本発明は、一般に、不揮発性メモリとして機能し得るようなメモリセルのための磁気的な分野に関するものである。より詳細には、本発明は、スピン分極電流を使用することによってメモリデバイス内の磁気領域の磁化方向を制御してスイッチングし得るような、高速でありかつ低消費電力の方法を開示している。磁気デバイスは、固定磁化方向を有したピン止めされた磁化層と；自由な磁化方向を有した自由磁化層と；固定磁化方向を有した読出磁化層と；を具備している。ピン止めされた磁化層と自由磁化層とは、非磁性層によって分離されており、自由磁化層と読出磁化層とは、他の磁性層によって分離されている。ピン止めされた磁化層の磁化方向と自由磁化層の磁化方向とは、一般に、同じ向きとはされない。非磁性層は、磁化層どうしの間の磁気的相互作用を最小化する。
（もっと読む）

表面を有する基板を提供するステップと、前記基板上に合成磁気モーメントベクトルを有する第１磁気領域（１７）を堆積するステップと、前記第１磁気領域上に電気絶縁材料（１６）を堆積するステップと、前記電気絶縁材料上に第２磁気領域（１１５）を堆積するステップを備えた磁気抵抗トンネル接合セルを製造する方法であって、前記第１磁気領域および第２磁気領域の一方の少なくとも一部分が、前記基板の表面に直交する方向に対して非ゼロの堆積角で該領域を堆積することによって形成されて誘導異方性を作る方法。
（もっと読む）

磁気エレクトロニクス情報デバイス（１２）は、２つの多層構造（２４，２６）及び該２つの多層構造の間に配置されたスペーサ層（２８）を備えている。各多層構造は、２つの磁気副層（３８，４０及び４４，４６）と、該２つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層（４２，４８）とを有している。２つの磁気副層の間に配置されたスペーサ層は、飽和領域によって定量化される反強磁性交換結合を提供する。２つの多層構造の間に配置されたスペーサ層は、前記第１飽和領域よりも小さい他の飽和領域によって定量化される第２反強磁性交換結合を提供する。
（もっと読む）