非反転入力端子及び反転入力端子に接続する。そして、ＣＤを再生する際にはフォトダイオードＡ１を反転入力端子に、フォトダイオードａ１を非反転入力端子に接続し、ＤＶＤを再生する際にはフォトダイオードａ１を反転入力端子に、フォトダイオードＡ１を非反転入力端子に接続する。
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【課題】インク等の対象物を精度良く識別することのできる光学センサを提供する。
【解決手段】本発明の光学センサ１１１は、対象物１２０を識別するための光学センサであって、前記対象物１２０に参照光を照射する発光素子１１３と、前記対象物１２０を透過した前記参照光を受光する受光素子１１４とを有し、前記参照光として、前記対象物１２０に含まれた光吸収部材１２１，１２２であって、その吸光特性が前記対象物１２０とは別に調節された前記光吸収部材１２１，１２２の吸収波長域にピーク波長を有する光を用い、前記対象物１２０を透過した前記参照光の透過光量に基づいて前記光吸収部材１２１，１２２を識別し、その識別結果に基づいて前記対象物１２０を識別することを特徴とする。 （もっと読む）