Fターム[5F092BB64]の内容
Fターム[5F092BB64]の下位に属するFターム
Fe、Co、Niのみの合金又は単体 (31)
合金(Fe、Co、Ni系と他の金属) (230)
合金(Fe、Co、Ni系は除く) (2)
酸化物 (4)
半導体
有機物
反強磁性体 (33)
Fターム[5F092BB64]に分類される特許
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CPP型磁界検出素子及びその製造方法
【課題】バイアス磁界層が記録媒体対向面から見て積層体の裏側に設けられている膜構成のCPP型の磁界検出素子において、シールド間ギャップの低減と実効トラック幅の狭小化を図る。
【解決手段】磁界検出素子は、外部磁界に応じて磁化方向が変化する上部及び下部磁性層と、上部及び下部磁性層の間に挟まれた非磁性中間層と、を有する積層体2と、積層体2の積層方向Pに積層体2を挟むように設けられ、積層体2の積層方向Pにセンス電流を供給するとともに、積層体2を磁気的にシールドする上部及び下部シールド電極層3,4と、積層体2の記録媒体対向面の反対面に設けられ、上部及び下部磁性層に、記録媒体対向面と直交する方向のバイアス磁界を印加するバイアス磁性層と、積層体2のトラック幅方向Tの両側に設けられた一対のサイドシールド層32と、を有している。
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