【課題】書込み電流の範囲を広くすることができるとともに書込み電流を低減することができる磁気抵抗素子および磁気メモリを提供する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗素子は、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が可変の第１強磁性層と、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、磁化が不変の第２強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層に対して第１非磁性層と反対側に設けられ、それぞれが異なる発振周波数の回転磁界を発振する強磁性体の複数の発振体を有し、各発振体が膜面に平行な磁化を有する、第３強磁性層と、を備え、第３強磁性層と、第１強磁性層との間に電流を流すことにより、スピン偏極した電子を第１強磁性層に作用させるとともに、第３強磁性層の複数の発振体に作用させて前記発振体の磁化に歳差運動を誘起し、歳差運動によって生じた複数の回転周波数を有し第１強磁性層の磁化反転をアシストする回転磁界が第１強磁性層に印加される。 （もっと読む）

【課題】読み出し時に誤書き込みを防止することを可能にする。
【解決手段】膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが固着された磁化固着層と、膜面に略垂直方向の磁化を有し磁化の向きが可変の磁気記憶層と、磁化固着層と磁気記憶層との間に設けられたトンネルバリア層と、を備え、磁気記憶層に電流パルスを流してスピン偏極した電子を注入することにより磁気記憶層の磁化の向きが反転可能である磁気記憶素子を有するメモリセルを備えた磁気メモリの駆動方法であって、磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きく、かつ磁気記憶層の磁気異方性磁界Ｈｋは５０Ｏｅ〜５０００Ｏｅである。 （もっと読む）

【課題】読み出し時に誤書き込みを防止することを可能にする。
【解決手段】磁気記憶層に情報を書き込むための書き込み電流パルスの幅が、磁気記憶層から情報を読み出すための読み出し電流パルスの幅より大きい。 （もっと読む）

【課題】 磁気センサにおいて、電極と磁性膜の間のコンタクト抵抗と、中間膜に起因する固定抵抗の間のトレードオフ関係を改善すること。
【解決手段】 磁気センサ１０は、磁気抵抗効果を有する磁性膜３６と、その磁性膜３６上に形成されている導電性の中間膜３５と、中間膜３５の一部３５ａを介して磁性膜３６に電気的に接続されている第１電極３２と、中間膜３５の他の一部３５ｂを介して磁性膜３６に電気的に接続されている第２電極３８を備えている。磁気センサ１０はさらに、中間膜３５上に形成されている絶縁性の保護膜３４を備えている。中間膜３５は、導電性の粒子が絶縁性の膜に分散して混入している形態であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 磁気メモリ装置に用いられる磁気素子を提供する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】 この磁気素子は、ピン止め層（１２２）、スペーサ層（１３）、自由層（１４０）、およびスピンバリア層（１５０）を備える。スペーサ層（１３０）は非磁性であり、ピン止め層（１２２）と自由層（１４０）の間に配置されている。自由層（１４０）は、書き込み電流が磁気素子に流れた場合に、スピン移動を用いて切り替え可能である。また、自由層（１４０）は、スペーサ層（１３０）とスピンバリア層（１５０）の間に配置されている。スピンバリア層（１５０）は、自由層（１４０）の減衰定数に対する外側表面の寄与を低減するように構成されている。 （もっと読む）